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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3EZ91D10/TR12 | - |  | 4771 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ91 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 69,2 V | 91 V | 115 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 70060A | - | | 6539 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20AM05FTG | - | | 4184 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | APTM20 | MOSFET (ossido di metallo) | 1250 W | SP4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (mezzo ponte) | 200 V | 333A | 5 mOhm a 166,5 A, 10 V | 4 V a 8 mA | 1184nC a 10 V | 40800 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ180D5/TR12 | - | | 4697 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ180 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MSAD36-16 | - | | 5372 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 1600 V | 36A | 1,25 V a 100 A | 5 mA a 1600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ3.6D2/TR8 | - | | 8911 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ3.6 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3,6 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5384/TR12 | - | | 2557 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5379A/TR12 | - | | 6236 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5379 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 79,2 V | 110 V | 125 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT50H120TG | - | | 8496 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | 277 W | Standard | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore a ponte intero | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 75A | 2,1 V a 15 V, 50 A | 250 µA | SÌ | 3,6 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N6627U | 14.1900 | | 7306 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/590 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N6627 | Standard | D-5B | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,35 V a 2 A | 30 ns | 2 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1,75 A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ27D10/TR12 | - | | 7023 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ27 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 20,6 V | 27 V | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT10035B2LLG | - | | 6679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS7® | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | Variante TO-247-3 | APT10035 | MOSFET (ossido di metallo) | T-MAX™ [B2] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1000 V | 28A (Tc) | 10 V | 350 mOhm a 14 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 186 nC a 10 V | ±30 V | 5185 pF a 25 V | - | 690 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
| 1N4760 G | - | | 5796 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4760 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 51,7 V | 68 V | 150 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ5956E3/TR13 | - | | 4322 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5956 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PMT5924BE3/TR13 | - | | 9741 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5924 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 7 V | 9,1 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| UFT20140D | - | | 3898 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Modulo | Standard | Modulo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 400 V | 100A | 1,25 V a 100 A | 70 ns | 50 µA a 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N4496D | 41.5800 | | 6624 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4496 | 1,5 W | DO-41 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 250 nA a 160 V | 200 V | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG4740E3/TR13 | - | | 1906 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4740 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 7,6 V | 10 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ9.1D5E3/TR8 | - | | 3575 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ9.1 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6660 | - | | 6150 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 1N6660 | Schottky | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 15A | 1 V a 30 A | 1 mA a 45 V | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5243A (DO-35) | - | | 3863 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5243 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13 V | 13 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ180D2/TR12 | - | | 2485 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ180 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ140D5/TR8 | - | | 3609 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ140 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 500 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ22DE3/TR12 | - | | 1015 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ22 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ22DE3/TR8 | - | | 3367 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ22 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ39D/TR12 | - | | 7361 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ39 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 29,7 V | 39 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ62D2E3/TR8 | - | | 3611 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ62 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 47,1 V | 62 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MSAD200-08 | - | | 6991 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D2 | Standard | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 800 V | 200A | 1,3 V a 300 A | 9 mA a 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ30D10/TR12 | - | | 2733 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ30 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 22,5 V | 30 V | 16 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ9.1D2E3/TR8 | - | | 3522 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ9.1 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 2,5 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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