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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 3EZ91D2/TR8 | - | ![]() | 1168 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ91 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 69,2 V | 91 V | 115 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5378B/TR8 | - | ![]() | 2068 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5378 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 72 V | 100 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5334B/TR13 | - | ![]() | 3480 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5334 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 150 µA a 1 V | 3,6 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5915AP/TR8 | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5915 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 25 µA a 1 V | 3,9 V | 7,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4732E3/TR13 | - | ![]() | 8193 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4732 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,7 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5954CE3/TR13 | - | ![]() | 9805 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S200-50A | - | ![]() | 6814 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSDM200-08 | - | ![]() | 6966 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | M3-1 | Standard | M3-1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,45 V a 200 A | 500 µA a 800 V | 200A | Tre fasi | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100DUM90G | - | ![]() | 4534 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | APTM100 | MOSFET (ossido di metallo) | 1250 W | SP6 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 1000 V (1 kV) | 78A | 105 mOhm a 39 A, 10 V | 5 V a 10 mA | 744nC a 10 V | 20700 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| APT30M40B2VFRG | - | ![]() | 1941 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | Foro passante | Variante TO-247-3 | MOSFET (ossido di metallo) | T-MAX™ [B2] | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 300 V | 76A(Tc) | - | 40 mOhm a 500 mA, 10 V | 4 V a 2,5 mA | 425 nC a 10 V | - | 10200 pF a 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ91D10/TR12 | - | ![]() | 4771 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ91 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 69,2 V | 91 V | 115 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 70060A | - | ![]() | 6539 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM20AM05FTG | - | ![]() | 4184 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | APTM20 | MOSFET (ossido di metallo) | 1250 W | SP4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (mezzo ponte) | 200 V | 333A | 5 mOhm a 166,5 A, 10 V | 4 V a 8 mA | 1184nC a 10 V | 40800 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ180D5/TR12 | - | ![]() | 4697 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ180 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSAD36-16 | - | ![]() | 5372 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 1600 V | 36A | 1,25 V a 100 A | 5 mA a 1600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ3.6D2/TR8 | - | ![]() | 8911 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ3.6 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3,6 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5384/TR12 | - | ![]() | 2557 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5379A/TR12 | - | ![]() | 6236 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5379 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 79,2 V | 110 V | 125 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50H120TG | - | ![]() | 8496 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | 277 W | Standard | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore a ponte intero | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 75A | 2,1 V a 15 V, 50 A | 250 µA | SÌ | 3,6 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N6627U | 14.1900 | ![]() | 7306 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/590 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N6627 | Standard | D-5B | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,35 V a 2 A | 30 ns | 2 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1,75 A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ27D10/TR12 | - | ![]() | 7023 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ27 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 20,6 V | 27 V | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT10035B2LLG | - | ![]() | 6679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS7® | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | Variante TO-247-3 | APT10035 | MOSFET (ossido di metallo) | T-MAX™ [B2] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1000 V | 28A (Tc) | 10 V | 350 mOhm a 14 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 186 nC a 10 V | ±30 V | 5185 pF a 25 V | - | 690 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4760 G | - | ![]() | 5796 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4760 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 51,7 V | 68 V | 150 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5956E3/TR13 | - | ![]() | 4322 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5956 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5924BE3/TR13 | - | ![]() | 9741 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5924 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 7 V | 9,1 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT20140D | - | ![]() | 3898 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Modulo | Standard | Modulo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 400 V | 100A | 1,25 V a 100 A | 70 ns | 50 µA a 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4496D | 41.5800 | ![]() | 6624 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4496 | 1,5 W | DO-41 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 250 nA a 160 V | 200 V | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4740E3/TR13 | - | ![]() | 1906 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4740 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 7,6 V | 10 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ9.1D5E3/TR8 | - | ![]() | 3575 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ9.1 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6660 | - | ![]() | 6150 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 1N6660 | Schottky | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 15A | 1 V a 30 A | 1 mA a 45 V | -65°C ~ 150°C |

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