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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
3EZ91D2/TR8 Microsemi Corporation 3EZ91D2/TR8 -
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ECAD 1168 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ91 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 69,2 V 91 V 115 Ohm
1N5378B/TR8 Microsemi Corporation 1N5378B/TR8 -
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ECAD 2068 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5378 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 72 V 100 V 90 Ohm
SMBG5334B/TR13 Microsemi Corporation SMBG5334B/TR13 -
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ECAD 3480 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5334 5 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 150 µA a 1 V 3,6 V 2,5 Ohm
1N5915AP/TR8 Microsemi Corporation 1N5915AP/TR8 -
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ECAD 4982 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5915 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 25 µA a 1 V 3,9 V 7,5 Ohm
1N4732E3/TR13 Microsemi Corporation 1N4732E3/TR13 -
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ECAD 8193 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4732 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 1 V 4,7 V 8 Ohm
1N5954CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5954CE3/TR13 -
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ECAD 9805 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5954 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 121,6 V 160 V 700 Ohm
S200-50A Microsemi Corporation S200-50A -
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ECAD 6814 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1
MSDM200-08 Microsemi Corporation MSDM200-08 -
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ECAD 6966 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio M3-1 Standard M3-1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 1,45 V a 200 A 500 µA a 800 V 200A Tre fasi 800 V
APTM100DUM90G Microsemi Corporation APTM100DUM90G -
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ECAD 4534 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP6 APTM100 MOSFET (ossido di metallo) 1250 W SP6 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 2 canali N (doppio) 1000 V (1 kV) 78A 105 mOhm a 39 A, 10 V 5 V a 10 mA 744nC a 10 V 20700 pF a 25 V -
APT30M40B2VFRG Microsemi Corporation APT30M40B2VFRG -
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ECAD 1941 0.00000000 Microsemi Corporation POWER MOS V® Tubo Obsoleto Foro passante Variante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) T-MAX™ [B2] - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 300 V 76A(Tc) - 40 mOhm a 500 mA, 10 V 4 V a 2,5 mA 425 nC a 10 V - 10200 pF a 25 V - -
3EZ91D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ91D10/TR12 -
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ECAD 4771 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ91 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 69,2 V 91 V 115 Ohm
70060A Microsemi Corporation 70060A -
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ECAD 6539 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 1
APTM20AM05FTG Microsemi Corporation APTM20AM05FTG -
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ECAD 4184 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Interrotto alla SIC -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP4 APTM20 MOSFET (ossido di metallo) 1250 W SP4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 2 canali N (mezzo ponte) 200 V 333A 5 mOhm a 166,5 A, 10 V 4 V a 8 mA 1184nC a 10 V 40800 pF a 25 V -
3EZ180D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ180D5/TR12 -
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ECAD 4697 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ180 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 136,8 V 180 V 700 Ohm
MSAD36-16 Microsemi Corporation MSAD36-16 -
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ECAD 5372 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D1 Standard D1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di anodo comune 1600 V 36A 1,25 V a 100 A 5 mA a 1600 V
3EZ3.6D2/TR8 Microsemi Corporation 3EZ3.6D2/TR8 -
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ECAD 8911 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ3.6 3 W DO-204AL (DO-41) - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 3,6 V
1N5384/TR12 Microsemi Corporation 1N5384/TR12 -
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ECAD 2557 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5384 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 115 V 160 V 350 Ohm
1N5379A/TR12 Microsemi Corporation 1N5379A/TR12 -
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ECAD 6236 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5379 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 79,2 V 110 V 125 Ohm
APTGT50H120TG Microsemi Corporation APTGT50H120TG -
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ECAD 8496 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP4 277 W Standard SP4 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Invertitore a ponte intero Sosta sul campo di trincea 1200 V 75A 2,1 V a 15 V, 50 A 250 µA 3,6 nF a 25 V
JAN1N6627U Microsemi Corporation JAN1N6627U 14.1900
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ECAD 7306 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/590 Massa Attivo Montaggio superficiale SQ-MELF, E 1N6627 Standard D-5B - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,35 V a 2 A 30 ns 2 µA a 400 V -65°C ~ 150°C 1,75 A -
2EZ27D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ27D10/TR12 -
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ECAD 7023 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ27 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 20,6 V 27 V 18 Ohm
APT10035B2LLG Microsemi Corporation APT10035B2LLG -
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ECAD 6679 0.00000000 Microsemi Corporation POWERMOS7® Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante Variante TO-247-3 APT10035 MOSFET (ossido di metallo) T-MAX™ [B2] scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 1000 V 28A (Tc) 10 V 350 mOhm a 14 A, 10 V 5 V a 2,5 mA 186 nC a 10 V ±30 V 5185 pF a 25 V - 690 W(Tc)
1N4760 G Microsemi Corporation 1N4760 G -
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ECAD 5796 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4760 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 5 µA a 51,7 V 68 V 150 ohm
SMAJ5956E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5956E3/TR13 -
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ECAD 4322 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SMAJ5956 3 W DO-214AC (SMAJ) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 152 V 200 V 1200 Ohm
1PMT5924BE3/TR13 Microsemi Corporation 1PMT5924BE3/TR13 -
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ECAD 9741 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5924 3 W DO-216AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 12.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 7 V 9,1 V 4 Ohm
UFT20140D Microsemi Corporation UFT20140D -
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ECAD 3898 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio a vite Modulo Standard Modulo scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 400 V 100A 1,25 V a 100 A 70 ns 50 µA a 400 V
JANTX1N4496D Microsemi Corporation JANTX1N4496D 41.5800
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ECAD 6624 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/406 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4496 1,5 W DO-41 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1 V a 200 mA 250 nA a 160 V 200 V 1500 Ohm
SMBG4740E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4740E3/TR13 -
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ECAD 1906 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4740 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 7,6 V 10 V 7 Ohm
2EZ9.1D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ9.1D5E3/TR8 -
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ECAD 3575 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ9.1 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 3 µA a 7 V 9,1 V 2,5 Ohm
1N6660 Microsemi Corporation 1N6660 -
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ECAD 6150 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Interrotto alla SIC Montaggio superficiale TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) 1N6660 Schottky TO-254AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 15A 1 V a 30 A 1 mA a 45 V -65°C ~ 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock