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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Condizione di prova | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Tensione - Stato attivo (Vtm) (max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | Tipo SCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SD1057-01H | - | ![]() | 7524 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ47DE3/TR8 | - | ![]() | 9332 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ47 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 35,8 V | 47 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ68D5/TR8 | - | ![]() | 5832 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ68 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 51,7 V | 68 V | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5239B (DO-35) | - | ![]() | 2799 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5239 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ110D5E3/TR8 | - | ![]() | 1259 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ110 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5948APE3/TR8 | - | ![]() | 6781 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5948 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 69,2 V | 91 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5239A (DO-35) | - | ![]() | 8485 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5239 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 3 µA a 6,7 V | 9,1 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ3.9D2E3/TR12 | - | ![]() | 2516 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ3.9 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 30 µA a 1 V | 3,9 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT40020 | - | ![]() | 1505 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Modulo | Standard | Modulo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 200A | 975 mV a 200 A | 100 n | 50 µA a 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ22D10/TR12 | - | ![]() | 8815 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ22 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF330A60D3G | - | ![]() | 1768 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | Modulo D-3 | 1560 W | Standard | D3 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | TNP | 600 V | 520A | 2,45 V a 15 V, 400 A | 500 µA | NO | 18 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5953P/TR8 | - | ![]() | 4015 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5953 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 114 V | 150 V | 600 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6770 | - | ![]() | 8496 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/543 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-204AE | MOSFET (ossido di metallo) | TO-204AE (TO-3) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 12A (Tc) | 10 V | 500 mOhm a 12 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 120 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT45GR65SSCD10 | - | ![]() | 6599 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | APT45GR65 | Standard | 543 W | D3Pak | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 433 V, 45 A, 4,3 Ohm, 15 V | 80 ns | TNP | 650 V | 118A | 224A | 2,4 V a 15 V, 45 A | 203 nC | 15ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT60M80JVR | - | ![]() | 1271 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (ossido di metallo) | ISOTOP® | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 600 V | 55A (Tc) | 10 V | 80 mOhm a 500 mA, 10 V | 4 V a 5 mA | 870 nC a 10 V | ±30 V | 14.500 pF a 25 V | - | 568 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ82D5 | - | ![]() | 1002 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ82 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 62,2 V | 82 V | 100 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ13DE3/TR8 | - | ![]() | 4724 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ13 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5917CP/TR8 | - | ![]() | 3508 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5917 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5385B/TR8 | - | ![]() | 1391 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5385 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 122 V | 170 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ75DE3/TR8 | - | ![]() | 4441 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ75 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 56 V | 75 V | 85 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4750A G | - | ![]() | 6700 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4750 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 20,6 V | 27 V | 35 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS183100R | - | ![]() | 5654 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | MEZZA PAK | Schottky, Polarità inversa | MEZZA PAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 910 mV a 180 A | 5 mA a 100 V | 180A | 4800pF a 5 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ20D10/TR8 | - | ![]() | 5261 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ20 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 15,2 V | 20 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4748AE3/TR13 | - | ![]() | 2556 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4748 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 16,7 V | 22 V | 23 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ7.5D2E3/TR12 | - | ![]() | 1175 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ7.5 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 5 V | 7,5 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4960D | 29.4600 | ![]() | 3519 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4960 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 10 µA a 9,1 V | 12 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6784 | - | ![]() | 3264 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/556 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-205AF Lattina di metallo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-205AF (TO-39) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 2,25 A(Tc) | 10 V | 1,6 Ohm a 2,25 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 8,6 nC a 10 V | ±20 V | - | 800 mW (Ta), 15 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N2325 | - | ![]() | 8818 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-STD-701 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | TO-5 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 150 V | 800 mV | 15 A a 60 Hz | 200 µA | 2,2 V | 1,6 A | 10 µA | Cancello sensibile | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5916BP/TR12 | - | ![]() | 7002 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5916 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DSKM70CT1G | - | ![]() | 1080 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP1 | APTC60 | MOSFET (ossido di metallo) | 250 W | SP1 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 600 V | 39A | 70 mOhm a 39 A, 10 V | 3,9 V a 2,7 mA | 259nC a 10 V | 7000 pF a 25 V | Super giunzione |

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