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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | Tipo SCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 3EZ15D5/TR12 | - | ![]() | 7964 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ15 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 11,4 V | 15 V | 5,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6249T1 | - | ![]() | 9353 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 2N6249 | 6 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1 A, 10 A | 10 a 10 A, 3 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5914C/TR13 | - | ![]() | 5163 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5914 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 75 µA a 1 V | 3,6 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ4.7D10/TR12 | - | ![]() | 9497 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ4.7 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 20 µA a 1 V | 4,7 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5922B/TR13 | - | ![]() | 8096 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5922 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200DA170D3G | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo D-3 | 1250 W | Standard | D3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 400 A | 2,4 V a 15 V, 200 A | 5 mA | NO | 17 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6249T1 | - | ![]() | 3273 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 2N6249 | 6 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1 A, 10 A | 10 a 10 A, 3 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6250 | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-3 | 6 W | TO-3 (TO-204AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 275 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1,25 A, 10 A | 8 a 10 A, 3 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ33D5DO41E3 | - | ![]() | 3740 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ33 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 25,1 V | 33 V | 23 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5382A/TR12 | - | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5382 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 101 V | 140 V | 230 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5917CPE3/TR8 | - | ![]() | 4844 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5917 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N6631U | 19.1850 | ![]() | 1401 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/590 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N6631 | Standard | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,6 V a 1,4 A | 60 ns | 4μA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 1,4A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5933C/TR13 | - | ![]() | 4346 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5933 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 16,7 V | 22 V | 17,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS24230 | - | ![]() | 2178 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | MEZZA PAK | Schottky | MEZZA PAK | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 550 mV a 240 A | 12 mA a 30 V | 240A | 10500pF a 5 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N2329AU4 | - | ![]() | 5741 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | U4 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 400 V | 600 mV | 15 A a 60 Hz | 20 µA | 10 µA | Norma di recupero | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT10M07JVR | - | ![]() | 3254 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (ossido di metallo) | ISOTOP® | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 225A(Tc) | 10 V | 4 V a 5 mA | 1050 nC a 10 V | ±30 V | 21600 pF a 25 V | - | 700 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5382CE3/TR13 | - | ![]() | 7483 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5382 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 101 V | 140 V | 230 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2221AL | 9.0573 | ![]() | 8443 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo | 2N2221 | 500 mW | TO-18 (TO-206AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1 V a 50 mA, 500 mA | 40 a 150 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSAD200-12 | - | ![]() | 7717 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D2 | Standard | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 1200 V | 200A | 1,3 V a 300 A | 9 mA a 1200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5917APE3/TR8 | - | ![]() | 9424 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5917 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ10D2E3/TR8 | - | ![]() | 8821 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ10 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7,6 V | 10 V | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5250A (DO-35) | - | ![]() | 9660 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5250 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 15 V | 20 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5385E3/TR13 | - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5385 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 122 V | 170 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPT400100D | - | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 100 V | 200A | 890 mV a 200 A | 5 mA a 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5937AE3/TR13 | - | ![]() | 8300 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5937 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 25,1 V | 33 V | 33 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ14D10E3/TR12 | - | ![]() | 4927 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ14 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 10,6 V | 14 V | 5,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5388CE3/TR12 | - | ![]() | 2278 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5388 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 144 V | 200 V | 480 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ14D2E3/TR12 | - | ![]() | 1305 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ14 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 10,6 V | 14 V | 5,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5011 | 19.4180 | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 1 W | TO-5AA | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 V | 200mA | 10nA (ICBO) | NPN | 1,5 V a 5 mA, 25 mA | 30 a 25 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4110 (DO35) | - | ![]() | 6099 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4110 | 400 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 50 nA a 12,15 V | 16 V | 100 ohm |

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