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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 3EZ13D10/TR12 | - | ![]() | 7028 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ13 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ8.2D2/TR8 | - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ8.2 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 8,2 V | 2,3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5386AE3/TR12 | - | ![]() | 8332 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5386 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 130 V | 180 V | 430 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ82D10/TR8 | - | ![]() | 3662 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ82 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 62,2 V | 82 V | 100 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5951BG | 3.4050 | ![]() | 1877 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5951 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91,2 V | 120 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ11D10E3/TR12 | - | ![]() | 7287 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ11 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM120TA57FPG | - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | APTM120 | MOSFET (ossido di metallo) | 390 W | SP6-P | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 canali N (ponte trifase) | 1200 V (1,2 kV) | 17A | 684 mOhm a 8,5 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 187nC a 10 V | 5155pF a 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4737AG | 3.1350 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4737 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 5 V | 7,5 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2215 | - | ![]() | 7351 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 250°C (TJ) | Montaggio su telaio | M216 | 300 W | M216 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,5dB | 55 V | 16,5A | NPN | 20 a 5 A, 5 V | 960 MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSKD36-12 | - | ![]() | 4010 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 36A | 1,25 V a 100 A | 5 mA a 1200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N6901 | - | ![]() | 2667 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/570 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-205AF Lattina di metallo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-205AF (TO-39) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 1,69 A(Tc) | 5 V | 1,4 Ohm a 1,07 A, 5 V | 2 V a 1 mA | 5 nC a 5 V | ±10 V | - | 8,33 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT4622CE3/TR7 | - | ![]() | 3170 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMITE® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1 W | DO-216 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 2 V | 3,9 V | 1650 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ11D5/TR8 | - | ![]() | 3123 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ11 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS104E3/TR12 | - | ![]() | 1102 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS104 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 690 mV a 1 A | 100 µA a 40 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ24D/TR8 | - | ![]() | 7280 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ24 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 18,2 V | 24 V | 13 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 66116 | - | ![]() | 1266 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4732E3/TR13 | - | ![]() | 4753 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4732 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,7 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N6660CAT1 | - | ![]() | 8275 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/608 | Massa | Attivo | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 1N6660 | Schottky | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 45 V | 15A | 750 mV a 15 A | 1 mA a 45 V | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ18D5E3/TR8 | - | ![]() | 5614 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ18 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 13,7 V | 18 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4730CPE3/TR12 | - | ![]() | 7790 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4730 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ100D2E3/TR12 | - | ![]() | 6002 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ100 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 76 V | 100 V | 175 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5365B | - | ![]() | 9452 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5365 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 25,9 V | 36 V | 11 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ15D5/TR12 | - | ![]() | 7964 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ15 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 11,4 V | 15 V | 5,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6249T1 | - | ![]() | 9353 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 2N6249 | 6 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1 A, 10 A | 10 a 10 A, 3 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5914C/TR13 | - | ![]() | 5163 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5914 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 75 µA a 1 V | 3,6 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ4.7D10/TR12 | - | ![]() | 9497 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ4.7 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 20 µA a 1 V | 4,7 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5922B/TR13 | - | ![]() | 8096 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5922 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 V | 3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200DA170D3G | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo D-3 | 1250 W | Standard | D3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 400 A | 2,4 V a 15 V, 200 A | 5 mA | NO | 17 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6249T1 | - | ![]() | 3273 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 2N6249 | 6 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1 A, 10 A | 10 a 10 A, 3 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6250 | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-3 | 6 W | TO-3 (TO-204AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 275 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1,25 A, 10 A | 8 a 10 A, 3 V | - |

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