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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Corrente - Media rettificata (Io)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MSDM150-16	-	Richiesta di offerta	9205	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	M3-1		Standard			M3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1																	1,4 V a 150 A	500 µA a 1600 V	150A					Tre fasi	1,6kV
1EZ110D/TR8	-	Richiesta di offerta	6225	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1EZ110		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA	500 nA a 83,6 V										110 V	570 Ohm
MS2272	-	Richiesta di offerta	6015	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M216			940 W		M216	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				7,6dB																	65 V	24A									NPN		10 a 5 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
1EZ150D2E3/TR12	-	Richiesta di offerta	9068	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1EZ150		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA	500 nA a 114 V										150 V	1300 Ohm
64010B	-	Richiesta di offerta	1380	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
1N5918AG	3.0300	Richiesta di offerta	1107	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5918		1,25 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																	1,2 V a 200 mA	5 µA a 2 V										5,1 V	4 Ohm
SMBG5936AE3/TR13	-	Richiesta di offerta	7211	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5936		2 W		SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA	1 µA a 22,8 V										30 V	28 Ohm
SMBG5915AE3/TR13	-	Richiesta di offerta	5716	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5915		2 W		SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA	25 µA a 1 V										3,9 V	7,5 Ohm
1N5335BE3/TR12	-	Richiesta di offerta	6965	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5335		5 W		T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 1 A	50 µA a 1 V										3,9 V	2 Ohm
3EZ47D2E3/TR8	-	Richiesta di offerta	5102	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ47		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA	500 nA a 35,6 V										47 V	38 Ohm
2224-12LP	-	Richiesta di offerta	1541	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N3960	-	Richiesta di offerta	1060	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/399	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			400 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100																					12 V					10μA (ICBO)					NPN	300 mV a 3 mA, 30 mA	60 a 10 mA, 1 V	-
MC1331-3	-	Richiesta di offerta	2572	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
0910-60M	-	Richiesta di offerta	7789	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AW			180 W		55AW	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8dB~8,5dB																	65 V	8A									NPN		-	890 MHz~1 GHz	-
MSC090SMA120S	-	Richiesta di offerta	1840	Microsemi Corporation	*	Massa	Attivo					MSC090					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		0000.00.0000	1
3EZ140D10/TR8	-	Richiesta di offerta	7640	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ140		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA	500 nA a 106,4 V										140 V	475 Ohm
3EZ43D2/TR12	-	Richiesta di offerta	5333	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ43		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA	500 nA a 32,7 V										43 V	33 Ohm
1EZ120D10/TR8	-	Richiesta di offerta	5025	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1EZ120		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA	500 nA a 91,2 V										120 V	710 Ohm
1PMT4623CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	7922	Microsemi Corporation	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA			1 W		DO-216	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	12.000																	1,1 V a 200 mA	4 µA a 2 V										4,3 V	1650 Ohm
UMIL100A	-	Richiesta di offerta	8990	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio su telaio	55JU			270 W		55JU	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				7,2dB~8,5dB																	31 V	20A									NPN		10 a 1 A, 5 V	225 MHz~400 MHz	-
1PMT5917E3/TR13	-	Richiesta di offerta	8863	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5917		3 W		DO-216AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	12.000																	1,2 V a 200 mA	5 µA a 1,5 V										4,7 V	5 Ohm
APTGF300DA120G	-	Richiesta di offerta	4683	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP6			1780 W	Standard	SP6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																			TNP	1200 V	400 A	3,9 V a 15 V, 300 A			500 µA	NO			21 nF a 25 V
2EZ27D5DO41E3	-	Richiesta di offerta	3656	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ27		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA	500 nA a 20,6 V										27 V	18 Ohm
1N4693 (DO35)	-	Richiesta di offerta	4004	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4693		500 mW		DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA	10 µA a 5,7 V										7,5 V
SMAJ5951CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	3029	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	SMAJ5951		3 W		DO-214AC (SMAJ)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	7.500																	1,2 V a 200 mA	1 µA a 91,2 V										120 V	380 Ohm
MSAD120-12	-	Richiesta di offerta	1002	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	D1		Standard			D1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												1 paio di anodo comune	1200 V	120A	1,43 V a 300 A	6 mA a 1200 V
1PMT4624CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	5965	Microsemi Corporation	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA			1 W		DO-216	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	12.000																	1,1 V a 200 mA	10 µA a 3 V										4,7 V	1600 Ohm
APTGT35SK120D1G	-	Richiesta di offerta	7456	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1			205 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																			Sosta sul campo di trincea	1200 V	55A	2,1 V a 15 V, 35 A			5 mA	NO			2,5 nF a 25 V
2EZ180D/TR12	-	Richiesta di offerta	4338	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ180		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA	500 nA a 136,8 V										180 V	725 Ohm
JANTX2N6758	-	Richiesta di offerta	4496	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN		200 V	9A (Tc)	10 V	490 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	-	4 W (Ta), 75 W (Tc)