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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Condizione di prova Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (Max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
APT45GR65B2DU30 Microsemi Corporation APT45GR65B2DU30 -
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ECAD 1373 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 APT45GR65 Standard 543 W T-MAX™ [B2] scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 433 V, 45 A, 4,3 Ohm, 15 V 80 ns TNP 650 V 118A 224A 2,4 V a 15 V, 45 A 203 nC 15ns/100ns
JANTXV2N2857UB Microsemi Corporation JANTXV2N2857UB -
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ECAD 2967 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Montaggio superficiale 3-SMD, senza piombo 200 mW UB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 100 21dB 15 V 40mA NPN 30 a 3 mA, 1 V - 4,5 dB a 450 MHz
APTCV60HM70BT3G Microsemi Corporation APTCV60HM70BT3G -
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ECAD 1969 0.00000000 Microsemi Corporation - Vassoio Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP3 250 W Standard SP3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Boost Chopper, ponte intero Sosta sul campo di trincea 600 V 50A 1,9 V a 15 V, 50 A 250 µA 3,15 nF a 25 V
3EZ110D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ110D5E3/TR8 -
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ECAD 8893 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ110 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 83,6 V 110 V 225 Ohm
JANTXV2N7225U Microsemi Corporation JANTXV2N7225U -
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ECAD 2479 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/592 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-267AB MOSFET (ossido di metallo) TO-267AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 200 V 27,4 A(Tc) 10 V 105 mOhm a 27,4 A, 10 V 4 V a 250 µA 115 nC a 10 V ±20 V - 4 W (Ta), 150 W (Tc)
MSKD100-16 Microsemi Corporation MSKD100-16 -
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ECAD 9099 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto Montaggio su telaio D1 Standard D1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 1600 V 100A 1,35 V a 300 A 5 mA a 1600 V
SD1019 Microsemi Corporation SD1019 -
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ECAD 2226 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C Montaggio a perno M130 117W M130 - 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0075 1 4,5dB 35 V 9A NPN 5 a 500 mA, 5 V 136 MHz -
1PMT4621/TR7 Microsemi Corporation 1PMT4621/TR7 -
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ECAD 6484 0.00000000 Microsemi Corporation POWERMITE® Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1 W DO-216 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,1 V a 200 mA 7,5 µA a 2 V 3,6 V 1700 Ohm
1N5277A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5277A (DO-35) -
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ECAD 8098 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5277 500 mW DO-35 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 200 mA 100 nA a 116 V 160 V 1700 Ohm
APT12080JVR Microsemi Corporation APT12080JVR -
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ECAD 3427 0.00000000 Microsemi Corporation POWER MOS V® Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC MOSFET (ossido di metallo) ISOTOP® scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 15A (Tc) 10 V 800 mOhm a 7,5 A, 10 V 4 V a 2,5 mA 485 nC a 10 V ±30 V 7800 pF a 25 V - 450 W(Tc)
JANTX1N4988DUS Microsemi Corporation JANTX1N4988DUS 30.7500
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ECAD 2061 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/435 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale SQ-MELF, E 1N4988 5 W D-5B scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 2 µA a 136,8 V 180 V 450 Ohm
1N5914AP/TR8 Microsemi Corporation 1N5914AP/TR8 -
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ECAD 8001 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5914 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 75 µA a 1 V 3,6 V 9 Ohm
78124 Microsemi Corporation 78124 -
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ECAD 3407 0.00000000 Microsemi Corporation * Massa Obsoleto - - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1
1N5381B/TR8 Microsemi Corporation 1N5381B/TR8 -
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ECAD 6638 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5381 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 93,6 V 130 V 190 ohm
3EZ30D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ30D5E3/TR8 -
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ECAD 1741 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ30 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 22,5 V 30 V 16 Ohm
1N5950AG Microsemi Corporation 1N5950AG 3.4050
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ECAD 8565 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5950 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 1 µA a 83,6 V 110 V 300 ohm
UTR4340 Microsemi Corporation UTR4340 12.8400
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ECAD 6788 0.00000000 Microsemi Corporation - Borsa Attivo Foro passante B, assiale Standard B, assiale - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,1 V a 4 A 400 n 5 µA a 400 V -65°C ~ 175°C 4A -
2EZ100D5 Microsemi Corporation 2EZ100D5 -
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ECAD 2826 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ100 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 76 V 100 V 175 Ohm
3EZ17D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ17D/TR8 -
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ECAD 4456 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ17 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 13 V 17 V 6 Ohm
SMBG4739C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4739C/TR13 -
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ECAD 9256 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4739 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 7 V 9,1 V 5 Ohm
APT5022BNG Microsemi Corporation APT5022BNG -
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ECAD 8230 0.00000000 Microsemi Corporation POWER MOS IV® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 d.C scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 500 V 27A(Tc) 10 V 220 mOhm a 13,5 A, 10 V 4 V a 1 mA 210 nC a 10 V ±30 V 3500 pF a 25 V - 360 W(Tc)
2EZ3.6D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ3.6D5E3/TR12 -
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ECAD 6332 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ3.6 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 80 µA a 1 V 3,6 V 5 Ohm
3EZ68D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ68D10/TR12 -
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ECAD 4068 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ68 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 51,7 V 68 V 70 Ohm
1N5946PE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5946PE3/TR8 -
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ECAD 9620 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5946 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 56 V 75 V 140 Ohm
2EZ18D/TR12 Microsemi Corporation 2EZ18D/TR12 -
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ECAD 5826 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ18 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 13,7 V 18 V 10 Ohm
JANTX2N5014 Microsemi Corporation JANTX2N5014 -
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ECAD 5390 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/727 Massa Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo 1 W TO-5 - RoHS non conforme Non applicabile EAR99 8541.29.0095 1 900 V 200 mA 10nA (ICBO) NPN 30 a 20 mA, 10 V -
1N5385BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5385BE3/TR13 -
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ECAD 1033 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5385 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 500 nA a 122 V 170 V 380 Ohm
2EZ68D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ68D/TR8 -
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ECAD 6676 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ68 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 51,7 V 68 V 75 Ohm
MS1006 Microsemi Corporation MS1006 -
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ECAD 8980 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C Montaggio a perno M135 127 W M135 - 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0075 1 14dB 55 V 3,25 A NPN 19 a 1,4 A, 6 V 30 MHz -
MS2473 Microsemi Corporation MS2473 -
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ECAD 1946 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Montaggio su telaio M112 2300 W M112 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1 6dB 65 V 46A NPN 5 a 1 A, 5 V 1,09GHz -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock