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Prodotti a semiconduttore discreti(447)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
HZM22NB2TR-E	0,1600	Richiesta di offerta	84	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,11%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM22NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								2 µA a 17 V				22.01 V	55 Ohm
HZU15B3JTRF-E	0,0700	Richiesta di offerta	14	Renesas	*	Massa	Attivo								scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-HZU15B3JTRF-E-1833			1
UPA1727G-E1-A	-	Richiesta di offerta	4456	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-PowerSOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	MOSFET (ossido di metallo)		8-PowerSOP	-				2156-UPA1727G-E1-A			1		CanaleN		60 V	10A (Ta)	4 V, 10 V	19 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	45 nC a 10 V	±20 V	2400 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
2SK3357-A	4.0400	Richiesta di offerta	294	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P (MP-88)	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-2SK3357-A	EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN		60 V	75A (Ta)	4 V, 10 V	5,8 mOhm a 38 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	170 nC a 10 V	±20 V	9800 pF a 10 V	-	3 W (Ta), 150 W (Tc)
RBK02P11GQT-0000#JCH	-	Richiesta di offerta	2275	Renesas	-	Massa	Obsoleto								-				2156-RBK02P11GQT-0000#JCH			1
NP88N075EUE-E2-AY	4.8900	Richiesta di offerta	1	Renesas	-	Massa	Obsoleto		175°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-3	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-NP88N075EUE-E2-AY	EAR99	8541.29.0095	62		CanaleN		75 V	88A(Tc)	10 V	8,5 mOhm a 44 A, 10 V	4 V a 250 µA	230 nC a 10 V	±20 V	12.300 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 288 W (Tc)
RJK0349DSP-00#J0	-	Richiesta di offerta	8794	Renesas	-	Massa	Attivo		150°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	-				2156-RJK0349DSP-00#J0			1		CanaleN		30 V	20A (Ta)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	25 nC a 4,5 V	±20 V	3850 pF a 10 V	-	2,5 W(Ta)
HR1A3M(0)-T1-AZ	-	Richiesta di offerta	6926	Renesas	-	Massa	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-243AA		2 W	SC-62	-				2156-HR1A3M(0)-T1-AZ			1																									60 V	1A	100nA (ICBO)			PNP - Pre-polarizzato	350mV a 10mA, 500mA	100 a 500 mA, 2 V		1 kOhm	1 kOhm
2SK3480(0)-Z-E1-AZ	-	Richiesta di offerta	2272	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263, TO-220SMD	-				2156-2SK3480(0)-Z-E1-AZ			1		CanaleN		100 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	31 mOhm a 25 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	74 nC a 10 V	±20 V	3600 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 84 W (Tc)
HZM12NB3TL-E	0,1500	Richiesta di offerta	87	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,11%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM12NB3TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																								2 µA a 9 V				12,34 V	35 Ohm
RD6.8FS(0)-T1-AY	0,3000	Richiesta di offerta	750	Renesas	*	Massa	Attivo								scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-RD6.8FS(0)-T1-AY-1833			1
UPA2701WTP-E1-AZ	-	Richiesta di offerta	8096	Renesas	-	Massa	Obsoleto								-				2156-UPA2701WTP-E1-AZ			1
2SC4942(0)-T1-AZ	-	Richiesta di offerta	9149	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			MP-2	-				2156-2SC4942(0)-T1-AZ			1																											10μA (ICBO)			NPN	1 V a 80 mA, 400 mA	30 a 100 mA, 5 V	30 MHz
HZU24B-JTRF-E	0,0700	Richiesta di offerta	321	Renesas	*	Massa	Attivo								scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-HZU24B-JTRF-E-1833			1
UPA2702TP-E2-AZ	1.7500	Richiesta di offerta	5	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-PowerSOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	MOSFET (ossido di metallo)		8-HSOP	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-UPA2702TP-E2-AZ	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN		30 V	14A (Ta), 35A (Tc)	4 V, 10 V	9,5 mOhm a 7 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	9 nC a 5 V	±20 V	900 pF a 10 V	-	3 W (Ta), 22 W (Tc)
CR5AS-12A#B00	-	Richiesta di offerta	9090	Renesas	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MP-3A	-				2156-CR5AS-12A#B00			1			3,5mA												600 V	7,8 A	800 mV	90A a 60Hz	100 µA	1,8 V	5A	1 mA	Cancello sensibile
NP32N055SLE-E1-AY	-	Richiesta di offerta	1281	Renesas	-	Massa	Obsoleto		175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3ZK)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-NP32N055SLE-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	32A (Ta)	4,5 V, 10 V	24 mOhm a 16 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	41 nC a 10 V	±20 V	2000 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta), 66 W (Tc)
RJK0601DPN-E0#T2	3.5400	Richiesta di offerta	1	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220ABS	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RJK0601DPN-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		60 V	110A (Ta)	10 V	3,1 mOhm a 55 A, 10 V	4 V a 1 mA	141 nC a 10 V	±20 V	10.000 pF a 10 V	-	200 W (Tc)
CR3AS-8UE#B00	-	Richiesta di offerta	1222	Renesas	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MP-3A	-				2156-CR3AS-8UE#B00			1			5 mA												400 V	4A	800 mV	40A a 50Hz	100 µA	1,4 V	3A	1 mA	Norma di recupero
HZM11NB3TR-E	0,1500	Richiesta di offerta	36	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,03%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM11NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								2 µA a 8 V				11.33 V	30 Ohm
2SA1611(0)-T1-A	-	Richiesta di offerta	1026	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323			SC-70	-				2156-2SA1611(0)-T1-A			1																											100nA (ICBO)			PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	90 a 1 mA, 6 V	180 MHz
BCR8AS-14LJ#B01	-	Richiesta di offerta	7350	Renesas	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MP-3A	-				2156-BCR8AS-14LJ#B01			1	Separare													Standard	700 V	8A	1,5 V	80A a 50Hz	30 mA
2SK2112W-T1-AZ	-	Richiesta di offerta	5869	Renesas	-	Massa	Obsoleto								-				2156-2SK2112W-T1-AZ			1
RJK1002DPP-E0#T2	-	Richiesta di offerta	6033	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	-				2156-RJK1002DPP-E0#T2			1		CanaleN		100 V	80A (Ta)	10 V	7,6 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 1 mA	147 nC a 10 V	±20 V	10.000 pF a 10 V	-	30 W (Tc)
2SB605-T-AZ	-	Richiesta di offerta	5729	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	3-SSIP			-	-				2156-2SB605-T-AZ			1																											100nA (ICBO)			PNP	350mV a 50mA, 500mA	90 a 100 mA, 1 V	120 MHz
UPA1808GR-9JG-E1-A	0,6000	Richiesta di offerta	3	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-PowerTSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	MOSFET (ossido di metallo)		TSSOP a 8 potenze	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-UPA1808GR-9JG-E1-A	EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN		30 V	9,5A(Ta)	4 V, 10 V	17 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	13 nC a 10 V	±20 V	660 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
RJK0603DPN-E0#T2	-	Richiesta di offerta	4152	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220ABS	-				2156-RJK0603DPN-E0#T2			1		CanaleN		60 V	80A (Ta)	10 V	5,2 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 1 mA	57 nC a 10 V	±20 V	4150 pF a 10 V	-	125 W (Tc)
RD27FM(D)-T1-AZ	-	Richiesta di offerta	8548	Renesas	-	Massa	Obsoleto								-				2156-RD27FM(D)-T1-AZ			1
HZU12B2JTRF-E	0,1000	Richiesta di offerta	42	Renesas	*	Massa	Attivo								scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-HZU12B2JTRF-E-1833			1
RD16FM-T1-AZ	-	Richiesta di offerta	3559	Renesas	-	Massa	Obsoleto								-				2156-RD16FM-T1-AZ			1