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Prodotti a semiconduttore discreti(447)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
RD39P-T1-AY	1.0000	Richiesta di offerta	8627	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±5,13%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				1 W		-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD39P-T1-AY	EAR99	8541.10.0050	1																									10 µA a 30 V													39 V	130 Ohm
UPA2700TP-E2-AZ	-	Richiesta di offerta	7014	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	Platorello esposto 8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm).			MOSFET (ossido di metallo)		8-HSOP	-				2156-UPA2700TP-E2-AZ			1			CanaleN			30 V	17A (Ta)	4 V, 10 V	5,3 mOhm a 9 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	26 nC a 5 V	±20 V	2600 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
HZM15NB3TR-E	0,1600	Richiesta di offerta	12	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,21%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM15NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1.888																									2 µA a 11 V													15:19 V	40 Ohm
2SJ603(0)-Z-E1-AZ	-	Richiesta di offerta	9402	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		TO-263, TO-220SMD	-				2156-2SJ603(0)-Z-E1-AZ			1			Canale P			60 V	25A (Tc)	10 V	48 mOhm a 13 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	38 nC a 10 V	±20 V	1900 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 50 W (Tc)
BCR10KM-12LA-1#B00	1.2600	Richiesta di offerta	936	Renesas	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo					TO-220FN	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-BCR10KM-12LA-1#B00	EAR99	8541.30.0080	1	Separare															Standard	600 V	10A	1,5 V	100 A a 60 Hz	30 mA
2SC4942-AZ	1.2500	Richiesta di offerta	2	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				2 W	MP-2	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SC4942-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																														600 V	1A						10μA (ICBO)			NPN	1 V a 80 mA, 400 mA	30 a 100 mA, 5 V	30 MHz
RJH65D27BDPQ-A0#T2	-	Richiesta di offerta	7829	Renesas	-	Massa	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		375 W	TO-247A	-				2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2			1				400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V																				80 ns					Trincea	650 V	100A	200A	1,65 V a 15 V, 50 A	1 mJ (acceso), 1,5 mJ (spento)	175 nC	20ns/165ns
HZM15NB2TL-E	0,1600	Richiesta di offerta	28	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,18%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200 mW	3-MPAK	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM15NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																									2 µA a 11 V													14,66 V	40 Ohm
RD30P(2)-T1-AZ	0,3600	Richiesta di offerta	21	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±6,67%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				1 W		scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD30P(2)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																									10 µA a 23 V													30 V	80 Ohm
HZM12NB1TL-E	0,1500	Richiesta di offerta	6	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,06%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200 mW	3-MPAK	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM12NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																									2 µA a 9 V													11,66 V	35 Ohm
HAT1093C-EL-E	0,2500	Richiesta di offerta	30	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti			MOSFET (ossido di metallo)		6-CMFPAK	scaricamento	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-HAT1093C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1			Canale P			12 V	3A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	54 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	1,2 V a 1 mA	11 nC a 4,5 V	±8 V	940 pF a 10 V	-	900 mW (Ta)
UPA1727G-E1-AT	1.5400	Richiesta di offerta	5	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-UPA1727G-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN			60 V	10A (Ta)	4 V, 10 V	19 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	45 nC a 10 V	±20 V	2400 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
CR04AM-12-TB#F00	0,4700	Richiesta di offerta	22	Renesas	*	Massa	Attivo										-		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-CR04AM-12-TB#F00-1833			1
RD16ES-T1	-	Richiesta di offerta	1233	Renesas	-	Massa	Obsoleto										-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-RD16ES-T1-1833			1
UPA2752GR-E2-A	1.3000	Richiesta di offerta	2	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	UPA2752		MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta)	8-SOP	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-UPA2752GR-E2-A	EAR99	8541.21.0095	1	2 canali N (doppio)					30 V	8A (Tc)		23 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	10nC a 10V		480 pF a 10 V	-
NP88N04NUG-S18-AY	2.6800	Richiesta di offerta	1	Renesas	-	Massa	Obsoleto		175°C	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-NP88N04NUG-S18-AY	EAR99	8541.21.0095	1			CanaleN			40 V	88A(Tc)	10 V	3,4 mOhm a 44 A, 10 V	4 V a 250 µA	250 nC a 10 V	±20 V	15.000 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 200 W (Tc)
RJH1BF7RDPQ-80#T2	6.2300	Richiesta di offerta	6	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		250 W	TO-247	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RJH1BF7RDPQ-80#T2	EAR99	8541.29.0095	1				-																									-	1100 V	60A	100A	2,35 V a 15 V, 60 A	-		-
RD16P(2)-T1-AZ	0,3800	Richiesta di offerta	15	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±5,63%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				1 W		-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD16P(2)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	785																									10 µA a 12 V													16 V	40 Ohm
HZU6.2B2JTRF-E	0,0700	Richiesta di offerta	84	Renesas	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-HZU6.2B2JTRF-E-1833			1
2SA1226(0)-T1B-A	-	Richiesta di offerta	5482	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200 mW	SC-59	-				2156-2SA1226(0)-T1B-A			1					-																									40 V	30mA									PNP		40 a 1 mA, 10 V	400 MHz	3,5 dB a 1 MHz
HZM8.2NB2TR-E	0,1500	Richiesta di offerta	21	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,08%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200 mW	3-MPAK	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM8.2NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																									2 µA a 5 V													8,19 V	30 Ohm
RD3.0UM-T1-AT	-	Richiesta di offerta	2708	Renesas	-	Massa	Obsoleto										-				2156-RD3.0UM-T1-AT			1
RD6.2E-AZ	0,0600	Richiesta di offerta	139	Renesas	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-RD6.2E-AZ-1833			1
NP60N04ILF-E1-AZ	1.9300	Richiesta di offerta	2	Renesas	-	Massa	Obsoleto		175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3Z)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-NP60N04ILF-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN			40 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	3900 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta), 100 W (Tc)
HSU83WTRF-E	-	Richiesta di offerta	5254	Renesas	-	Massa	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-76A			Standard		2-URP	-				2156-HSU83WTRF-E			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																				250 V	1,2 V a 100 mA	100 n	100 µA a 300 V	150°C	100mA	3pF @ 0V, 1MHz
2SC945A-TA	-	Richiesta di offerta	2159	Renesas	*	Massa	Obsoleto										-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-2SC945A-TA-1833			1
2SK3431-AZ	2.8600	Richiesta di offerta	554	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK3431-AZ	EAR99	8541.29.0095	105			CanaleN			40 V	83A(Tc)	4 V, 10 V	5,6 mOhm a 42 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	110 nC a 10 V	±20 V	6100 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 100 W (Tc)
RJJ0621DPP-E0#T2	1.9200	Richiesta di offerta	650	Renesas	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RJJ0621DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1			Canale P			60 V	25A (Tc)	4,5 V, 10 V	56 mOhm a 12,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA		+10 V, -20 V	1550 pF a 10 V	-	35 W (Tc)
RD39P-T2-AZ	-	Richiesta di offerta	5446	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±5,13%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				1 W		-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD39P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																									10 µA a 30 V													39 V	130 Ohm
RD18P-T1-AY	0,3600	Richiesta di offerta	3	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±6,39%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				1 W		scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD18P-T1-AY	EAR99	8541.10.0050	1																									10 µA a 13 V													18 V	45 Ohm