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Prodotti a semiconduttore discreti(447)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
HSC119JTRF-E	0,1000	Richiesta di offerta	80	Renesas	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-HSC119JTRF-E-1833			1
RD3.0P-T2-AZ	0,6800	Richiesta di offerta	15	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD3.0P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0080	1
2SK1954-Z-E1-AZ	-	Richiesta di offerta	3177	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		MP-3Z	-				2156-2SK1954-Z-E1-AZ			1		CanaleN		180 V	4A (Ta)	10 V	650 mOhm a 2 A, 10 V	4 V a 1 mA	10 nC a 10 V	±20 V	300 pF a 10 V	-	1W (Ta), 20W (Tc)
HAT2218R0T-EL-E	0,7600	Richiesta di offerta	15	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HAT2218R0T-EL-E	EAR99	8541.29.0075	1
2SK3430-Z-E2-AZ	-	Richiesta di offerta	2663	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263, TO-220SMD	-				2156-2SK3430-Z-E2-AZ			1		CanaleN		40 V	80A (Tc)	4 V, 10 V	7,3 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	50 nC a 10 V	±20 V	2800 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 84 W (Tc)
2SK2054-T1-AZ	0,8300	Richiesta di offerta	14	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-243AA		MOSFET (ossido di metallo)		MP-2	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK2054-T1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN		60 V	3A (Ta)	4 V, 10 V	200 mOhm a 1,5 A, 10 V	2 V a 1 mA		±20 V	530 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
2SA1836-T1-A	0,0900	Richiesta di offerta	42	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416			200 mW	SC-75	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-2SA1836-T1-A	EAR99	8541.29.0095	1																						50 V	100 mA	100nA (ICBO)			PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	90 a 1 mA, 6 V	180 MHz
RD5.1SL-T1-AT	-	Richiesta di offerta	4888	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-				2156-RD5.1SL-T1-AT			1
UPA1770G-E1-A	1.6800	Richiesta di offerta	2	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	UPA1770	MOSFET (ossido di metallo)	750 mW(Ta)	8-SOP	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-UPA1770G-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			20 V	6A (Ta)		37 mOhm a 3 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	11nC a 4,5 V		1300 pF a 10 V	-
HZM7.5NB3TR-E	0,1600	Richiesta di offerta	48	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,08%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM7.5NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																					2 µA a 4 V				7,68 V	30 Ohm
2SK3455B-S17-AY	3.3600	Richiesta di offerta	1	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220 (MP-45F)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK3455B-S17-AY	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	600 mOhm a 6 A, 10 V	3,5 V a 1 mA	30 nC a 10 V	±30 V	1800 pF a 10 V	-	2 W (Ta), 50 W (Tc)
RQA0004LXAQS#H1	-	Richiesta di offerta	8694	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-243AA		MOSFET (ossido di metallo)		UPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RQA0004LXAQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		16 V	300mA (Ta)	-	-	900 mV a 1 mA		±5 V	10 pF a 0 V	-	3 W (Ta)
HZU30B90TRF-E	0,0700	Richiesta di offerta	96	Renesas	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-HZU30B90TRF-E-1833			1
RJK6035DPP-E3#T2	-	Richiesta di offerta	5414	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-				2156-RJK6035DPP-E3#T2			1
2SK3435-Z-AZ	-	Richiesta di offerta	6748	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263, TO-220SMD	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK3435-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	75		CanaleN		60 V	80A (Tc)	10 V	14 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	60 nC a 10 V	±20 V	3200 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 84 W (Tc)
NP80N04KHE-E1-AZ	1.6500	Richiesta di offerta	800	Renesas	-	Massa	Obsoleto		175°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-3	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-NP80N04KHE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN		40 V	80A (Tc)	10 V	8 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	3300 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 120 W (Tc)
HZM10NB2TR-E	0,0900	Richiesta di offerta	51	Renesas	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-HZM10NB2TR-E-1833			1
HAT1089C-EL-E	-	Richiesta di offerta	9103	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti		MOSFET (ossido di metallo)		6-CMFPAK	-				2156-HAT1089C-EL-E			1		Canale P		20 V	2A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	103 mOhm a 1 A, 4,5 V	1,4 V a 1 mA	4,5 nC a 4,5 V	±12V	365 pF a 10 V	-	850 mW(Ta)
HZM6.8NB2TL-E	0,1500	Richiesta di offerta	10	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,06%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM6.8NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																					2 µA a 3,5 V				6,79 V	30 Ohm
UPA1759G-E1-A	0,5300	Richiesta di offerta	5	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-PowerSOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		MOSFET (ossido di metallo)		8-PowerSOP	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-UPA1759G-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		60 V	5A (Tc)	4 V, 10 V	150 mOhm a 2,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	8 nC a 10 V	±20 V	190 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
2SK3402-AZ	1.3800	Richiesta di offerta	2	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3Z)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK3402-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN		60 V	36A(Tc)	4 V, 10 V	15 mOhm a 18 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	61 nC a 10 V	±20 V	3200 pF a 10 V	-	1 W (Ta), 40 W (Tc)
HZM3.0NB2TR-E	0,1600	Richiesta di offerta	54	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±4,06%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM3.0NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																					50 µA a 1 V				3,08 V	120 Ohm
HR1F3P(0)-T1-AZ	0,4600	Richiesta di offerta	25	Renesas	-	Massa	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-243AA	HR1F3P		2 W	SC-62	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HR1F3P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																						60 V	1A	100 nA			PNP - Pre-polarizzato	350mV a 10mA, 500mA	100 a 500 mA, 2 V		2 kOhm	10 kOhm
2SA952-TA	0,2400	Richiesta di offerta	1	Renesas	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-2SA952-TA-1833			1
HAT1091C-EL-E	0,2500	Richiesta di offerta	21	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti		MOSFET (ossido di metallo)		6-CMFPAK	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-HAT1091C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		20 V	1,5A(Ta)	2,5 V, 4 V	175 mOhm a 800 mA, 4,5 V	1,4 V a 1 mA	2,6 nC a 4,5 V	±12V	200 pF a 10 V	-	830 mW (Ta)
RD47FM-T1-AY	-	Richiesta di offerta	4251	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-				2156-RD47FM-T1-AY			1
HZM15NB3TL-E	-	Richiesta di offerta	2581	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,21%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM15NB3TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																					2 µA a 11 V				15:19 V	40 Ohm
2SA812B-T1B-AT	0,0700	Richiesta di offerta	201	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MINISTAMPO	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SA812B-T1B-AT	EAR99	8541.21.0075	1																						50 V	100 mA	100nA (ICBO)			PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	90 a 1 mA, 6 V	180 MHz
2P6M-AZ	-	Richiesta di offerta	6154	Renesas	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-202 Scheda lunga				TO-202	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2P6M-AZ	EAR99	8541.30.0080	1			3 mA											600 V	800 mV	20A a 60Hz	200 µA	2,2 V	100 µA	Cancello sensibile
2SK1581-T1B-A	0,1600	Richiesta di offerta	5	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SC-59	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK1581-T1B-A	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN		16 V	200mA (Ta)	2,5 V, 4 V	5 Ohm a 1 mA, 4 V	1,6 V a 10 µA		±16V	27 pF a 3 V	-	200mW (Ta)