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Prodotti a semiconduttore discreti(447)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
RD27P-T1-AZ	0,4000	Richiesta di offerta	13	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±7,04%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			1 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	2156-RD27P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1													10 µA a 21 V				27 V	80 Ohm
RD2.4E-T1-AZ	-	Richiesta di offerta	9732	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±3,91%	175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-RD2.4E-T1-AZ-1833			1													120 µA a 1 V				2,43 V	100 ohm
HS54095TZ-E	0,7900	Richiesta di offerta	7	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET (ossido di metallo)		TO-92	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-HS54095TZ-E	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	600 V	200mA (Ta)	10 V	16,5 Ohm a 100 mA, 10 V	5 V a 1 mA	4,8 nC a 10 V	±30 V	66 pF a 25 V	-	750 mW(Ta)
RD4.7P-T1-AZ	0,2600	Richiesta di offerta	12	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±5,32%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			1 W		-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD4.7P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1													20 µA a 1 V				4,7 V	80 Ohm
HVD396CKRF-E	0,0900	Richiesta di offerta	144	Renesas	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-HVD396CKRF-E-1833			1
NP90N04VUG-E1-AY	-	Richiesta di offerta	8968	Renesas	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3ZP)	-				2156-NP90N04VUG-E1-AY			1		CanaleN	40 V	90A (Tc)	10 V	4 mOhm a 45 A, 10 V	4 V a 250 µA	135 nC a 10 V	±20 V	7500 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta), 105 W (Tc)
HZM5.6NB1TL-E	0,1600	Richiesta di offerta	12	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,21%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM5.6NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1.888													5 µA a 2,5 V				5,43 V	80 Ohm
RD2.0P-T1-AZ	0,8100	Richiesta di offerta	50	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD2.0P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0080	1
RQM2201DNS#P0	1.1800	Richiesta di offerta	32	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	RQM2201	MOSFET (ossido di metallo)	1,5 W(Ta)	6-HWSON (3x3)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RQM2201DNS#P0	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)		60 V	2A (Ta)		225 mOhm a 1 A, 4,5 V	1,4 V a 1 mA	2,4 nC a 4,5 V		200 pF a 10 V	-
RD2.7M(3)-T1B-A	1.0000	Richiesta di offerta	8651	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD2.7M(3)-T1B-A	EAR99	8541.10.0050	1
2SK3366-AZ	-	Richiesta di offerta	5372	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA		MOSFET (ossido di metallo)		MP-3	-				2156-2SK3366-AZ			1		CanaleN	30 V	20A (Ta)	10 V	21 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	15 nC a 10 V	±20 V	730 pF a 10 V	-	1 W (Ta), 30 W (Tc)
2SK3353-AZ	3.4500	Richiesta di offerta	3	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK3353-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	60 V	82A(Tc)	4 V, 10 V	9,5 mOhm a 41 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	90 nC a 10 V	±20 V	4650 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 95 W (Tc)
2SK4092-S35-A	2.8400	Richiesta di offerta	5	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P (MP-88)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK4092-S35-A	EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN	600 V	21A(Tc)	10 V	400 mOhm a 10 A, 10 V	3,5 V a 1 mA	50 nC a 10 V	±30 V	3240 pF a 10 V	-	3 W (Ta), 200 W (Tc)
UPA1981TE-T1-A	0,2400	Richiesta di offerta	27	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	SC-95	UPA1981	MOSFET (ossido di metallo)	1 W (Ta)	SC-95	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-UPA1981TE-T1-A	EAR99	8542.39.0001	1	Canali N e P		8 V	2,8A(Ta)		70 mOhm a 2,8 A, 5 V, 105 mOhm a 1,9 A, 2,5 V	200 mV a 2,8 A, 200 mV a 1,9 A	-		-	-
2SK1168-E	-	Richiesta di offerta	9196	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-				2156-2SK1168-E			1
UPA1770G-E1-AT	-	Richiesta di offerta	3730	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-PowerSOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		MOSFET (ossido di metallo)	750 mW(Ta)	8-PowerSOP	-				2156-UPA1770G-E1-AT			1	2 canali N		20 V	6A (Ta)		37 mOhm a 3 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	11nC a 4,5 V		1300 pF a 10 V	Standard
RJL5014DPP-E0#T2	5.7400	Richiesta di offerta	2	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-RJL5014DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	500 V	19A (Ta)	10 V	400 mOhm a 9,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	43 nC a 10 V	±30 V	1700 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
2SB736-D-T1-A	-	Richiesta di offerta	3910	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-				2156-2SB736-D-T1-A			1
2SC4942-T1-AZ	1.2500	Richiesta di offerta	6	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			2 W	MP-2	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SC4942-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1														600 V	1A	10μA (ICBO)			NPN	1 V a 80 mA, 400 mA	30 a 100 mA, 5 V	30 MHz
2SK3482-Z-E2-AZ	-	Richiesta di offerta	7930	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3Z)	-				2156-2SK3482-Z-E2-AZ			1		CanaleN	100 V	36A	4,5 V, 10 V	33 mOhm a 18 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	72 nC a 10 V	±20 V	3600 pF a 10 V	-	1 W
2SK1591W-T1B-A	-	Richiesta di offerta	3764	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-				2156-2SK1591W-T1B-A			1
HZU18B2JTRF-E	0,1300	Richiesta di offerta	141	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,2%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76A			200 mW	2-URP	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZU18B2JTRF-E	EAR99	8541.10.0050	2.308													2 µA a 13 V				17,96 V	45 Ohm
RD3.0ES	-	Richiesta di offerta	3711	Renesas	-	Massa	Obsoleto	-	175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AG, DO-34, assiale			400 mW	DO-34	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-RD3.0ES-1833			1
RD7.5P-T2-AZ	0,3600	Richiesta di offerta	36	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±6%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			1 W	SOT-89	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-RD7.5P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1													20 µA a 4 V				7,5 V	15 Ohm
HZM12NB3TR-E	0,1600	Richiesta di offerta	3	Renesas	-	Massa	Obsoleto	±2,11%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-HZM12NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1													2 µA a 9 V				12,34 V	35 Ohm
2SJ461-T1B-A	-	Richiesta di offerta	9937	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-				2156-2SJ461-T1B-A			1
HAT1108C-EL-E	-	Richiesta di offerta	8371	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti		MOSFET (ossido di metallo)		6-CMFPAK	-				2156-HAT1108C-EL-E			1		Canale P	30 V	1,5A(Ta)	4,5 V	194 mOhm a 750 mA, 10 V	2 V a 1 mA	3 nC a 10 V	±20 V	160 pF a 10 V	-	830 mW (Ta)
2SK3755-AZ	-	Richiesta di offerta	1934	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Foro passante	Scheda isolata TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		MP-45F	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK3755-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	40 V	45A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 23 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	25,5 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 10 V	-	2 W (Ta), 24 W (Tc)
2SK3402-ZK-E1-AY	1.3800	Richiesta di offerta	17	Renesas	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3Z)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-2SK3402-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN	60 V	36A(Tc)	4 V, 10 V	15 mOhm a 18 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	61 nC a 10 V	±20 V	3200 pF a 10 V	-	1 W (Ta), 40 W (Tc)
2SJ179-T2-AZ	-	Richiesta di offerta	5513	Renesas	-	Massa	Obsoleto									-				2156-2SJ179-T2-AZ			1

2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq²
Magazzino in stock

Prodotti a semiconduttore discreti(447)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 mq2

15.000 mq²