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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BUK7Y35-55B,115	-	Richiesta di offerta	3478	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK7		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN					55 V	28,43A (Tc)	10 V	35 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 1 mA	13,1 nC a 10 V	±20 V	781 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
BAT720/DG/B2.215	0,0700	Richiesta di offerta	174	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000
BF821.235	-	Richiesta di offerta	2015	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.21.0095	3.900																				300 V	50 mA		10nA (ICBO)			PNP	800 mV a 5 mA, 30 mA	50 a 25 mA, 20 V	60 MHz
MRF8S9170NR3.528	-	Richiesta di offerta	8738	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						MRF8S9170		-			scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1															-
MRF6S24140HR3	-	Richiesta di offerta	9535	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	2,39GHz	LDMOS		NI-880H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250			-	1,3 A	28 W	15,2dB											-					28 V
PUMH9.115	-	Richiesta di offerta	3479	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PUMH9					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
PZU18B2.115	0,0400	Richiesta di offerta	226	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PZU18					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
NZX6V8A,133	0,0200	Richiesta di offerta	6782	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						NZX6					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
NZX6V8D,133	0,0200	Richiesta di offerta	98	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						NZX6					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
PEMD19.115	-	Richiesta di offerta	3142	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PEMD1					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000
BZX84-B12.215	-	Richiesta di offerta	2927	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX84					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BZX84-C22.235	0,0200	Richiesta di offerta	20	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	15.000																		900 mV a 10 mA	50 nA a 15,4 V					22 V	55 Ohm
BF510.215	-	Richiesta di offerta	6610	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		20 V		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BF510	100 MHz	JFET		SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN		30mA	5 mA	-	-											1,5dB					10 V
PMBT5551,215	-	Richiesta di offerta	6613	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMBT5					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
NZX20A,133	0,0200	Richiesta di offerta	108	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	ALF2	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V a 200 mA	50 nA a 14 V					20 V	60 Ohm
MRF9045GNR1	-	Richiesta di offerta	2257	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	TO-270BA	MRF90	-	LDMOS		TO-270-2 GABBIANO	-	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		5A991G	8541.21.0075	500			-		-	-											-
BCW66F215	1.0000	Richiesta di offerta	9065	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento						0000.00.0000	1
PDTA123TM315	0,0300	Richiesta di offerta	10	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	10.000
NZX22C,133	-	Richiesta di offerta	8546	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						NZX2					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BZV85-C15.133	-	Richiesta di offerta	9859	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZV85					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000
PDZ7.5B/ZLX	-	Richiesta di offerta	9976	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo						PDZ7.5					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934068944115	EAR99	8541.10.0050	3.000
A2I20H060NR1	25.9164	Richiesta di offerta	4916	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		65 V		Montaggio superficiale	Variante TO-270-15, conduttori piatti	A2I20	1,84GHz	LDMOS		TO-270WB-15	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935318716528	EAR99	8542.33.0001	500	Doppio		-	24 mA	12 W	28,9dB											-					28 V
BZV49-C7V5115	-	Richiesta di offerta	7385	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1.000
BZX84-C5V6/CH,235	-	Richiesta di offerta	8864	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
PZU3.0BA115	-	Richiesta di offerta	5938	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
BZX84-C47,235	0,0200	Richiesta di offerta	70	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																		900 mV a 10 mA	50 nA a 32,9 V					47 V	170 Ohm
BSH207.135	0,2900	Richiesta di offerta	50	NXP USA Inc.	-	Massa	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457			MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.21.0095	10.000		Canale P					12 V	1,52A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	120 mOhm a 1 A, 4,5 V	600 mV a 1 mA (tip.)	8,8 nC a 4,5 V	±8 V	500 pF a 9,6 V	-	417 mW (Ta)
BUK9880-55A,115	-	Richiesta di offerta	8639	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BUK98		MOSFET (ossido di metallo)		SC-73	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					55 V	7A(Tc)	4,5 V, 10 V	73 mOhm a 8 A, 10 V	2 V a 1 mA	11 nC a 5 V	±15 V	584 pF a 25 V	-	8 W (Tc)
PZM6.2NB2A,115	-	Richiesta di offerta	1885	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM6.2			220 mW	SMT3; MPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,1 V a 100 mA	2 µA a 3 V					6,2 V	10 Ohm
PMBT4403/MIGR	-	Richiesta di offerta	4754	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo						PMBT4403					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934068469215	EAR99	8541.29.0095	3.000