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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PHPT60415PY115	-	Richiesta di offerta	8563	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
PHPT60603PY115	1.0000	Richiesta di offerta	4635	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
BZX884-C24,315	0,0300	Richiesta di offerta	107	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX884					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
PDTA144TT,215	0,0200	Richiesta di offerta	102	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PDTA14					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
NX2301P215	-	Richiesta di offerta	7829	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento						0000.00.0000	1
MRF7S38040HR3	-	Richiesta di offerta	4128	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-400-240	MRF7	3,4GHz~3,6GHz	LDMOS		NI-400-240	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250				-	450 mA	8W	14dB											-										30 V
MMRF1018NBR1	-	Richiesta di offerta	7181	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		120 V		Montaggio su telaio	TO-272BB	MMRF1	860 MHz	LDMOS		TO-272 WB-4	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935324763528	EAR99	8541.29.0075	500				-	350 mA	18 W	22dB											-										50 V
BZX884-B27315	0,0300	Richiesta di offerta	50	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
A3G26D055N-2110	675.0000	Richiesta di offerta	3	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo		125 V		Montaggio superficiale	6-LDFN Tampone esposto		100 MHz ~ 2,69 GHz	GaN		6-PDFN (7x6,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	568-A3G26D055N-2110	EAR99	8541.29.0075	1				-	40 mA	8W	13,9dB											-										48 V
PMEG060V050EPD146	-	Richiesta di offerta	4693	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	1.500
BUK7611-55A,118	0,5700	Richiesta di offerta	6	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	523			CanaleN					55 V	75A (Tc)	10 V	11 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	3093 pF a 25 V	-	166 W(Tc)
BAV70QA147	0,0300	Richiesta di offerta	185	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto	BAV70		Standard		DFN1010D-3	scaricamento					EAR99	8541.10.0070	1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																	1 paio di catodo comune	100 V	175 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4 ns	500 nA a 80 V	150°C (massimo)
BC847AW	-	Richiesta di offerta	4678	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento						0000.00.0000	1																										45 V	100 mA		15nA (ICBO)			NPN	600mV a 5mA, 100mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BZX84-C5V6/DG/B3235	0,0200	Richiesta di offerta	174	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	10.000
PHP225,118-NXP	-	Richiesta di offerta	8469	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PHP225		-			-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																-
PZU3.0B1A,115	0,0300	Richiesta di offerta	10	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323				320 mW	SOD-323	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	10.000																						1,1 V a 100 mA		10 µA a 1 V						3 V	95 Ohm
BZX884-C43,315	0,0300	Richiesta di offerta	59	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX884					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BZX84-C6V8215	-	Richiesta di offerta	4434	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
PH5330E,115	-	Richiesta di offerta	3158	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PH53		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500			CanaleN					30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,7 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	21 nC a 5 V	±20 V	2010 pF a 10 V	-	62,5 W(Tc)
MRF7S38075HR3	-	Richiesta di offerta	3953	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF7	3,4GHz~3,6GHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250				-	900 mA	12 W	14dB											-										30 V
AFT18S260W31SR3	-	Richiesta di offerta	8987	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-780S-2L2LA	AFT18	1,88GHz	LDMOS		NI-780S-2L2LA	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935322334128	EAR99	8541.29.0075	250				-	1,8 A	50 W	19,6dB											-										28 V
BCW61C,215	0,0300	Richiesta di offerta	12	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BCW61					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
BZX79-C9V1,133	-	Richiesta di offerta	9601	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX79					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BZV55-C20,115	0,0200	Richiesta di offerta	270	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZV55					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500
MRF8S21100HSR3	-	Richiesta di offerta	6554	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-780S	MRF8	2,17GHz	LDMOS		NI-780S	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		5A991G	8541.29.0095	250				-	700mA	24W	18,3dB											-										28 V
BF1108R,235	-	Richiesta di offerta	9259	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		3 V		Montaggio superficiale	SOT-143R	BF110	-	MOSFET		SOT-143R	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934055641235	OBSOLETO	0000.00.0000	10.000	CanaleN			10mA		-	-											-
MRFE6VP5150NR1	37.5700	Richiesta di offerta	1508	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		133 V		Montaggio superficiale	TO-270AB	MRFE6	230 MHz	LDMOS		TO-270WB-4	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		5A991G	8541.29.0040	500	Doppio			-	100 mA	150 W	26,1dB											-										50 V
NZX3V9C133	0,0200	Richiesta di offerta	4453	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	3.484
MRF6S18060NR1	-	Richiesta di offerta	6154	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio superficiale	TO-270AB	MRF6	1,99GHz	LDMOS		TO-270WB-4	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500				-	600 mA	60 W	15dB											-										26 V
BZX284-B3V3,115	-	Richiesta di offerta	7244	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-110	BZX284			400 mW	SOD-110	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																						1,1 V a 100 mA		5 µA a 1 V						3,3 V	95 Ohm