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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
BTA216X-600D,127	0,5900	Richiesta di offerta	1	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BTA21					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1.000
PDTC114YMB315	-	Richiesta di offerta	8639	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1
BC847CW/DG/B2115	0,0200	Richiesta di offerta	121	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000																												45 V	100 mA				15nA (ICBO)			NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BAV23.235	0,0400	Richiesta di offerta	28	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BAV2					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	10.000
NZX12C,133	-	Richiesta di offerta	1580	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	ALF2	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																									1,5 V a 200 mA	100 nA a 8 V								12 V	35 Ohm
A5G26S004NT6	11.3685	Richiesta di offerta	1864	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo											-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	5.000
BB179.315	-	Richiesta di offerta	6206	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	BB17				SOD-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934050200315	EAR99	8541.10.0070	8.000																											2.225 pF a 28 V, 1 MHz				Separare	30 V								10.9	C1/C28	-
PBLS6003D,115	-	Richiesta di offerta	4404	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBLS60					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
MRFX1K80GNR5	219.8700	Richiesta di offerta	30	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio su telaio	OM-1230G-4L	MRFX1	1,8 MHz ~ 470 MHz	LDMOS		OM-1230G-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50			-			1800 W	24dB																	-						65 V
MPS3906,126	-	Richiesta di offerta	8438	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	MPS39			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.000																												40 V	100 mA				50nA (ICBO)			PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	150 MHz
BUK7905-40AI127	-	Richiesta di offerta	5932	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-5			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-5	-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						40 V	75A (Tc)	10 V	5 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 1 mA	127 nC a 10 V	±20 V	5000 pF a 25 V	Rilevamento corrente	272 W(Tc)
2PB709AQ,115	-	Richiesta di offerta	2353	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PB70			250 mW	SMT3; MPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																												45 V	100 mA				10nA (ICBO)			PNP	500mV a 10mA, 100mA	160 a 2 mA, 10 V	60 MHz
NX2020P1X	-	Richiesta di offerta	1321	NXP USA Inc.	*	Massa	Obsoleto						NX20					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1
BUK6507-55C,127	-	Richiesta di offerta	6548	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK65		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						55 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 25 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	82 nC a 10 V	±16V	5160 pF a 25 V	-	158 W(Tc)
PBSS4021SP,115	0,4200	Richiesta di offerta	4	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBSS4					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000
PZU5.6B3.115	0,0400	Richiesta di offerta	35	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PZU5.6					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BZX84-C13/LF1VL	-	Richiesta di offerta	3321	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C13			250 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069419235	EAR99	8541.10.0050	3.000																									900 mV a 10 mA	100 nA a 8 V								13 V	30 Ohm
PHD21N06LT,118	-	Richiesta di offerta	7920	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PHD21		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						55 V	19A(Tc)	5 V, 10 V	70 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 1 mA	9,4 nC a 5 V	±15 V	650 pF a 25 V	-	56 W (Tc)
MRF5S9070NR1	-	Richiesta di offerta	3445	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio superficiale	TO-270AA	MRF5	880 MHz	LDMOS		TO-270-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500			-		600 mA	14 W	17,8dB																	-						26 V
PBSS4220V,115	0,0500	Richiesta di offerta	42	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666				900 mW	SOT-666	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																												20 V	2A				100 nA			NPN	350 mV a 200 mA, 2 A	200 a 1 A, 2 V	210 MHz
BZX284-B27.115	-	Richiesta di offerta	9053	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-110	BZX284			400 mW	SOD-110	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																									1,1 V a 100 mA	50 nA a 18,9 V								27 V	40 Ohm
NX6020NBKS115	0,0900	Richiesta di offerta	162	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
PH5030ALS,115	-	Richiesta di offerta	5660	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						PH50					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934065185115	EAR99	8541.29.0095	1.500
A3T23H300W23SR6	93.2663	Richiesta di offerta	6950	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo						A3T23					scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	150
PBSS5240Y,115	0,0700	Richiesta di offerta	37	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBSS5					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
BUK769R6-80E,118	-	Richiesta di offerta	9578	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						80 V	75A (Tc)	10 V	9,6 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 1 mA	59,8 nC a 10 V	±20 V	4682 pF a 25 V	-	182 W(Tc)
BZX79-B6V8,133	0,0200	Richiesta di offerta	109	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX79					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
MRF8S19140HSR3	-	Richiesta di offerta	9042	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-780S	MRF8	1,96GHz	LDMOS		NI-780S	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	935314248128	EAR99	8541.29.0075	250			-		1,1 A	34W	19,1dB																	-						28 V
BTA2008W-600D,135	0,1800	Richiesta di offerta	15	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA					SOT-223	scaricamento					EAR99	8541.30.0080	1.708	Separare			10 mA														Logica - Cancello sensibile	600 V	800 mA	2 V	9A, 9,9A	5 mA
PBSS5330X,135	1.0000	Richiesta di offerta	9808	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				1,6 W	SOT-89	scaricamento					EAR99	8541.29.0075	1																												30 V	3A				100nA (ICBO)			PNP	320 mV a 300 mA, 3 A	175 a 1 A, 2 V	100 MHz