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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
PRLL4001,115	-	Richiesta di offerta	9868	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SOD-87	PRLL40		Standard		MELF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	2.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																								50 V	1,1 V a 1 A	10 µA a 50 V	-65°C ~ 175°C	-	-
PDTA124EK,115	-	Richiesta di offerta	8915	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA124			250 mW	SMT3; MPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	9.000																																50 V	100 mA		1μA			PNP - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	60 a 5 mA, 5 V		22 kOhm	22 kOhm
BFU580GX	0,8300	Richiesta di offerta	999	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BFU580			1 W	SC-73	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1.000								10,5dB																								12V	60mA					NPN		60 a 30 mA, 8 V	11GHz			1,4 dB a 1,8 GHz
BUK7C10-75AITE,118	-	Richiesta di offerta	6965	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BUK7					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	800
2PC1815GR,412	-	Richiesta di offerta	5581	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	2PC18			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1.000																																50 V	150 mA		100nA (ICBO)			NPN	300 mV a 10 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 6 V	80 MHz
PHB27NQ10T,118	-	Richiesta di offerta	7872	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PHB27					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	800
BZX284-C47,115	-	Richiesta di offerta	8530	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-110	BZX284			400 mW	SOD-110	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																											1,1 V a 100 mA	50 nA a 32,9 V								47 V	90 Ohm
BSP60.115	1.0000	Richiesta di offerta	9998	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				1,25 W	SOT-223	scaricamento					0000.00.0000	1																																45 V	1A		50nA			PNP-Darlington	1,3 V a 500 µA, 500 mA	2000 a 500 mA, 10 V	200 MHz
BCW61C/DG/B2215	0,0200	Richiesta di offerta	117	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0075	3.000
PSMN008-75P,127	-	Richiesta di offerta	8560	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PSMN0		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN						75 V	75A (Tc)	10 V	8,5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	122,8 nC a 10 V	±20 V	5260 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
BLF888D112	250.9600	Richiesta di offerta	122	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0075	1
BZX585-B3V9135	-	Richiesta di offerta	3475	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523				300 mW	SOD-523	-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito			1																											1,1 V a 100 mA	3 µA a 1 V								3,9 V	90 Ohm
MRF6S9160HR5	-	Richiesta di offerta	9536	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	880 MHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	50				-		1,2A	35 W	20,9dB																	-									28 V
NZX24A133	-	Richiesta di offerta	7294	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento				EAR99	8541.10.0050	1
MRFG35005MR5	-	Richiesta di offerta	3403	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		15 V		Montaggio superficiale	PLD-1.5	MRFG35	3,55GHz	pHEMT FET		PLD-1.5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	50				-		80 mA	4,5 W	11dB																	-									12 V
BC51PAS115	-	Richiesta di offerta	8256	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0075	3.000
PDTC123JE,115	-	Richiesta di offerta	9674	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	PDTC123			150 mW	SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000																																50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V		2,2 kOhm	47 kOhm
BUK7K134-100EX	-	Richiesta di offerta	1443	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK7K134		MOSFET (ossido di metallo)	32 W	LFPAK56D	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)								100 V	9,8 A		121 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 1 mA	10,5 nC a 10 V		564 pF a 25 V	-
PDTC143ZEF,115	-	Richiesta di offerta	4530	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	PDTC143			250 mW	SC-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	4.000																																50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	47 kOhm
PDTC143EEF,115	-	Richiesta di offerta	4745	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	PDTC143			250 mW	SC-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	4.000																																50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	4,7 kOhm
PDTC143ZE,115	-	Richiesta di offerta	2094	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	PDTC143			150 mW	SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000																																50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	47 kOhm
PBRP113ZT,215	0,0400	Richiesta di offerta	21	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBRP113			250 mW	SOT-23	scaricamento				EAR99	8541.21.0095	8.362																																40 V	600 mA		500nA			PNP - Prepolarizzato	750mV a 6mA, 600mA	230 a 300 mA, 5 V		1 kOhm	10 kOhm
BT134-600.127	-	Richiesta di offerta	1237	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			125°C (TJ)	Foro passante	SOT-82					SOT-82-3	scaricamento				EAR99	8541.30.0080	272	Separare				15 mA														Standard	600 V	4A	1,5 V	25A, 27A	35 mA
PEMH1.115	-	Richiesta di offerta	2295	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PEMH1					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	4.000
BUK7880-55.135	-	Richiesta di offerta	4435	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BUK78		MOSFET (ossido di metallo)		SC-73	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	4.000			CanaleN						55 V	3,5A(Ta)	10 V	80 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 1 mA		±16V	500 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta)
PDTA115EK,115	-	Richiesta di offerta	3703	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA115			250 mW	SMT3; MPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000																																50 V	20 mA		1μA			PNP - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 5 mA, 5 V		100 kOhm	100 kOhm
BZX79-C5V1.113	0,0200	Richiesta di offerta	233	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX79					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	10.000
BST72A,112	-	Richiesta di offerta	3752	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Massa	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BST7		MOSFET (ossido di metallo)		TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1.000			CanaleN						100 V	190mA(Ta)	5 V	10 Ohm a 150 mA, 5 V	3,5 V a 1 mA		20 V	40 pF a 10 V	-	830 mW (Ta)
BZT52H-C10.115	-	Richiesta di offerta	5929	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZT52					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000
NX2020P1115	0,0700	Richiesta di offerta	262	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	3.000