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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
MRF6S21140HSR3	-	Richiesta di offerta	4143	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio superficiale	NI-880S	MRF6	2,12GHz	LDMOS		NI-880S	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250			-		1,2A	30 W	15,5dB																				-						28 V
BUK752R3-40C,127	-	Richiesta di offerta	1858	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK75		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						40 V	100A (Tc)	10 V	2,3 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	175 nC a 10 V	±20 V	11323 pF a 25 V	-	333 W(Tc)
PDTD113EU115	-	Richiesta di offerta	4055	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000
BZX84J-C3V9,115	-	Richiesta di offerta	4025	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX84					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
A3T18H408W24SR3	-	Richiesta di offerta	8075	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						A3T18					scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250
BZX79-B75,113	0,0200	Richiesta di offerta	20	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																												900 mV a 10 mA	50 nA a 52,5 V								75 V	255 Ohm
MRF6VP11KHR5	-	Richiesta di offerta	1933	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		110 V		Montaggio su telaio	NI-1230S-4GW	MRF6	130 MHz	LDMOS		NI-1230S-4 GABBIANO	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50	Doppio		-		150 mA	1000 W	26dB																				-						50 V
BZX284-B33,115	-	Richiesta di offerta	7633	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-110	BZX284			400 mW	SOD-110	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																												1,1 V a 100 mA	50 nA a 23,1 V								33 V	40 Ohm
BB173LXYL	-	Richiesta di offerta	1247	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-882D	BB17				SOD882D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934067724315	EAR99	8541.10.0070	10.000																														2,75 pF a 28 V, 1 MHz				Separare	32 V											15	C1/C28	-
PDTC143EEF,115	-	Richiesta di offerta	4745	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	PDTC143			250 mW	SC-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000																															50 V	100 mA				1μA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	4,7 kOhm
PBSS5240ZF	-	Richiesta di offerta	1280	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				650 mW	SOT-223	scaricamento					EAR99	8541.29.0075	1																															40 V	2A				100 nA			PNP	650 mV a 200 mA, 2 A	300 a 1 mA, 5 V	150 MHz
PMEG3005EJ,115	0,0500	Richiesta di offerta	430	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMEG3005					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000
BZX79-C5V1,143	0,0200	Richiesta di offerta	131	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																												900 mV a 10 mA	2 µA a 2 V								5,1 V	60 Ohm
BT169D-L,112	-	Richiesta di offerta	1241	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					TO-92-3	scaricamento					EAR99	8541.30.0080	1				5 mA														400 V	800 mA	800 mV	8A, 9A	50 µA	1,7 V	500 mA	100 µA	Cancello sensibile
BUK9Y59-60E/GFX	-	Richiesta di offerta	9584	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						BUK9					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1.500
BZV55-B5V6,135	0,0200	Richiesta di offerta	60	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZV55					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
PBSS4160PAN,115	0,1300	Richiesta di offerta	22	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UFDFN	PBSS4160			510 mW	6-HUSON (2x2)	scaricamento					EAR99	8541.29.0075	2.314																															60 V	1A				100nA (ICBO)			2 NPN (doppio)	120mV a 50mA, 500mA	150 a 500 mA, 2 V	175 MHz
BFT93.215	-	Richiesta di offerta	4797	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFT93			300 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000							-																								12V	35mA							PNP		20 a 30 mA, 5 V	5GHz			2,4 dB a 500 MHz
NZX36X,133	0,0200	Richiesta di offerta	48	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						NZX3					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
PEMB20.115	-	Richiesta di offerta	4834	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PEMB20			300 mW	SOT-666	scaricamento					EAR99	8541.21.0095	3.700																															50 V	100mA				1μA			2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 20 mA, 5 V	-	2,2 kOhm	2,2 kOhm
BFU530WF	0,1023	Richiesta di offerta	2836	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BFU530			450 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934067694135	EAR99	8541.21.0075	10.000							12,5dB																								12V	40mA							NPN		60 a 10 mA, 8 V	11GHz			1,1 dB a 1,8 GHz
PMP4201G135	-	Richiesta di offerta	8521	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	PMP4201			300 mW	5-TSSOP	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	10.000																															45 V	100mA				15nA (ICBO)			2 coppie abbinate NPN (doppia), emettitore comune	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
PSMN130-200D,118	-	Richiesta di offerta	4010	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PSMN1					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500
BC638.126	-	Richiesta di offerta	8083	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BC63			830 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.000																															60 V	1A				100nA (ICBO)			PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	100 MHz
PDTA123YS,126	-	Richiesta di offerta	8548	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto				Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PDTA123			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																															50 V	100 mA				1μA			PNP - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	35 a 5 mA, 5 V		2,2 kOhm	10 kOhm
MRF6S9160HR5	-	Richiesta di offerta	9536	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	880 MHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50			-		1,2A	35 W	20,9dB																				-						28 V
PDZ15B/S911115	0,0200	Richiesta di offerta	15	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	15.000
MRF8P20165WHSR3	-	Richiesta di offerta	6590	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-780S-4L	MRF8	1,98GHz~2,01GHz	LDMOS		NI-780S-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935314475128	EAR99	8541.29.0075	250	Doppio		-		550mA	37 W	14,8dB																				-						28 V
PH3830L,115	-	Richiesta di offerta	2751	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PH38		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN						30 V	98A (Tc)	5 V, 10 V	3,8 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	33 nC a 5 V	±20 V	3190 pF a 10 V	-	62,5 W(Tc)
PSMN5R0-100ES	-	Richiesta di offerta	5915	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PSMN5R0		-			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1																-