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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
PBSS4420D,115	-	Richiesta di offerta	4950	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBSS4					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
BC817-25W,115	0,0200	Richiesta di offerta	4296	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BC817					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
BZX884-B3V0,315	1.0000	Richiesta di offerta	8176	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882				250 mW	DFN1006-2	scaricamento						0000.00.0000	1																																	900 mV a 10 mA		10 µA a 1 V						3 V	95 Ohm
PBSS5260QA147	0,0700	Richiesta di offerta	280	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	4.480
BFU550XR215	1.0000	Richiesta di offerta	5363	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000
MRF6VP21KHR5	883.3100	Richiesta di offerta	3	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		110 V		Montaggio su telaio	NI-1230	MRF6	225 MHz	LDMOS		NI-1230	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50	Doppio			-		150 mA	1000 W	24dB																					-										50 V
BFU730F,115	0,6700	Richiesta di offerta	89	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-343F	BFU730			197 mW	4-DFP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000								-																													2,8 V	30mA					NPN		205 a 2 mA, 2 V	55GHz		0,8 dB ~ 1,3 dB a 5,8 GHz ~ 12 GHz
1N4739A,133	0,0400	Richiesta di offerta	27	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1 W	DO-41	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	7.969																																	1,2 V a 200 mA		10 µA a 7 V						9,1 V	5 Ohm
PHP110NQ08LT,127	-	Richiesta di offerta	5437	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PHP11		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN						75 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	127,3 nC a 10 V	±20 V	6631 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
PDTD113EQA147	-	Richiesta di offerta	1306	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	5.000
BFR505215	0,1600	Richiesta di offerta	14	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000
2PD602AQ,115	-	Richiesta di offerta	2050	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PD60			250 mW	SMT3; MPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	12.000																																					50 V	500 mA		10nA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	85 a 150 mA, 10 V	140 MHz
BCX56-16115	1.0000	Richiesta di offerta	7300	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				500 mW	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1																																					80 V	1A		100nA (ICBO)			NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	180 MHz
PMEM1505NG,115	-	Richiesta di offerta	8981	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			125°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	PMEM1			300 mW	5-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																																					15 V	500 mA		100nA (ICBO)			NPN + diodo (isolato)	250mV a 50mA, 500mA	150 a 100 mA, 2 V	420 MHz
BT131-600.116	0,1200	Richiesta di offerta	7	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			125°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead					TO-92-3	scaricamento					EAR99	8541.30.0080	2.404	Separare				5 mA														Logica - Cancello sensibile	600 V	1A	1,5 V	12,5 A, 13,8 A	3 mA
BAS28.235	0,0400	Richiesta di offerta	746	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA	BAS28		Standard		SOT-143B	scaricamento					EAR99	8541.10.0070	7.713		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																												2 Indipendente	75 V	215 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4nn	1 µA a 75 V	150°C (massimo)
PHB21N06LT,118	0,3700	Richiesta di offerta	978	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1			CanaleN						55 V	19A(Tc)	5 V, 10 V	70 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 1 mA	9,4 nC a 5 V	±15 V	650 pF a 25 V	-	56 W (Tc)
BB173115	-	Richiesta di offerta	2479	NXP USA Inc.	*	Massa	Obsoleto											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	3.000
BZX84-C15/CH235	-	Richiesta di offerta	4331	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	10.000
BZX284-C75,115	-	Richiesta di offerta	5614	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-110	BZX284			400 mW	SOD-110	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																																	1,1 V a 100 mA		50 nA a 52,5 V						75 V	175 Ohm
BLF7G24LS-140.118	68.7500	Richiesta di offerta	970	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo		65 V			SOT-502B	BLF7	2,3GHz~2,4GHz	LDMOS		SOT502B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1				28A		1,3 A	30 W	18,5dB																					-										28 V
PHX27NQ11T,127	-	Richiesta di offerta	7638	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PHX27		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN						110 V	20,8 A(Tc)	10 V	50 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 1 mA	30 nC a 10 V	±20 V	1240 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
PMV28UNEA215	-	Richiesta di offerta	1192	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
PDTC115TE,115	-	Richiesta di offerta	4771	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	PDTC115			150 mW	SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																																					50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 1 mA, 5 V		100 kOhm
BT151X-650C,127	-	Richiesta di offerta	4447	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-40°C ~ 125°C	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata					TO-220F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1					20 mA															650 V	12A	1,5 V	100A, 110A	15 mA	1,75 V	7,5 A	500 µA	Norma di recupero
BZX84-B30,215	-	Richiesta di offerta	4012	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX84					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
OT355.127	-	Richiesta di offerta	4868	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			-	-	-	OT35				-	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934057936127	EAR99	8541.30.0080	1.000	Separare																		Standard				-
MMRF1006HSR5	-	Richiesta di offerta	3075	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		120 V			NI-1230S-4	MMRF1006	450 MHz	LDMOS		NI-1230S-4	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935311705178	EAR99	8541.29.0075	50				-		150 mA	1000 W	20dB																					-										50 V
BLF574XRS112	192.3000	Richiesta di offerta	47	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
BTA312X-800C/L01127	0,5100	Richiesta di offerta	1	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	8541.30.0080	1