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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
BFG325/XR,215	-	Richiesta di offerta	2389	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-143R	BFG32			210 mW	SOT-143R	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	3.000								18,3dB																								6V	35mA			NPN		60 a 15 mA, 3 V	14GHz	1,1 dB a 2 GHz
2PC4081R/ZLX	-	Richiesta di offerta	7250	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					2PC40					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	10.000
2PC4617Q,115	-	Richiesta di offerta	8755	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	2PC46			150 mW	SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	3.000																																50 V	150 mA		100nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	120 a 1 mA, 6 V	100 MHz
BC639.116	-	Richiesta di offerta	3889	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BC63			830 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	2.000																																80 V	1A		100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	180 MHz
PMEG4010AESBC315	0,0800	Richiesta di offerta	424	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0080	10.000
MRF6S18140HR5	-	Richiesta di offerta	9344	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	1,88GHz	LDMOS		NI-880H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	50				-		1,2A	29 W	16dB																	-									28 V
BC846B215	-	Richiesta di offerta	5678	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0075	3.000
PBSS4140S,126	-	Richiesta di offerta	5429	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PBSS4			830 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	2.000																																40 V	1A		100 nA	NPN	500 mV a 100 mA, 1 A	300 a 500 mA, 5 V	150 MHz
BUK7E2R3-40E,127-NXP	1.0000	Richiesta di offerta	4675	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	-	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	0000.00.0000	1			CanaleN						40 V	120A (Tc)	10 V	2,3 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	109,2 nC a 10 V	±20 V	8500 pF a 25 V	-	293 W(Tc)
BZX884-B6V8,315	-	Richiesta di offerta	1719	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo					BZX884					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	10.000
MRFG35010R1	-	Richiesta di offerta	9778	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	15 V		Montaggio su telaio	NI-360HF	MRFG35	3,55GHz	pHEMT FET		NI-360HF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	500				-		180 mA	10 W	10dB																	-									12 V
PMFPB6532UP,115	-	Richiesta di offerta	3273	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMFPB		MOSFET (ossido di metallo)		6-HUSON (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P						20 V	3,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	70 mOhm a 1 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±8 V	380 pF a 10 V	Diodo Schottky (isolato)	520 mW (Ta), 8,3 W (Tc)
PSMN070-200B,118	-	Richiesta di offerta	3268	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo					PSMN0					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	800
PH3530DL115	0,4600	Richiesta di offerta	24	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0075	3.000
BZX384-B43,115	-	Richiesta di offerta	4179	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo					BZX384					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000
PMXB360ENEA147	1.0000	Richiesta di offerta	7408	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0095	5.000
PBSS5250X,115	-	Richiesta di offerta	2155	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo					PBSS5					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1.000
BUK7880-55.135	-	Richiesta di offerta	4435	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BUK78		MOSFET (ossido di metallo)		SC-73	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	4.000			CanaleN						55 V	3,5A(Ta)	10 V	80 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 1 mA		±16V	500 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta)
PDTC114EQA147	0,0300	Richiesta di offerta	48	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0075	1
PDTA143EQA147	0,0300	Richiesta di offerta	40	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0075	5.000
BT136S-800F,118	-	Richiesta di offerta	6941	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63					DPAK	scaricamento				EAR99	8541.30.0080	1	Separare				15 mA														Standard	800 V	4A	1,5 V	25A, 27A	25 mA
BAS40-04/ZLR	-	Richiesta di offerta	2705	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40		Schottky		SOT-23 (TO-236AB)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																								Connessione in serie da 1 paio	40 V	120 mA (CC)	1 V a 40 mA	10 µA a 40 V	150°C (massimo)
MRF18030ALSR5	-	Richiesta di offerta	9311	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V		Montaggio su telaio	NI-400S	MRF18	1,81GHz~1,88GHz	LDMOS		NI-400S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	5A991G	8542.31.0001	50				-		250 mA	30 W	14dB																	-									26 V
BAS21/ZL215	0,0200	Richiesta di offerta	9466	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo					BAS21					scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0070	3.000
1PS75SB45.135	-	Richiesta di offerta	9466	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	1PS75		Schottky		SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0070	10.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																								1 paio di catodo comune	40 V	120 mA (CC)	1 V a 40 mA	10 µA a 40 V	150°C (massimo)
BC847W,115	-	Richiesta di offerta	3403	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo					BC84					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000
PMT21EN,135	-	Richiesta di offerta	8722	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PMT2		MOSFET (ossido di metallo)		SC-73	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	4.000			CanaleN						30 V	7,4A(Ta)	4,5 V, 10 V	21 mOhm a 7,4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	14,4 nC a 10 V	±20 V	588 pF a 15 V	-	820 mW (Ta), 8,33 W (Tc)
BAT86.113	0,0800	Richiesta di offerta	21	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo					BAT86					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0070	10.000
BFG325W/XR,115	-	Richiesta di offerta	5371	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	BFG32			210 mW	CMPAK-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	3.000								18,3dB																								6V	35mA			NPN		60 a 15 mA, 3 V	14GHz	1,1 dB a 2 GHz
PLVA653A,215	0,0500	Richiesta di offerta	7286	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo					PLVA6					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000