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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
PSMN4R6-100XS,127	-	Richiesta di offerta	9597	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PSMN4		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN					100 V	70,4 A(Tc)	10 V	4,6 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 1 mA	153 nC a 10 V	±20 V	9900 pF a 50 V	-	63,8 W(Tc)
BUK9675-100A/C1J	-	Richiesta di offerta	2570	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						BUK96					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500
MRF6S27085HR3	-	Richiesta di offerta	2562	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	2,66GHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250				-	900 mA	20 W	15,5dB											-										28 V
PHP45NQ10TA,127	-	Richiesta di offerta	7128	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-	Foro passante	TO-220-3	PHP45		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934059957127	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN					100 V	47A(Tc)		25 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	61 nC a 10 V		2600 pF a 25 V	-	-
AFT09MS007NT1	4.5800	Richiesta di offerta	2	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		30 V		Montaggio superficiale	PLD-1,5 W	AFT09	870 MHz	LDMOS		PLD-1,5 W	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				-	100 mA	7,3 W	15,2dB											-										7,5 V
BFU580G115	1.0000	Richiesta di offerta	2079	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1.000
MRF8P29300HSR6	-	Richiesta di offerta	6068	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-1230S	MRF8	2,9GHz	LDMOS		NI-1230S	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935310588128	EAR99	8541.29.0075	150	Doppio			-	100 mA	320 W	13,3dB											-										30 V
BLF4G20LS-110B,112	-	Richiesta di offerta	3899	NXP USA Inc.	-	Vassoio	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	SOT-502B	BLF4	1,93GHz~1,99GHz	LDMOS		SOT502B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	60				12A	650 mA	100 W	13,4dB											-										28 V
BFT93W,115	-	Richiesta di offerta	8537	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BFT93			300 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000							-																			12V	50mA					PNP		20 a 30 mA, 5 V	4GHz			2,4 dB ~ 3 dB a 500 MHz ~ 1 GHz
PEMH11.315	-	Richiesta di offerta	4717	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PEMH11			300 mW	SOT-666	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																										50 V	100mA		1μA			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	-	10kOhm	10kOhm
BFG540,215	-	Richiesta di offerta	5084	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA	BFG54			400 mW	SOT-143B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000							-																			15 V	120 mA					NPN		60 a 40 mA, 8 V	9GHz			1,3 dB ~ 1,8 dB a 900 MHz
PDTA114YMB,315	0,0300	Richiesta di offerta	152	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PDTA114			250 mW	DFN1006B-3	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																										50 V	100 mA		1μA			PNP - Pre-polarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 5 mA, 5 V	180 MHz	10 kOhm	47 kOhm
PMEM4020ND,115	-	Richiesta di offerta	8796	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PMEM4			600 mW	SC-74	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																										40 V	950 mA		100 nA			NPN + diodo (isolato)	400 mV a 200 mA, 2 A	300 a 500 mA, 5 V	150 MHz
MRF6S21190HR3	-	Richiesta di offerta	6484	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		NI-880H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250				-	1,6 A	54 W	16dB											-										28 V
MBC13900T1	-	Richiesta di offerta	9617	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	MBC13			188 mW	SOT-343	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		5A991G	8541.21.0075	3.000							15dB~22dB																			6,5 V	20 mA					NPN		100 a 5 mA, 2 V	15GHz			0,8 dB ~ 1,1 dB a 900 MHz ~ 1,9 GHz
BF1101,215	-	Richiesta di offerta	4938	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		7 V		Montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA	BF110	800 MHz	MOSFET		SOT-143B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	Doppio cancello a canale N			30mA	12 mA	-	-											1,7dB										5 V
BUK9Y104-100B,115	1.0000	Richiesta di offerta	1854	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669			MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1			CanaleN					100 V	14,8 A(Tc)	5 V, 10 V	99 mOhm a 5 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	11 nC a 5 V	±15 V	1139 pF a 25 V	-	59 W (Tc)
BFG540/XR,215	-	Richiesta di offerta	3122	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-143R	BFG54			400 mW	SOT-143R	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000							-																			15 V	120 mA					NPN		100 a 40 mA, 8 V	9GHz			1,3 dB ~ 2,4 dB a 900 MHz
BAV170QA147	0,0300	Richiesta di offerta	164	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0070	1
MRF6S19140HR3	-	Richiesta di offerta	5183	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	1,93GHz~1,99GHz	LDMOS		NI-880H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		5A991G	8541.29.0075	250				-	1,15	29 W	16dB											-										28 V
MHT1005HSR3	-	Richiesta di offerta	8839	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto							-	-			-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2832-MHT1005HSR3	OBSOLETO		50	-			-		-	-											-
1N4148,113	-	Richiesta di offerta	2136	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC				Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4148		Standard		ALF2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	10.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																	100 V	1 V a 10 mA	4 ns	25 nA a 20 V	200°C (massimo)	200mA	4pF a 0 V, 1 MHz
BYC8DX-600,127	0,4100	Richiesta di offerta	4	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Foro passante	TO-220-2 Pacchetto completo			Standard		TO-220F	scaricamento					EAR99	8541.10.0080	740		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																	600 V	2,9 V a 8 A	20 ns	40 µA a 600 V	150°C (massimo)	8A	-
MRFE6S9205HSR5	-	Richiesta di offerta	6531	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		66 V		Montaggio superficiale	NI-880S	MRFE6	880 MHz	LDMOS		NI-880S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50				-	1,4A	58W	21,2dB											-										28 V
PMZ550UNE315	-	Richiesta di offerta	6723	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	10.000
BZX384-B43,115	-	Richiesta di offerta	4179	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX384					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
PDZ6.8B/ZL115	-	Richiesta di offerta	6779	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
BZX79-C33,113	0,0200	Richiesta di offerta	470	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX79					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BZX84-C7V5/LF1R	-	Richiesta di offerta	6399	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C7V5			250 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069506215	EAR99	8541.10.0050	3.000																				900 mV a 10 mA		1 µA a 5 V								7,5 V	15 Ohm
PBSS304ND,115	-	Richiesta di offerta	6444	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBSS3					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000