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Prodotti a semiconduttore discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MRF1535FNT1	-	Richiesta di offerta	9304	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		40 V		Montaggio su telaio	TO-272BA	MRF15	520 MHz	LDMOS		TO-272-6	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	500			6A	500 mA	35 W	13,5dB											-					12,5 V
PZM24NB2.115	-	Richiesta di offerta	4347	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM24			300 mW	SMT3; MPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,1 V a 100 mA	70 nA a 19 V					24 V	30 Ohm
PMEG4010AESBC315	0,0800	Richiesta di offerta	424	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	10.000
PDTD114EU135	0,0400	Richiesta di offerta	30	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	10.000
PMEG6020ELR/B115	-	Richiesta di offerta	3801	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMEG6020					scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	3.000
PDTC144TMB315	0,0200	Richiesta di offerta	189	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1
PMP4501Y,115	-	Richiesta di offerta	9797	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMP4					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
MW7IC2425NBR1.528	96.5600	Richiesta di offerta	500	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						MW7IC					scaricamento					EAR99	8541.29.0075	1
PMST3904,135	-	Richiesta di offerta	2685	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMST3					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000
PHB21N06LT,118	0,3700	Richiesta di offerta	978	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN					55 V	19A(Tc)	5 V, 10 V	70 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 1 mA	9,4 nC a 5 V	±15 V	650 pF a 25 V	-	56 W (Tc)
PDTC123ET,215	0,0200	Richiesta di offerta	20	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC123			250 mW	SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.21.0095	15.000																				50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 20 mA, 5 V		2,2 kOhm	2,2 kOhm
BUK9875-100A/CUX	-	Richiesta di offerta	9397	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											-						0000.00.0000	1
BUK6E2R3-40C,127	-	Richiesta di offerta	7460	NXP USA Inc.	*	Tubo	Attivo						BUK6					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
BLF7G24L-100.112	62.7300	Richiesta di offerta	37	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	SOT-502A		2,3GHz~2,4GHz	LDMOS		SOT502A	scaricamento	Conformità ROHS3				5A991G	8541.29.0075	20			28A	900 mA	20 W	18dB											-					28 V
BC847CQAZ	0,0300	Richiesta di offerta	84	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto				280 mW	DFN1010D-3	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	9.947																				45 V	100 mA		15nA (ICBO)			NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
AFT21S140W02GSR3	-	Richiesta di offerta	8192	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-780GS-2L	AFT21	2,14GHz	LDMOS		NI-780GS-2L	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935324832128	5A991G	8541.29.0075	250			-	800 mA	32 W	19,3dB											-					28 V
BZT52H-C43,115	0,0200	Richiesta di offerta	31	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZT52					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BFR520T,115	-	Richiesta di offerta	8371	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	BFR52			150 mW	SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000						-														15 V	70 mA					NPN		60 a 20 mA, 6 V	9GHz			1,1 dB ~ 2,1 dB a 900 MHz
BZX585-C47,115	-	Richiesta di offerta	7188	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX585					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
J2A012YXZ/S1AY73AJ	-	Richiesta di offerta	7237	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						J2A0					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	2.500
BZX79-B6V2143	0,0200	Richiesta di offerta	105	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
PSMN041-80YL115	1.0000	Richiesta di offerta	3638	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento						0000.00.0000	1
BUK7108-40AIE,118	0,8100	Richiesta di offerta	1	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-5, D²Pak (4 conduttori + lingua), TO-263BB			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-426	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN					40 V	75A (Tc)	10 V	8 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 1 mA	84 nC a 10 V	±20 V	3140 pF a 25 V	Rilevamento corrente	221 W(Tc)
PZU27B/L135	-	Richiesta di offerta	9902	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
BUK7905-40AIE,127	-	Richiesta di offerta	7293	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BUK79					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
PMEG10020ELR115	1.0000	Richiesta di offerta	7755	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMEG10020					scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	1
MMRF1013HR5	-	Richiesta di offerta	6834	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	SOT-979A	MMRF1013	2,9GHz	LDMOS		NI-1230-4H	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935322103178	EAR99	8541.29.0075	50	Doppio		-	100 mA	320 W	13,3dB											-					30 V
MRF6V12250HR5	434.5000	Richiesta di offerta	7021	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		100 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6V12250	1,03GHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50			-	100 mA	275 W	20,3dB											-					50 V
BZT52H-C10.115	-	Richiesta di offerta	5929	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZT52					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BZX585-C27,115	-	Richiesta di offerta	7384	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX585					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000