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Prodotti a semiconduttore discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente: max	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PMDPB28UN,115	-	Richiesta di offerta	4161	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMDPB		MOSFET (ossido di metallo)	510 mW	6-HUSON (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)							20 V	4,6A		37 mOhm a 4,6 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	4,7 nC a 4,5 V		265 pF a 10 V	Porta a livello logico
BYC20X-600P127	0,7600	Richiesta di offerta	35	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	1
1PS76SB10/6115	-	Richiesta di offerta	5702	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						1PS76S					scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	3.000
A2T18S260-12SR3	-	Richiesta di offerta	7537	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-780-2S2L	A2T18	1.805 GHz ~ 1.995 GHz	LDMOS		NI-780-2S2L	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935318801128	EAR99	8541.29.0075	250			10 µA		1,4A	257 W	18,9dB											-						28 V
AFT26P100-4WGSR3	-	Richiesta di offerta	7289	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						AFT26					-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935323496128	EAR99	8541.29.0075	250
PDTA123EMB,315	0,0300	Richiesta di offerta	139	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PDTA123			250 mW	DFN1006B-3	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																						50 V	100 mA				1μA				PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 20 mA, 5 V	180 MHz	2,2 kOhm	2,2 kOhm
2PA1576S,115	0,0200	Richiesta di offerta	7813	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						2PA15					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
PSMN035-150P,127	-	Richiesta di offerta	8619	NXP USA Inc.	*	Tubo	Attivo						PSMN0					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
MRF6V13250HR5	-	Richiesta di offerta	3701	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		120 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	1,3GHz	LDMOS		NI-780H-2L	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935314557178	EAR99	8541.29.0075	50			-		100 mA	250 W	22,7dB											-						50 V
BZV55-C3V3,115	-	Richiesta di offerta	3236	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZV55					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500
BC847BQA147	1.0000	Richiesta di offerta	6120	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	5.000
PMP5501Y,115	0,1000	Richiesta di offerta	22	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PMP5501			300 mW	SOT-363	scaricamento					EAR99	8541.21.0095	3.056																						45 V	100mA				15nA (ICBO)				2 coppie abbinate PNP (doppie).	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	175 MHz
BZT52H-C56,115	0,0200	Richiesta di offerta	9535	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZT52					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
2PC4081R/ZLX	-	Richiesta di offerta	7250	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						2PC40					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000
MMRF1008GHR5	271.0700	Richiesta di offerta	7256	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		100 V		Montaggio su telaio	NI-780GH-2L	MMRF1008	900 MHz ~ 1.215 GHz	LDMOS		NI-780GH-2L	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935320879178	EAR99	8541.29.0075	50			100μA		100 mA	275 W	20,3dB											-						50 V
PDZ3.9BGW,115	-	Richiesta di offerta	7235	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
BAP51-05W,115	-	Richiesta di offerta	3607	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-65°C ~ 150°C (TJ)		SC-70, SOT-323	BAP51				SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000				50 mA													240 mW				0,35 pF a 5 V, 1 MHz				PIN: connessione in serie a 1 paio	50 V				2,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
PMCPB5530X	1.0000	Richiesta di offerta	5685	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1
MHT1807T1	0,3200	Richiesta di offerta	114	NXP USA Inc.	*	Massa	Design non per nuovi											-	Non applicabile	Venditore non definito	Informazioni REACH disponibili su richiesta	2832-MHT1807T1	EAR99		1
NZX2V7C,133	0,0200	Richiesta di offerta	94	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						NZX2					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
MRF372R5	-	Richiesta di offerta	3144	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	NI-860C3	MRF37	857 MHz ~ 863 MHz	LDMOS		NI-860C3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	50			17A		800 mA	180 W	17dB											-						32 V
BCM856DS,115	0,0700	Richiesta di offerta	9281	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BCM85					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
PUMX1.115	-	Richiesta di offerta	5735	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PUMX1					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
TDZ7V5J115	-	Richiesta di offerta	8458	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, TDZxJ	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	TDZ7V5			500 mW	SOD-323F	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 100 mA	1 µA a 5 V								7,5 V	10 Ohm
NZX8V2B,133	0,0200	Richiesta di offerta	51	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						NZX8					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BLC8G24LS-240AVU	-	Richiesta di offerta	4646	NXP USA Inc.	-	Vassoio	Attivo		65 V		Montaggio su telaio	SOT-1252-1	BLC8	2,3GHz~2,4GHz	LDMOS		SOT1252-1	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	934067995112	EAR99	8541.29.0075	20	Doppio		-		800 mA	63 W	15dB											-						30 V
BAT54CM315	1.0000	Richiesta di offerta	4472	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BAT54					scaricamento					EAR99	8541.10.0070	1
BUK958R5-40E,127	-	Richiesta di offerta	3037	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK95		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						40 V	75A (Tc)	5 V, 10 V	6,6 mOhm a 20 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	20,9 nC a 5 V	±10 V	2600 pF a 25 V	-	96 W (Tc)
MRF24300NR3	-	Richiesta di offerta	4591	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	OM-780-2	MRF24	2,45GHz	LDMOS		OM-780-2	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250			-		100 mA	330 W	13,1dB											-						32 V
NZH7V5C,115	0,0300	Richiesta di offerta	12	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						NZH7					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000