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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
PDTA124TM,315	0,0300	Richiesta di offerta	190	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PDTA124					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000
BZX84-A3V6,215	0,1100	Richiesta di offerta	304	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX84					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BUK9107-40ATC,118	1.0000	Richiesta di offerta	3350	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-5, D²Pak (4 conduttori + lingua), TO-263BB			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-426	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN					40 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,2 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 1 mA	±15 V	5836 pF a 25 V	Diodo di rilevamento della temperatura	272 W(Tc)
BAT54CW,115	0,0200	Richiesta di offerta	711	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BAT54					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000
MRF373ALSR5	-	Richiesta di offerta	6713	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		70 V		Montaggio su telaio	NI-360S	MRF37	860 MHz	LDMOS		NI-360S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50			-	200 mA	75 W	18,2dB										-					32 V
BZV55-B16.115	0,0200	Richiesta di offerta	431	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																	900 mV a 10 mA	50 nA a 11,2 V					16 V	40 Ohm
BC369.112	-	Richiesta di offerta	4027	NXP USA Inc.	-	Massa	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BC36			830 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1.000																			20 V	1A		100nA (ICBO)			PNP	500 mV a 100 mA, 1 A	85 a 500 mA, 1 V	140 MHz
BZB784-C8V2,115	0,0300	Richiesta di offerta	129	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±5%		-	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				180 mW	SOT-323	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1	1 paio di anodo comune																900 mV a 10 mA	700 nA a 5 V					8,2 V	15 Ohm
A2T20H330W24NR6	-	Richiesta di offerta	4317	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	OM-1230-4L2L	A2T20	1,88GHz~2,025GHz	LDMOS		OM-1230-4L2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935316239528	EAR99	8541.29.0075	150			10μA	700mA	229 W	15,9dB										-					28 V
PDTC143ZU,115	-	Richiesta di offerta	3260	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PDTC14					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
PDTA124TS,126	-	Richiesta di offerta	6291	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto				Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PDTA124			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																			50 V	100 mA		1μA			PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 1 mA, 5 V		22 kOhm
BFT92W,115	-	Richiesta di offerta	8868	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BFT92			300 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000						-													15 V	25 mA					PNP		20 a 15 mA, 10 V	4GHz		2,5 dB ~ 3 dB a 500 MHz ~ 1 GHz
PSMN1R7-30YL,115	-	Richiesta di offerta	8053	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PSMN1					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500