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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
PBSS9110D/S911115	0,0800	Richiesta di offerta	51	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000
PDTA144EQA147	0,0300	Richiesta di offerta	19	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	5.000
BUK9515-60E,127	-	Richiesta di offerta	7879	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK95		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN						60 V	54A(Tc)	5 V, 10 V	13 mOhm a 15 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	20,5 nC a 5 V	±10 V	2651 pF a 25 V	-	96 W (Tc)
BZX84-B3V3,215	-	Richiesta di offerta	3419	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX84					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BUK7212-55B,118	-	Richiesta di offerta	7007	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BUK72					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500
MRF6P21190HR5	-	Richiesta di offerta	3990	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	NI-1230	MRF6	2,12GHz	LDMOS		NI-1230	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50				-		1,9 A	44W	15,5dB																	-												28 V
BZX84-C8V2/LF1VL	-	Richiesta di offerta	8402	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C8V2			250 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069486235	EAR99	8541.10.0050	3.000																													900 mV a 10 mA		700 nA a 5 V								8,2 V	15 Ohm
BT139X-600F,127	-	Richiesta di offerta	4720	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			125°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata					TO-220F	scaricamento					EAR99	8541.30.0080	1	Separare				45 mA														Standard	600 V	16A	1,5 V	155A, 170A	25 mA
MRF5S19150HSR5	-	Richiesta di offerta	1527	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V			NI-880S	MRF5	1,93GHz~1,99GHz	LDMOS		NI-880S	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		5A991G	8541.29.0075	50				-		1,4A	32 W	14dB																	-												28 V
BFU580GX	0,8300	Richiesta di offerta	999	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BFU580			1 W	SC-73	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000								10,5dB																											12V	60mA					NPN		60 a 30 mA, 8 V	11GHz			1,4 dB a 1,8 GHz
PDTA123YS,126	-	Richiesta di offerta	8548	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto				Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PDTA123			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																																			50 V	100 mA		1μA			PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	35 a 5 mA, 5 V		2,2 kOhm	10 kOhm
A2T21H140-24SR3	-	Richiesta di offerta	7065	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V			OM780-4	A2T21	2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		OM780-4	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935340104128	EAR99	8541.29.0075	250	Doppio			10 µA		350 mA	169 W	17,4dB																	-												28 V
BC327-16.112	-	Richiesta di offerta	3249	NXP USA Inc.	-	Massa	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BC32			625 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1.000																																			45 V	500 mA		100nA (ICBO)			PNP	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	80 MHz
PBSS5140V,315	-	Richiesta di offerta	7983	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PBSS5			500 mW	SOT-666	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934056817315	EAR99	8541.21.0075	8.000																																			40 V	1A		100 nA			PNP	310 mV a 100 mA, 1 A	300 a 100 mA, 5 V	150 MHz
BZX585-C7V5135	-	Richiesta di offerta	7286	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
PH3830L,115	-	Richiesta di offerta	2751	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PH38		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500			CanaleN						30 V	98A (Tc)	5 V, 10 V	3,8 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	33 nC a 5 V	±20 V	3190 pF a 10 V	-	62,5 W(Tc)
BAS40-04/ZLR	-	Richiesta di offerta	2705	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40		Schottky		SOT-23 (TO-236AB)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																								Connessione in serie da 1 paio	40 V	120 mA (CC)	1 V a 40 mA		10 µA a 40 V	150°C (massimo)
PEMB1.115	0,0400	Richiesta di offerta	62	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PEMB1			300 mW	SOT-666	scaricamento					EAR99	8541.21.0095	1																																			50 V	100mA		1μA			2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	60 a 5 mA, 5 V	-	22kOhm	22kOhm
PDTA144TS,126	-	Richiesta di offerta	9267	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto				Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PDTA144			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																																			50 V	100 mA		1μA			PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 1 mA, 5 V		47 kOhm
BUK9E4R9-60E,127	-	Richiesta di offerta	3068	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	BUK9		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN						60 V	100A (Tc)	5 V, 10 V	4,5 mOhm a 25 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	65 nC a 5 V	±10 V	9710 pF a 25 V	-	234 W(Tc)
PDTC124ES,126	-	Richiesta di offerta	6655	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto				Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PDTC124			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																																			50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	60 a 5 mA, 5 V		22 kOhm	22 kOhm
BZV85-C10,113	0,0400	Richiesta di offerta	34	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZV85					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000
PRF957.115	-	Richiesta di offerta	9538	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PRF95			270 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000								-																											10 V	100mA					NPN		50 a 5 mA, 6 V	8,5GHz			1,3 dB ~ 1,8 dB a 1 GHz ~ 2 GHz
BC817-25QA147	0,0300	Richiesta di offerta	134	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BC817					scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	1
PBSS304ND,115	-	Richiesta di offerta	6444	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBSS3					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
PDTA143EE,115	-	Richiesta di offerta	1396	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	PDTA143			150 mW	SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																																			50 V	100 mA		1μA			PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	4,7 kOhm
BZX79-C33,113	0,0200	Richiesta di offerta	470	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX79					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BY459-1500,127	-	Richiesta di offerta	5328	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto				Foro passante	TO-220-2	BY45		Standard		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934031220127	EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																									1500 V		1,3 V a 6,5 A	350 n		150°C (massimo)	12A	-
PMST3906,135	0,0200	Richiesta di offerta	1006	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	14.774																																			40 V	200 mA		50nA (ICBO)			PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
BT1308-600D,412	-	Richiesta di offerta	7408	NXP USA Inc.	-	Massa	Obsoleto			125°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BT130				TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1.000	Separare				10 mA														Logica - Cancello sensibile	600 V	800 mA	2 V	9A, 10A	5 mA