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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente: max	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MRF085HR3	-	Richiesta di offerta	1580	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		133 V		Montaggio su telaio	NI-650H-4L	MRF08	1,8 MHz ~ 1,215 GHz	LDMOS		NI-650H-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935351494128	EAR99	8541.29.0075	250	Doppio			2 µA			100 mA	85 W	25,6dB																				-												50 V
PDTC114YEF,115	-	Richiesta di offerta	5024	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	PDTC114			250 mW	SC-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000																																							50 V	100 mA				1μA				NPN - Prepolarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 5 mA, 5 V		10 kOhm	47 kOhm
PDTD113EK,115	-	Richiesta di offerta	7770	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTD113			250 mW	SMT3; MPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																																							50 V	500 mA				500nA				NPN - Prepolarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	33 a 50 mA, 5 V		1 kOhm	1 kOhm
BZX79-B62,143	0,0200	Richiesta di offerta	35	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																																	900 mV a 10 mA		50 nA a 43,4 V										62 V	215 Ohm
BYC10X-600PQ127	-	Richiesta di offerta	2105	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	1
BFS17A,235	-	Richiesta di offerta	8751	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFS17			300 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	933750250235	EAR99	8541.21.0075	10.000									-																														15 V	25 mA								NPN		25 a 2 mA, 1 V	2,8GHz			2,5 dB a 800 MHz
BAP64-06.215	0,3900	Richiesta di offerta	2	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-65°C ~ 150°C (TJ)		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAP64				SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000					100 mA														250 mW																			0,35 pF a 20 V, 1 MHz				PIN: 1 paio di anodo comune	175 V				1,35 Ohm a 100 mA, 100 MHz
BAS56/DG/B2215	0,0300	Richiesta di offerta	7371	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	3.000
PDTA143XE,135	-	Richiesta di offerta	6446	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	PDTA143			150 mW	SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000																																							50 V	100 mA				1μA				PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	50 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	10 kOhm
PBSS5350D,135	-	Richiesta di offerta	8100	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457				750 mW	6-TSOP	scaricamento					EAR99	8541.29.0075	1																																							50 V	3A				100nA (ICBO)				PNP	300 mV a 200 mA, 2 A	100 a 2 A, 2 V	100 MHz
BT258-800R,127	-	Richiesta di offerta	3090	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-40°C ~ 125°C	Foro passante	TO-220-3					TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.30.0080	1						6 mA														800 V	8A	1,5 V	75A, 82A	200 µA	1,6 V	5A	500 µA	Cancello sensibile
PZU9.1B2L,315	-	Richiesta di offerta	3324	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882				250 mW	DFN1006-2	scaricamento						0000.00.0000	1																																	1,1 V a 100 mA		500 nA a 6 V										9,1 V	10 Ohm
BYD17J,115	-	Richiesta di offerta	5208	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SOD-87	BYD17		Valanga		MELF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	2.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																													600 V		1,05 V a 1 A	3 µs	1 µA a 600 V	-65°C ~ 175°C	1,5 A	21pF a 0 V, 1 MHz
BUJ100.412	-	Richiesta di offerta	4524	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BUJ1					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000
PEMT1.115	-	Richiesta di offerta	3313	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PEMT1					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000
BLM7G22S-60PBG,118	-	Richiesta di offerta	1128	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo						BLM7					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934066083118	EAR99	8541.29.0075	100
PSMN2R0-60ES,127	1.4000	Richiesta di offerta	610	NXP USA Inc.	*	Tubo	Attivo						PSMN2R0					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000
MRF7S38040HSR3	-	Richiesta di offerta	9099	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-400S-2S	MRF7	3,4GHz~3,6GHz	LDMOS		NI-400S-2S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250				-			450 mA	8 W	14dB																				-												30 V
PVR100AD-B2V5.115	-	Richiesta di offerta	5545	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PVR10			300 mW	SC-74	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																																							45 V	100 mA				100nA (ICBO)				NPN+Zener	-	160 a 100 mA, 1 V	-
1PS226,115	-	Richiesta di offerta	1712	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1PS22		Standard		SMT3; MPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	15.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																												Connessione in serie da 1 paio	80 V	215 mA (CC)	1,2 V a 100 mA	4 ns	500 nA a 80 V	150°C (massimo)
BZX84-C20,235	0,0200	Richiesta di offerta	165	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX84					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BFQ540.115	-	Richiesta di offerta	8918	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BFQ54			1,2 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000									-																														15 V	120 mA								NPN		100 a 40 mA, 8 V	9GHz			1,9 dB ~ 2,4 dB a 900 MHz
PHP83N03LT,127	-	Richiesta di offerta	9529	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PHP83		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							25 V	75A (Tc)	5 V, 10 V	9 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	33 nC a 5 V	±15 V	1660 pF a 25 V	-	115 W(Tc)
BFR93AW,115	-	Richiesta di offerta	3976	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BFR93			300 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000									-																														12V	35mA								NPN		40 a 30 mA, 5 V	5GHz			1,5 dB ~ 2,1 dB a 1 GHz ~ 2 GHz
NX3008PBK/DG/B2215	0,0300	Richiesta di offerta	37	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
BSH121.135	0,0900	Richiesta di offerta	14	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BSH1					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000
BUK652R7-30C,127	-	Richiesta di offerta	2639	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK65		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							30 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 25 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	114 nC a 10 V	±16V	6960 pF a 25 V	-	204 W(Tc)
PBLS2003S,115	-	Richiesta di offerta	8805	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PBLS20			1,5 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																																							50 V, 20 V	100 mA, 3 A				1 µA, 100 nA				1 NPN prepolarizzato, 1 PNP	150 mV a 500 µA, 10 mA / 355 mV a 300 mA, 3 A	30 a 5 mA, 5 V / 150 a 2 A, 2 V	100 MHz	10kOhm	10kOhm
BZX84-B5V6/LF1R	-	Richiesta di offerta	7085	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-B5V6			250 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069411215	EAR99	8541.10.0050	3.000																																	900 mV a 10 mA		1 µA a 2 V										5,6 V	40 Ohm
BFR93A,235	-	Richiesta di offerta	4717	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFR93			300 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	933551570235	EAR99	8541.21.0075	10.000									-																														12V	35mA								NPN		40 a 30 mA, 5 V	6GHz			1,9 dB ~ 3 dB a 1 GHz ~ 2 GHz