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Prodotti a semiconduttore discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MRF7S19170HSR3	-	Richiesta di offerta	7830	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-880S	MRF7	1,99GHz	LDMOS		NI-880S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	935319253128	EAR99	8541.21.0075	250			-	1,4A	50 W	17,2dB											-												28 V
BUK9509-55A,127	-	Richiesta di offerta	8053	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK95		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					55 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	60 nC a 5 V	±15 V	4633 pF a 25 V	-	211 W(Tc)
PHB38N02LT,118	-	Richiesta di offerta	7837	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PHB38		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN					20 V	44,7 A(Tc)	2,5 V, 5 V	16 mOhm a 25 A, 5 V	1,5 V a 250 µA	15,1 nC a 5 V	12V	800 pF a 20 V	-	57,6 W(Tc)
PBR941	-	Richiesta di offerta	5634	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	3.000
A2T21H360-24SR6	-	Richiesta di offerta	9763	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-1230-4LS2L	A2T21	2,14GHz	LDMOS		NI-1230-4LS2L	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935318247128	EAR99	8541.29.0075	150			-	500 mA	63 W	16,2dB											-												28 V
BZX884-C2V7315	-	Richiesta di offerta	8011	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882				250 mW	DFN1006-2	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	9.450																					900 mV a 10 mA		20 µA a 1 V								2,7 V	100 ohm
PMPB15XN,115	-	Richiesta di offerta	7078	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMPB15		MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento						0000.00.0000	1		CanaleN					20 V	7,3A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	21 mOhm a 7,3 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	20,2 nC a 4,5 V	±12V	1240 pF a 10 V	-	1,7 W (Ta), 12,5 W (Tc)
BFU768F115	0,1500	Richiesta di offerta	2	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1
MRFG35005NR5	-	Richiesta di offerta	5665	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		15 V		Montaggio superficiale	PLD-1.5	MRFG35	3,55GHz	pHEMT FET		PLD-1.5	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	50			-	80 mA	4,5 W	11dB											-												12 V
PUMH10/ZL115	0,0300	Richiesta di offerta	21	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
BUK655R0-75C,127	-	Richiesta di offerta	9580	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK65		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					75 V	120A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,3 mOhm a 25 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	177 nC a 10 V	±16V	11.400 pF a 25 V	-	263 W(Tc)
BZV85-C8V2,113	0,0400	Richiesta di offerta	115	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZV85					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000
BY229X-200,127	-	Richiesta di offerta	1052	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto				Foro passante	TO-220-2 Pacchetto completo	BY22		Standard		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																		150 V		1,85 V a 20 A	135 ns	400 µA a 150 V	150°C (massimo)	8A	-
MRF6V14300HR3	-	Richiesta di offerta	6659	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		100 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	1,4GHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250			-	150 mA	330W	18dB											-												50 V
MRF9135LR5	-	Richiesta di offerta	6678	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF91	880 MHz	LDMOS		NI-780H-2L	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.31.0001	50			-	1,1 A	25 W	17,8dB											-												26 V
BC817-16.215	0,0200	Richiesta di offerta	5705	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BC817					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
PBSS4350D,135	-	Richiesta di offerta	6800	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457				750 mW	6-TSOP	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																											50 V	3A		100nA (ICBO)			NPN	290 mV a 200 mA, 2 A	100 a 2 A, 2 V	100 MHz
BFU790F,115	0,9600	Richiesta di offerta	16	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-343F	BFU790			234 mW	4-DFP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000						-																					2,8 V	100mA					NPN		235 a 10 mA, 2 V	25GHz	0,4 dB ~ 0,5 dB a 1,5 GHz ~ 2,4 GHz
BAV99/LF1235	1.0000	Richiesta di offerta	5720	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV99		Standard		TO-236AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	10.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																	Connessione in serie da 1 paio	100 V	215 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4nn	500 nA a 80 V	150°C (massimo)
MRF24301HSR5	-	Richiesta di offerta	7882	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio su telaio	NI-780S	MRF24	2,4GHz~2,5GHz	LDMOS		NI-780S	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50			-		300W	13,5dB											-
PZU4.3B2.115	-	Richiesta di offerta	5512	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PZU4.3					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BAV99W/MI115	0,0200	Richiesta di offerta	8241	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BAV99		Standard		SOT-323	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	4.258	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																	Connessione in serie da 1 paio	100 V	150 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4nn	500 nA a 80 V	150°C (massimo)
MRF6S21190HSR5	-	Richiesta di offerta	8414	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio superficiale	NI-880S	MRF6	2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		NI-880S	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50			-	1,6 A	54 W	16dB											-												28 V
A2T08VD020NT1	7.8000	Richiesta di offerta	5552	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		105 V		Montaggio superficiale	24-PowerQFN	A2T08	728 MHz ~ 960 MHz	LDMOS		24-PQFN-EP (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935322283528	EAR99	8541.29.0075	1.000			10μA	40 mA	18 W	19,1dB											-												48 V
MRF7S21110HSR3	-	Richiesta di offerta	8260	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-780S	MRF7	2,17GHz	LDMOS		NI-780S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250			-	1,1 A	33 W	17,3dB											-												28 V
BC856W,135	0,0200	Richiesta di offerta	24	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC856			200 mW	SOT-323	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	15.000																											65 V	100 mA		15nA (ICBO)			PNP	600mV a 5mA, 100mA	125 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BZX585-C3V6135	-	Richiesta di offerta	6625	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
J3D081YXV/T1AY5E4J	-	Richiesta di offerta	2339	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						J3D0					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	2.500
MRF6S9130HSR3	-	Richiesta di offerta	1562	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	NI-780S	MRF6	880 MHz	LDMOS		NI-780S	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	250			-	950 mA	27 W	19,2dB											-												28 V
MRFE6S9135HR5	-	Richiesta di offerta	4825	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		66 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRFE6	940 MHz	LDMOS		NI-880H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50			-	1A	39 W	21dB											-												28 V