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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PHB66NQ03LT	0,4000	Richiesta di offerta	800	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.29.0095	800
A3G26D055N-100	315.0000	Richiesta di offerta	1	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo		125 V		Montaggio superficiale	6-LDFN Tampone esposto		100 MHz ~ 2,69 GHz	GaN		6-PDFN (7x6,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	568-A3G26D055N-100	EAR99	8541.29.0095	1			-	40 mA	8 W	13,9dB											-					48 V
MRF8P20160HSR3	-	Richiesta di offerta	8154	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-780S-4L	MRF8	1,92GHz	LDMOS		NI-780S-4L	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935310235128	EAR99	8541.29.0075	250	Doppio		-	550mA	37 W	16,5dB											-					28 V
BUK9610-100B,118	-	Richiesta di offerta	4937	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BUK96					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800
BZV90-C4V3,115	0,1700	Richiesta di offerta	24	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				1,5 W	SOT-223	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1.745																		1 V a 50 mA	3 µA a 1 V					4,3 V	90 Ohm
A2T09D400-23NR6	95.1720	Richiesta di offerta	4344	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		70 V		Montaggio su telaio	OM-1230-4L2S	A2T09	716 MHz ~ 960 MHz	LDMOS		OM-1230-4L2S	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935318726528	EAR99	8541.29.0075	150			10μA	1,2A	400W	17,8dB											-					28 V
PBSS4240ZX	0,1000	Richiesta di offerta	4159	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA					SOT-223	scaricamento					EAR99	8541.29.0075	1
PBSS9410PA,115	-	Richiesta di offerta	8162	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBSS9					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000
PMF250XNE115	1.0000	Richiesta di offerta	3791	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
MRF9045LSR5	-	Richiesta di offerta	4467	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-360S	MRF90	945 MHz	LDMOS		NI-360S	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		5A991G	8541.21.0075	50			-	350 mA	45 W	18,8dB											-					28 V
BAS516115	1.0000	Richiesta di offerta	8224	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0070	1
NZX30B,133	0,0200	Richiesta di offerta	149	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						NZX3					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
PMBD914,235	0,0200	Richiesta di offerta	90	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMBD914					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	10.000
IRFZ44N,127	-	Richiesta di offerta	5882	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRFZ4		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					55 V	49A(Tc)	10 V	22 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	62 nC a 10 V	±20 V	1800 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
PDTC143ZS,126	-	Richiesta di offerta	1982	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto				Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PDTC143			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																				50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	47 kOhm
BZX585-B75.115	-	Richiesta di offerta	7137	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523				300 mW	SOD-523	scaricamento						0000.00.0000	1																		1,1 V a 100 mA	50 nA a 52,5 V					75 V	255 Ohm
PUMD10.115	-	Richiesta di offerta	2443	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PUMD10					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
BZX84-C51/LF1VL	-	Richiesta di offerta	4274	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C51			250 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069496235	EAR99	8541.10.0050	3.000																		900 mV a 10 mA	50 nA a 35,7 V					51 V	180 Ohm
PMEG3002AESF315	-	Richiesta di offerta	5441	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMEG3002					-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	9.000
MRF21030LR5	-	Richiesta di offerta	5533	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-400	MRF21	2,14GHz	LDMOS		NI-400	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		5A991G	8542.31.0001	50			-	250 mA	30 W	13dB											-					28 V
PMEG045V050EPD139	-	Richiesta di offerta	1619	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	5.000
BUK7528-100A,127	0,4700	Richiesta di offerta	5	NXP USA Inc.	*	Tubo	Attivo						BUK75					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
BZV85-C51,133	0,0400	Richiesta di offerta	19	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1,3 W	DO-41	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																		1 V a 50 mA	50 nA a 36 V					51 V	125 Ohm
PMBT3946YPN,115	-	Richiesta di offerta	3914	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMBT3					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
PZU13B2A,115	-	Richiesta di offerta	9845	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	PZU13			320 mW	SOD-323	scaricamento						0000.00.0000	1																		1,1 V a 100 mA	100 nA a 10 V					13 V	10 Ohm
PDTC143TMB,315	0,0300	Richiesta di offerta	117	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PDTC143			250 mW	DFN1006B-3	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																				50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	200 a 1 mA, 5 V	230 MHz	4,7 kOhm
PBLS4005Y,115	0,0700	Richiesta di offerta	68	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBLS40					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
MRF6S19100HR3	-	Richiesta di offerta	3060	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	1,99GHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935316735128	EAR99	8541.29.0075	250			-	900 mA	22 W	16,1dB											-					28 V
BZB84-C18.215	0,0200	Richiesta di offerta	3384	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±5%		-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300 mW	SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1	1 paio di anodo comune																	900 mV a 10 mA	50 nA a 12,6 V					18 V	45 Ohm
BZX84J-B13115	-	Richiesta di offerta	7335	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				550 mW	SOD-323F	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1																		1,1 V a 100 mA	100 nA a 8 V					13 V	10 Ohm