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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PEMB24.115	0,0700	Richiesta di offerta	32	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PEMB2					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000
MRF7S18125BHSR5	-	Richiesta di offerta	6753	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-780S	MRF7	1,93GHz	LDMOS		NI-780S	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50				-		1,1 A	125 W	16,5dB																	-										28 V
PMBT2222A,235	-	Richiesta di offerta	2074	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMBT2222					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000
BUK7605-30A,118	-	Richiesta di offerta	4846	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	BUK76		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN						30 V	75A (Tc)	10 V	5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	6000 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
BZX585-B10.135	-	Richiesta di offerta	6827	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX585					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BTA204-800C/DG,127	0,2700	Richiesta di offerta	9	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			125°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3					TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.30.0080	1.110	Separare				20 mA														Standard	800 V	4A	1,5 V	25A, 27A	35 mA
PBSS4032PD,115	-	Richiesta di offerta	6852	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBSS4					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
PSMN4R6-60PS,127	-	Richiesta di offerta	6551	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PSMN4					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
PZU9.1B3.115	0,0400	Richiesta di offerta	17	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PZU9.1					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
MMRF1009HSR5	594.7988	Richiesta di offerta	5641	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		110 V		Montaggio su telaio	NI-780S	MMRF1009	1,03GHz	LDMOS		NI-780S	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935315335178	EAR99	8541.29.0075	50				-		200mA	500W	19,7dB																	-										50 V
BZX384-B16115	-	Richiesta di offerta	7954	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX384					scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
PZU10B3.115	-	Richiesta di offerta	7771	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PZU10					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BUK951R9-40E,127	-	Richiesta di offerta	2005	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK95		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN						40 V	120A (Tc)	5 V, 10 V	1,7 mOhm a 25 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	120 nC a 5 V	±10 V	16.400 pF a 25 V	-	349 W(Tc)
BUK7C5R4-100EJ	-	Richiesta di offerta	4331	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			-	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)	BUK7C5		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK-7	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934067496118	EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN						100 V	-		-	-				-	-
BC846AT,115	-	Richiesta di offerta	4685	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	BC84			150 mW	SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																																	65 V	100 mA		15nA (ICBO)			NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PBSS5230QA147	-	Richiesta di offerta	7261	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	5.000
PMBT4403/MIGR	-	Richiesta di offerta	4754	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo						PMBT4403					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934068469215	EAR99	8541.29.0095	3.000
MRFE6S9125NR1	-	Richiesta di offerta	1518	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		66 V		Montaggio superficiale	TO-270AB	MRFE6	880 MHz	LDMOS		TO-270WB-4	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500				-		950 mA	27 W	20,2dB																	-										28 V
BZX84J-C3V3,115	-	Richiesta di offerta	7847	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX84					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
MRF6V14300HR5	401.0580	Richiesta di offerta	2382	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		100 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6V14300	1,4GHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935313404178	EAR99	8541.29.0075	50				-		150 mA	330W	18dB																	-										50 V
BUK9880-55A,115	-	Richiesta di offerta	8639	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BUK98		MOSFET (ossido di metallo)		SC-73	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN						55 V	7A(Tc)	4,5 V, 10 V	73 mOhm a 8 A, 10 V	2 V a 1 mA	11 nC a 5 V	±15 V	584 pF a 25 V	-	8 W (Tc)
PMN20EN,115	-	Richiesta di offerta	5462	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PMN2		MOSFET (ossido di metallo)		SC-74	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN						30 V	6,7A(Tj)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 6,7 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	18,6 nC a 10 V	±20 V	630 pF a 15 V	-	545 mW (Ta)
MRF101BN	22.9600	Richiesta di offerta	80	NXP USA Inc.	-	Tubo	Attivo		133 V			TO-220-3	MRF101	1,8 MHz ~ 250 MHz	LDMOS		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50				10 µA		100 mA	115 W	21,1dB																	-										50 V
PDTB113EU135	0,0400	Richiesta di offerta	59	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	10.000
PZU11B1.115	0,0400	Richiesta di offerta	30	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PZU11					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
BYV29FX-600,127	0,4100	Richiesta di offerta	1	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo				Foro passante	TO-220-2 Pacchetto completo			Standard		TO-220F	scaricamento					EAR99	8541.10.0080	727		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																								600 V	1,9 V a 8 A	35 ns	50 µA a 600 V	150°C (massimo)	9A	-
A5G35H110NT4	34.6764	Richiesta di offerta	5350	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125 V		Montaggio superficiale	6-LDFN Tampone esposto		3,3GHz~3,7GHz	-		6-PDFN (7x6,5)	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0075	2.500	-			-		70 mA	15,1 W	15,3dB																	-										48 V
BUK9E04-30B,127	-	Richiesta di offerta	6137	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	BUK9		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN						30 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	56 nC a 5 V	±15 V	6526 pF a 25 V	-	254 W(Tc)
PZM6.2NB2A,115	-	Richiesta di offerta	1885	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM6.2			220 mW	SMT3; MPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																											1,1 V a 100 mA		2 µA a 3 V								6,2 V	10 Ohm
2PD601AS,115	-	Richiesta di offerta	6266	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PD60			250 mW	SMT3; MPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	15.000																																	50 V	100 mA		10nA (ICBO)			NPN	250mV a 10mA, 100mA	290 a 2 mA, 10 V	100 MHz