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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
PDTC115ES,126	-	Richiesta di offerta	7490	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto					Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PDTC115			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																										50 V	20 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 5 mA, 5 V		100 kOhm	100 kOhm
BF722,115	0,1200	Richiesta di offerta	5	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo							BF722					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
PUMH11/ZL135	0,0500	Richiesta di offerta	10	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo												scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	10.000
PHB174NQ04LT,118	-	Richiesta di offerta	7298	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PHB17		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN					40 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	64 nC a 5 V	±15 V	5345 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
BUK752R7-60E,127	-	Richiesta di offerta	9417	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	BUK75		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN					60 V	120A (Tc)	10 V	2,6 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	158 nC a 10 V	±20 V	11180 pF a 25 V	-	349 W(Tc)
PMN55LN,135	-	Richiesta di offerta	3784	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PMN5		MOSFET (ossido di metallo)		SC-74	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000			CanaleN					20 V	4.1A (Tc)	4,5 V, 10 V	65 mOhm a 2,5 A, 10 V	2 V a 1 mA	13,1 nC a 10 V	±15 V	500 pF a 20 V	-	1,75 W(Tc)
BTA208-600F,127	0,3700	Richiesta di offerta	1	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo							BTA20					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1.000
BUK7C1R8-60EJ	-	Richiesta di offerta	7188	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			-		Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)	BUK7C1		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK-7	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934067491118	EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN					60 V	-		-	-				-	-
BUK7K45-100EX	-	Richiesta di offerta	8750	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK7K45		MOSFET (ossido di metallo)	53 W	LFPAK56D	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)							100 V	21.4A		37,6 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 1 mA	25,9 nC a 10 V		1533 pF a 25 V	-
PDTA143EM,315	0,0300	Richiesta di offerta	189	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo							PDTA14					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000
MRF6P21190HR6	-	Richiesta di offerta	7151	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V			Montaggio su telaio	NI-1230	MRF6	2,12GHz	LDMOS		NI-1230	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	150				-	1,9 A	44W	15,5dB											-										28 V
PEMB3.115	-	Richiesta di offerta	4481	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo							PEMB3					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000
BZX79-B36143	1.0000	Richiesta di offerta	9158	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo												scaricamento						0000.00.0000	1
BCX71H,235	0,0200	Richiesta di offerta	80	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																										45 V	100 mA		20nA (ICBO)			PNP	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	180 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK9245-55A,118	0,3300	Richiesta di offerta	1	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1			CanaleN					55 V	28A (Tc)	4,5 V, 10 V	40 mOhm a 5 A, 10 V	2 V a 1 mA	14 nC a 5 V	±15 V	1006 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
BZX84-C3V3/DG/B3235	0,0200	Richiesta di offerta	40	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo												scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	10.000
A2V09H400-04NR3528	103.4700	Richiesta di offerta	204	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo												scaricamento					EAR99	8541.29.0075	1
MRF7S38010HSR5	-	Richiesta di offerta	9298	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V			Montaggio superficiale	NI-400S-2S	MRF7	3,4GHz~3,6GHz	LDMOS		NI-400S-2S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50				-	160 mA	2 W	15dB											-										30 V
PZM5.6NB3.115	-	Richiesta di offerta	1912	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM5.6			300 mW	SMT3; MPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																				1,1 V a 100 mA		2 µA a 2,5 V								5,6 V	40 Ohm
NZX4V3B,133	0,0200	Richiesta di offerta	98	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo							NZX4					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
ACTT8B-800C0118	-	Richiesta di offerta	1119	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo												scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	8541.30.0080	1
BZV85-C24,113	0,0300	Richiesta di offerta	80	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1,3 W	DO-41	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																				1 V a 50 mA		50 nA a 17 V								24 V	30 Ohm
BZX84-C39/LF1VL	-	Richiesta di offerta	4368	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C39			250 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069467235	EAR99	8541.10.0050	3.000																				900 mV a 10 mA		50 nA a 27,3 V								39 V	90 Ohm
BY229X-600,127	-	Richiesta di offerta	7874	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto					Foro passante	TO-220-2 Pacchetto completo	BY22		Standard		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																	500 V	1,85 V a 20 A	135 nn	400 µA a 500 V	150°C (massimo)	8A	-
BUK7615-100A,118	-	Richiesta di offerta	6644	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	BUK76		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN					100 V	75A (Tc)	10 V	15 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	6000 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
BFG540/X,215	-	Richiesta di offerta	1316	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA	BFG54			400 mW	SOT-143B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000							-																			15 V	120 mA					NPN		60 a 40 mA, 8 V	9GHz			1,3 dB ~ 2,4 dB a 900 MHz
BC807.215	-	Richiesta di offerta	9226	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo							BC80					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
PMD9003D,115	-	Richiesta di offerta	3497	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		50 V PNP, 45 V PNP		MOSFET del conducente	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PMD90				SC-74	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	3.000				100 mA PNP, 100 mA PNP																												2 PNP (totem)
PMEG2005AESF315	0,0300	Richiesta di offerta	954	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo												scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	9.000
BYV34G-600127	0,6000	Richiesta di offerta	2	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo							BYV34					-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	407