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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)
BZX84-C4V7/LF1VL	-	Richiesta di offerta	1266	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C4V7			250 mW	SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069495235	EAR99	8541.10.0050	3.000																				900 mV a 10 mA		3 µA a 2 V								4,7 V	80 Ohm
PDTA143TS,126	-	Richiesta di offerta	8990	NXP USA Inc.	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto				Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PDTA143			500 mW	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																										50 V	100 mA		1μA			PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	200 a 1 mA, 5 V		4,7 kOhm
PZM2.7NB1.115	-	Richiesta di offerta	2331	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM2.7			300 mW	SMT3; MPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																				1,1 V a 100 mA		20 µA a 1 V								2,7 V	100 ohm
BZB84-B62.215	0,0300	Richiesta di offerta	35	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo	±2%		-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300 mW	SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	11.823	1 paio di anodo comune																			900 mV a 10 mA		50 nA a 43,4 V								62 V	215 Ohm
A2T09VD300NR1	-	Richiesta di offerta	3163	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		105 V		Montaggio superficiale	Variante TO-270-6, conduttori piatti	A2T09	920 MHz	LDMOS		TO-270WB-6A	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935316219528	EAR99	8541.29.0075	500	Doppio			-	1,2A	79 W	21,5dB											-										48 V
BYD17K,135	-	Richiesta di offerta	4686	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SOD-87	BYD17		Valanga		MELF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	8.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																	800 V	1,05 V a 1 A	3 µs	1 µA a 800 V	-65°C ~ 175°C	1,5 A	21pF a 0 V, 1 MHz
MRF5S9100MBR1	-	Richiesta di offerta	7781	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	TO-272BB	MRF5	880 MHz	LDMOS		TO-272 WB-4	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500				-	950 mA	20 W	19,5dB											-										26 V
A3T23H450W23SR6	150,1500	Richiesta di offerta	1890	NXP USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo						A3T23					scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	150
A3I25D080NR1	29.5050	Richiesta di offerta	6184	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		65 V		Montaggio superficiale	Variante TO-270-17, conduttori piatti		2,3GHz~2,69GHz	LDMOS		TO-270WB-17	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	500	Doppio			10 µA	175 mA	8,3 W	29,2dB											-										28 V
MRF8P20140WHSR5	-	Richiesta di offerta	9860	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		65 V		Montaggio superficiale	NI-780S-4L	MRF8	1,88GHz~1,91GHz	LDMOS		NI-780S-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		5A991G	8541.29.0075	50	Doppio			-	500mA	24W	16dB											-										28 V
MRFE6S9205HSR3	-	Richiesta di offerta	4056	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		66 V		Montaggio superficiale	NI-880S	MRFE6	880 MHz	LDMOS		NI-880S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	935321286128	EAR99	8541.29.0075	250				-	1,4A	58 W	21,2dB											-										28 V
MRF6VP41KHSR5	-	Richiesta di offerta	4588	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		110 V		Montaggio su telaio	NI-1230S	MRF6	450 MHz	LDMOS		NI-1230S	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935322861178	EAR99	8541.29.0075	50	Doppio			-	150 mA	1000W	20dB											-										50 V
PHD63NQ03LT,118	-	Richiesta di offerta	7959	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PHD63		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000			CanaleN					30 V	68,9 A(Tc)	5 V, 10 V	13 mOhm a 25 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	9,6 nC a 5 V	±20 V	920 pF a 25 V	-	111 W(Tc)
PBSS4140V,115	-	Richiesta di offerta	5480	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PBSS4			500 mW	SOT-666	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	4.000																										40 V	1A		100 nA			NPN	440 mV a 200 mA, 2 A	300 a 500 mA, 5 V	150 MHz
PMEG2005ESFC315	0,0400	Richiesta di offerta	135	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	9.000
PBSS4032PX/DG/B2115	1.0000	Richiesta di offerta	5022	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	1.000
MD7P19130HSR5	-	Richiesta di offerta	2574	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-780S-4L	MD7P1	1,99GHz	LDMOS		NI-780S-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50	Doppio			-	1,25 A	40 W	20dB											-										28 V
PMPB33XP,115	0,0900	Richiesta di offerta	31	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto			MOSFET (ossido di metallo)		DFN1010B-6	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	3.206			Canale P					20 V	5,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	37 mOhm a 5,5 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	23 nC a 4,5 V	±12V	1575 pF a 10 V	-	1,7 W (Ta), 12,5 W (Tc)
PBSS5330PA,115	-	Richiesta di offerta	4438	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PBSS5					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
PH5525L,115	-	Richiesta di offerta	6378	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PH55		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500			CanaleN					25 V	81,7 A(Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 25 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	16,6 nC a 4,5 V	±20 V	2150 pF a 12 V	-	62,5 W(Tc)
BZX884-C27,315	-	Richiesta di offerta	5420	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX884					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
BZX84-B682215	-	Richiesta di offerta	3424	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
BC850C,235	-	Richiesta di offerta	3011	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BC85					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000
BLF888DU112	-	Richiesta di offerta	2330	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
PMV65XP1215	1.0000	Richiesta di offerta	9013	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
BZB784-C4V3115	1.0000	Richiesta di offerta	5500	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento						0000.00.0000	1
MRF8S9100HR5	-	Richiesta di offerta	2498	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		70 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF8	920 MHz	LDMOS		NI-780H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935314124178	5A991G	8541.29.0075	50				-	500mA	72 W	19,3dB											-										28 V
MMRF1013HSR5	-	Richiesta di offerta	6439	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio su telaio	NI-1230-4S	MMRF1013	2,9GHz	LDMOS		NI-1230-4S	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935318222178	EAR99	8541.29.0075	50	Doppio			-	100 mA	320 W	13,3dB											-										30 V
MRF8VP13350NR3	189.7406	Richiesta di offerta	8277	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		100 V		Montaggio superficiale	OM-780-4L	MRF8VP13350	1,3GHz	LDMOS		OM-780-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935316089528	EAR99	8541.29.0075	250	Doppio			-	100 mA	350 W	19,2dB											-										50 V
BCV61,215	-	Richiesta di offerta	8342	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BCV61					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000