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Prodotti a semiconduttori discreti(6133)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente: max	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
BAW56T,115	-	Richiesta di offerta	1387	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	BAW56		Standard		SC-75	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																									1 paio di anodo comune	90 V	150 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4 ns	500 nA a 80 V	150°C (massimo)
BC54-10PAS115	-	Richiesta di offerta	3070	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000
BAT18.215	-	Richiesta di offerta	3465	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			125°C (TJ)		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT18				SOT-23 (TO-236AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000					100 mA																														1pF a 20V, 1MHz				Standard - Singolo	35 V				700 mOhm a 5 mA, 200 MHz
BUK7Y15-100E115	1.0000	Richiesta di offerta	3646	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.500
PMN70XPEA115	0,2900	Richiesta di offerta	85	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMN70		-			scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000																		-
ACT108-600D,412	0,1400	Richiesta di offerta	19	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			125°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					TO-92-3	scaricamento					EAR99	8541.30.0080	1.697	Separare					20 mA														Logica - Cancello sensibile	600 V	800 mA	900 mV	8A, 8,8A	5 mA
PZM30NB,115	-	Richiesta di offerta	1777	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM30			300 mW	SMT3; MPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																														1,1 V a 100 mA		70 nA a 23 V										30 V	40 Ohm
PMDPB70XP,115	1.0000	Richiesta di offerta	1741	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UFDFN	PMDPB70		MOSFET (ossido di metallo)	490 mW	6-HUSON (2x2)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	2 canali P (doppio)									30 V	2,9 A		87 mOhm a 2,9 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	7,8 nC a 5 V		680 pF a 15 V	Porta a livello logico
MRF5S4125NR1	-	Richiesta di offerta	8925	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	TO-270AB	MRF5	465 MHz	LDMOS		TO-270WB-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500				-			1,1 A	25 W	23dB																	-												28 V
PH4530AL,115	-	Richiesta di offerta	4040	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PH45		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934063198115	EAR99	8541.29.0095	1.500			CanaleN							30 V	-		-	-				-	-
MMRF1318NR1	-	Richiesta di offerta	1621	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		110 V		Montaggio superficiale	TO-270-4	MMRF1	450 MHz	LDMOS		TO-270WB-4	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	935320482528	EAR99	8541.29.0075	500				-			900 mA	300W	22dB																	-												50 V
MRFG35003NR5	-	Richiesta di offerta	6342	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		15 V			PLD-1.5	MRFG35	3,55GHz	pHEMT FET		PLD-1.5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50				-			55 mA	3 W	11,5dB																	-												12 V
PDZ33B,115	-	Richiesta di offerta	1537	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PDZ33					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
MRF1570FNT1	-	Richiesta di offerta	8662	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		40 V		Montaggio su telaio	TO-272-8	MRF15	470 MHz	LDMOS		TO-272-8	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	500				-			800 mA	70 W	11,5dB																	-												12,5 V
NUR460/L01,112	-	Richiesta di offerta	4036	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto				Foro passante	DO-201AD, assiale	NUR460		Standard		DO-201AD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934066108112	EAR99	8541.10.0080	500		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																										600 V		1,28 V a 4 A	65 ns	50 µA a 600 V	150°C (massimo)	4A	-
BUK956R1-100E,127	-	Richiesta di offerta	3617	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUK95		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							100 V	120A (Tc)	5 V, 10 V	5,9 mOhm a 25 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	133 nC a 5 V	±10 V	17460 pF a 25 V	-	349 W(Tc)
PDTA124XK,115	-	Richiesta di offerta	4759	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA124			250 mW	SMT3; MPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																																				50 V	100 mA				1μA				PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V		22 kOhm	47 kOhm
BZX79-C24,133	0,0200	Richiesta di offerta	126	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX79					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000
PHB145NQ06T,118	-	Richiesta di offerta	9436	NXP USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PHB14		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN							55 V	75A (Tc)	10 V	6 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	64,7 nC a 10 V	±20 V	3825 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
BZX384-B56145	0,0200	Richiesta di offerta	30	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BZX384					scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
PMPB20IT,115	-	Richiesta di offerta	5409	NXP USA Inc.	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto			MOSFET (ossido di metallo)		DFN1010B-6	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN							30 V	7,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	19,5 mOhm a 7 A, 10 V	2 V a 250 µA	10,8 nC a 10 V	±20 V	435 pF a 10 V	-	1,7 W (Ta), 12,5 W (Tc)
BC847AW,135	0,0200	Richiesta di offerta	5108	NXP USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																																				45 V	100 mA				15nA (ICBO)				NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PMEG3005EL,315	-	Richiesta di offerta	4451	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						PMEG3005					scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	10.000
BFU520XRVL	0,1208	Richiesta di offerta	7220	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-143R	BFU520			450 mW	SOT-143R	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000									17,5dB																											12V	30mA								NPN		60 a 5 mA, 8 V	10,5GHz			1 dB a 1,8 GHz
BZB84-B5V6215	-	Richiesta di offerta	3555	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
MRF6S19140HR5	-	Richiesta di offerta	1793	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		68 V		Montaggio su telaio	SOT-957A	MRF6	1,93GHz~1,99GHz	LDMOS		NI-880H-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50				-			1,15	29 W	16dB																	-												28 V
AFV141KHSR5	605.1276	Richiesta di offerta	7798	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		105 V		Montaggio su telaio	NI-1230-4S	AFV141	1,4GHz	LDMOS		NI-1230-4S	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	935316277178	EAR99	8541.29.0075	50	Doppio			-			100 mA	1000W	17,7dB																	-												50 V
BZX284-B39.115	-	Richiesta di offerta	1406	NXP USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-110	BZX284			400 mW	SOD-110	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																														1,1 V a 100 mA		50 nA a 27,3 V										39 V	75 Ohm
MD7P19130HSR5	-	Richiesta di offerta	2574	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-780S-4L	MD7P1	1,99GHz	LDMOS		NI-780S-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50	Doppio			-			1,25 A	40 W	20dB																	-												28 V
BC850C,235	-	Richiesta di offerta	3011	NXP USA Inc.	*	Massa	Attivo						BC85					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000