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Prodotti a semiconduttori discreti(471)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Attuale Voltaggio Tensione - Isolamento Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
CSD17305Q5A Texas Instruments CSD17305Q5A 0,6663
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 ECAD 4357 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17305 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 29A (Ta), 100A (Tc) 3 V, 8 V 3,4 mOhm a 30 A, 8 V 1,6 V a 250 µA 18,3 nC a 4,5 V +10V, -8V 2600 pF a 15 V - 3,1 W (Ta)
CSD13383F4T Texas Instruments CSD13383F4T 0,9100
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 ECAD 5 0.00000000 Strumenti texani FemtoFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN CSD13383F4 MOSFET (ossido di metallo) 3-PICOSTAR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 250 CanaleN 12 V 2,9A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 44 mOhm a 500 mA, 4,5 V 1,25 V a 250 µA 2,6 nC a 4,5 V ±10 V 291 pF a 6 V - 500 mW (Ta)
CSD23382F4T Texas Instruments CSD23382F4T 0,8800
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 ECAD 4 0.00000000 Strumenti texani FemtoFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN CSD23382 MOSFET (ossido di metallo) 3-PICOSTAR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 250 Canale P 12 V 3,5A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 76 mOhm a 500 mA, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 1,35 nC a 4,5 V ±8 V 235 pF a 6 V - 500 mW (Ta)
CSD17507Q5A Texas Instruments CSD17507Q5A 0,9100
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 ECAD 6 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17507 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 13A (Ta), 65A (Tc) 4,5 V, 10 V 10,8 mOhm a 11 A, 10 V 2,1 V a 250 µA 3,6 nC a 4,5 V ±20 V 530 pF a 15 V - 3 W (Ta)
CSD17552Q5A Texas Instruments CSD17552Q5A 1.0900
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 ECAD 2 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17552 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 17A (Ta), 60A (Tc) 4,5 V, 10 V 6,2 mOhm a 15 A, 10 V 1,9 V a 250 µA 12 nC a 4,5 V ±20 V 2050 pF a 15 V - 3 W (Ta)
CSD17484F4 Texas Instruments CSD17484F4 0,4800
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 ECAD 57 0.00000000 Strumenti texani FemtoFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN CSD17484 MOSFET (ossido di metallo) 3-PICOSTAR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 3A (Ta) 1,8 V, 8 V 121 mOhm a 500 mA, 8 V 1,1 V a 250 µA 1,2 nC a 4,5 V 12V 195 pF a 15 V - 500 mW (Ta)
TPS1101PWR Texas Instruments TPS1101PWR 0,9823
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 ECAD 9062 0.00000000 Strumenti texani - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 16-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) TPS1101 MOSFET (ossido di metallo) 16-TSSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 Canale P 15 V 2,18 A (Ta) 2,7 V, 10 V 90 mOhm a 2,5 A, 10 V 1,5 V a 250 µA 11,25 nC a 10 V +2V, -15V - 710 mW (Ta)
CSD17313Q2Q1 Texas Instruments CSD17313Q2Q1 0,7600
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 ECAD 6 0.00000000 Strumenti texani Automotive, AEC-Q100, NexFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-WDFN Tampone esposto CSD17313 MOSFET (ossido di metallo) 6-WSON (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 5A (Tc) 3 V, 8 V 30 mOhm a 4 A, 8 V 1,8 V a 250 µA 2,7 nC a 4,5 V +10V, -8V 340 pF a 15 V - 2,3 W(Ta)
CSD18511KCS Texas Instruments CSD18511KCS 1.6900
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 ECAD 254 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 CSD18511 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 40 V 194A (Ta) 4,5 V, 10 V 2,6 mOhm a 100 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 64 nC a 10 V ±20 V 5940 pF a 20 V - 188 W (Ta)
TPS1101D Texas Instruments TPS1101D 2.6800
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 ECAD 105 0.00000000 Strumenti texani - Tubo Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) TPS1101 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 75 Canale P 15 V 2,3A(Ta) 2,7 V, 10 V 90 mOhm a 2,5 A, 10 V 1,5 V a 250 µA 11,25 nC a 10 V +2V, -15V - 791 mW (Ta)
CSD17318Q2T Texas Instruments CSD17318Q2T 1.1000
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 ECAD 3 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-WDFN Tampone esposto CSD17318 MOSFET (ossido di metallo) 6-WSON (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 250 CanaleN 30 V 25A (Tc) 2,5 V, 8 V 15,1 mOhm a 8 A, 8 V 1,2 V a 250 µA 6 nC a 4,5 V ±10 V 879 pF a 15 V - 16 W (Tc)
SN83969N Texas Instruments SN83969N -
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 ECAD 3941 0.00000000 Strumenti texani * Massa Attivo - Non applicabile 3 (168 ore) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1
SN75468DE4 Texas Instruments SN75468DE4 -
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 ECAD 4930 0.00000000 Strumenti texani Automobilistico, AEC-Q100 Tubo Interrotto alla SIC 150°C (TJ) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) 75468 - 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 40 100 V 500mA - 7 PNP Darlington 1,6 V a 500 µA, 350 mA - -
CSD19531Q5AT Texas Instruments CSD19531Q5AT 2.1400
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 ECAD 7 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD19531 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 250 CanaleN 100 V 100A (Ta) 6 V, 10 V 6,4 mOhm a 16 A, 10 V 3,3 V a 250 µA 48 nC a 10 V ±20 V 3870 pF a 50 V - 3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
CSD18510KCS Texas Instruments CSD18510KCS 2.2300
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 ECAD 3 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 CSD18510 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 40 V 200A (Ta) 4,5 V, 10 V 1,7 mOhm a 100 A, 10 V 2,3 V a 250 µA 75 nC a 4,5 V ±20 V 11.400 pF a 20 V - 250 W (Ta)
ULN2803ADWG4 Texas Instruments ULN2803ADWG4 -
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 ECAD 7375 0.00000000 Strumenti texani Automobilistico, AEC-Q100 Tubo Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 18-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) ULN2803 - 18-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 2 (1 anno) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 40 50 V 500mA - 8 PNP Darlington 1,6 V a 500 µA, 350 mA - -
CSD19506KTTT Texas Instruments CSD19506KTTT 6.1100
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 ECAD 5586 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-4, D²Pak (3 conduttori + lingua), TO-263AA CSD19506 MOSFET (ossido di metallo) DDPAK/TO-263-3 scaricamento Conformità ROHS3 2 (1 anno) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 80 V 200A (Ta) 6 V, 10 V 2,3 mOhm a 100 A, 10 V 3,2 V a 250 µA 156 nC a 10 V ±20 V 12200 pF a 40 V - 375 W(Tc)
CSD87330Q3D Texas Instruments CSD87330Q3D 1.5600
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 ECAD 33 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerLDFN CSD87330 MOSFET (ossido di metallo) 6 W 8-LSON (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (mezzo ponte) 30 V 20A - 2,1 V a 250 µA 5,8 nC a 4,5 V 900 pF a 15 V Porta a livello logico
CSD18514Q5AT Texas Instruments CSD18514Q5AT 1.0100
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 ECAD 890 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD18514 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 250 CanaleN 40 V 89A(Tc) 4,5 V, 10 V 7,9 mOhm a 15 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 40 nC a 10 V ±20 V 2683 pF a 20 V - 74 W(Tc)
CSD19506KTT Texas Instruments CSD19506KTT 5.3300
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 ECAD 126 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-4, D²Pak (3 conduttori + lingua), TO-263AA CSD19506 MOSFET (ossido di metallo) DDPAK/TO-263-3 scaricamento Conformità ROHS3 2 (1 anno) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 CanaleN 80 V 200A (Ta) 6 V, 10 V 2,3 mOhm a 100 A, 10 V 3,2 V a 250 µA 156 nC a 10 V ±20 V 12200 pF a 40 V - 375 W(Tc)
CSD18563Q5AT Texas Instruments CSD18563Q5AT 1.6000
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 ECAD 23 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD18563 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 250 CanaleN 60 V 100A (Ta) 4,5 V, 10 V 6,8 mOhm a 18 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±20 V 1500 pF a 30 V - 3,2 W (Ta), 116 W (Tc)
CSD25401Q3 Texas Instruments CSD25401Q3 -
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 ECAD 4271 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD2540 MOSFET (ossido di metallo) CLIP 8-VSON (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 20 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2,5 V, 4,5 V 11,7 mOhm a 10 A, 4,5 V 1,2 V a 250 µA 12,3 nC a 4,5 V ±12V 1400 pF a 10 V - 2,8 W(Ta)
TPIC2202KC Texas Instruments TPIC2202KC 1.3400
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 ECAD 5 0.00000000 Strumenti texani * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1
CSD19534Q5A Texas Instruments CSD19534Q5A 1.0500
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 ECAD 113 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD19534 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 44A(Tc) 6 V, 10 V 15,1 mOhm a 10 A, 10 V 3,4 V a 250 µA 22 nC a 10 V ±20 V 1680 pF a 50 V - 3,2 W (Ta), 63 W (Tc)
CSD17578Q5AT Texas Instruments CSD17578Q5AT 1.3600
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 ECAD 1 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17578 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 250 CanaleN 30 V 25A (Ta) 4,5 V, 10 V 6,9 mOhm a 10 A, 10 V 1,9 V a 250 µA 22,3 nC a 10 V ±20 V 1510 pF a 15 V - 3,1 W (Ta), 42 W (Tc)
CSD87352Q5D Texas Instruments CSD87352Q5D 1.8500
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 ECAD 15 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerLDFN CSD87352Q5 MOSFET (ossido di metallo) 8,5 W 8-LSON (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 30 V 25A - 1,15 V a 250 µA 12,5 nC a 4,5 V 1800 pF a 15 V Porta a livello logico
CSD16412Q5A Texas Instruments CSD16412Q5A 0,9500
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 ECAD 4 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD16412 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 25 V 14A (Ta), 52A (Tc) 4,5 V, 10 V 11 mOhm a 10 A, 10 V 2,3 V a 250 µA 3,8 nC a 4,5 V +16V, -12V 530 pF a 12,5 V - 3 W (Ta)
CSD13385F5T Texas Instruments CSD13385F5T 0,9600
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 ECAD 23 0.00000000 Strumenti texani FemtoFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-SMD, senza piombo CSD13385 MOSFET (ossido di metallo) 3-PICOSTAR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 250 CanaleN 12 V 4,3A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 19 mOhm a 900 mA, 4,5 V 1,2 V a 250 µA 5 nC a 4,5 V 8 V 674 pF a 6 V - 500 mW (Ta)
CSD75211W1723 Texas Instruments CSD75211W1723 -
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 ECAD 2799 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 12-UFBGA, DSBGA CSD75211 MOSFET (ossido di metallo) 1,5 W 12-DSBGA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali P (doppio) 20 V 4,5 A 40 mOhm a 2 A, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 5,9 nC a 4,5 V 600 pF a 10 V Porta a livello logico
LMG3526R030RQST Texas Instruments LMG3526R030RQST 31.6900
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 ECAD 8357 0.00000000 Strumenti texani - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale, fianco bagnabile 52-VQFN Tampone esposto MOSFET - Conformità ROHS3 3 (168 ore) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8542.39.0001 250 Invertitore a mezzo ponte 55A 650 V -
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    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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