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Prodotti a semiconduttore discreti(471)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente - Media rettificata (Io) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Tensione - Rottura (V(BR)GSS) | Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Assorbimento di corrente (Id) -Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD17327Q5A | 0,4292 |  | 5973 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD17327 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 65A (Tc) | 4,5 V, 8 V | 12,2 mOhm a 11 A, 8 V | 2 V a 250 µA | 3,4 nC a 4,5 V | ±10 V | 506 pF a 15 V | - | 3 W (Ta) | ||||||||||||||||||||
 | TPIC1533DWR | 2.3100 | | 5 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD17483F4T | 0,9400 | | 9 | 0.00000000 | Strumenti texani | FemtoFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | CSD17483 | MOSFET (ossido di metallo) | 3-PICOSTAR | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | CanaleN | 30 V | 1,5A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 240 mOhm a 500 mA, 8 V | 1,1 V a 250 µA | 1,3 nC a 4,5 V | 12V | 190 pF a 15 V | - | 500mW (Ta) | ||||||||||||||||||||
 | LM395T/ELLI326 | - | | 1615 | 0.00000000 | Strumenti texani | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | TO-220-3 | LM395 | TO-220-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 296-LM395T/ELLI326 | 1 | 36 V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD25404Q3T | 1.3800 | | 9 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | CSD25404 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (3x3,15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canale P | 20 V | 104A(Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 6,5 mOhm a 10 A, 4,5 V | 1,15 V a 250 µA | 14,1 nC a 4,5 V | ±12V | 2120 pF a 10 V | - | 2,8 W (Ta), 96 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
| CSD17581Q5AT | 1.0400 | | 2 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD17581 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | CanaleN | 30 V | 24A (Ta), 123A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,4 mOhm a 16 A, 10 V | 1,7 V a 250 µA | 54 nC a 10 V | ±20 V | 3640 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 83 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | CSD16340Q3 | 1.2000 | | 25 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD16340 | MOSFET (ossido di metallo) | CLIP 8-VSON (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 25 V | 21A (Ta), 60A (Tc) | 2,5 V, 8 V | 4,5 mOhm a 20 A, 8 V | 1,1 V a 250 µA | 9,2 nC a 4,5 V | +10V, -8V | 1350 pF a 12,5 V | - | 3 W (Ta) | ||||||||||||||||||||
 | SN74S1056D | - | | 7454 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | SN74S1056 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.39.0001 | 52 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD19532Q5B | 2.6400 | | 9 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD19532 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSON-CLIP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 100 V | 100A (Ta) | 6 V, 10 V | 4,9 mOhm a 17 A, 10 V | 3,2 V a 250 µA | 62 nC a 10 V | ±20 V | 4810 pF a 50 V | - | 3,1 W (Ta), 195 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | CSD13383F4 | 0,5000 | | 1 | 0.00000000 | Strumenti texani | FemtoFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | CSD13383 | MOSFET (ossido di metallo) | 3-PICOSTAR | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 12 V | 2,9A(Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 44 mOhm a 500 mA, 4,5 V | 1,25 V a 250 µA | 2,6 nC a 4,5 V | ±10 V | 291 pF a 6 V | - | 500 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||
 | CSD87333Q3DT | 1.5500 | | 325 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD87333Q3 | MOSFET (ossido di metallo) | 6 W | 8-VSON (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canali N (doppio) asimmetrico | 30 V | 15A | 14,3 mOhm a 4 A, 8 V | 1,2 V a 250 µA | 4,6 nC a 4,5 V | 662 pF a 15 V | Porta a livello logico, azionamento a 5 V | ||||||||||||||||||||||
 | CSD17579Q3AT | 1.2200 | | 5 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | CSD17579 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | CanaleN | 30 V | 20A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 10,2 mOhm a 8 A, 10 V | 1,9 V a 250 µA | 15 nC a 10 V | ±20 V | 998 pF a 15 V | - | 3,2 W (Ta), 29 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | ULN2803ADW | 0,8520 | | 4904 | 0.00000000 | Strumenti texani | Automobilistico, AEC-Q100 | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 18-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | ULN2803 | - | 18-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 50 V | 500mA | - | 8 PNP Darlington | 1,6 V a 500 µA, 350 mA | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | CSD87503Q3E | 1.6300 | | 627 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | CSD87503 | MOSFET (ossido di metallo) | 15,6 W | 8-VSON (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Sorgente comune a 2 canali N (doppia). | 30 V | 10A (Ta) | 13,5 mOhm a 6 A, 10 V | 2,1 V a 250 µA | 17,4 nC a 4,5 V | 1020 pF a 15 V | - | ||||||||||||||||||||||
| CSD16323Q3T | - | | 6991 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD16323 | MOSFET (ossido di metallo) | CLIP 8-VSON (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 296-CSD16323Q3T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 25 V | 20A (Ta), 105A (Tc) | 3 V, 8 V | 4,5 mOhm a 24 A, 8 V | 1,4 V a 250 µA | 8,4 nC a 4,5 V | +10V, -8V | 1300 pF a 12,5 V | - | 2,8 W (Ta), 74 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | CSD87351Q5D | 2.2200 | | 9 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerLDFN | CSD87351 | MOSFET (ossido di metallo) | 12 W | 8-LSON (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 32A | 7,6 mOhm a 20 A, 8 V | 2,1 V a 250 µA | 7,7 nC a 4,5 V | 1255 pF a 15 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||||||||
| CSD86336Q3DT | 1.9200 | | 1 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD86336Q3 | MOSFET (ossido di metallo) | 6 W | 8-VSON (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canali N (mezzo ponte) | 25 V | 20A (Ta) | 9,1 mOhm a 20 A, 5 V, 3,4 mOhm a 20 A, 5 V | 1,9 V a 250 µA, 1,6 V a 250 µA | 3,8 nC a 45 V, 7,4 nC a 45 V | 494pF a 12,5 V, 970pF a 12,5 V | Porta a livello logico, azionamento a 5 V | ||||||||||||||||||||||
 | JFE150DBVR | 1.2493 | | 2546 | 0.00000000 | Strumenti texani | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | JFE150 | SOT-23-5 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 296-JFE150DBVR | 3.000 | CanaleN | 40 V | 24 pF a 5 V | 40 V | 24 mA a 10 V | 1,5 V a 100 nA | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||
 | CSD23202W10T | 1.0000 | | 15 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | MOSFET (ossido di metallo) | 4-DSBGA (1x1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canale P | 12 V | 2,2A(Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 53 mOhm a 500 mA, 4,5 V | 900 mV a 250 µA | 3,8 nC a 4,5 V | -6V | 512 pF a 6 V | - | 1 W (Ta) | ||||||||||||||||||||
| CSD17577Q5A | 0,8200 | | 8 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD17577 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 60A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 4,2 mOhm a 18 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 35 nC a 10 V | ±20 V | 2310 pF a 15 V | - | 3 W (Ta), 53 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | ULN2803CDWR | 1.2600 | | 4282 | 0.00000000 | Strumenti texani | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 20-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | ULN2803 | - | 20-SOIC | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 50 V | 500mA | 50 µA | 8 PNP Darlington | 1,6 V a 500 µA, 350 mA | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | 2.6400 | | 6 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD16401 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSON-CLIP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 25 V | 38A (Ta), 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,6 mOhm a 40 A, 10 V | 1,9 V a 250 µA | 29 nC a 4,5 V | +16V, -12V | 4100 pF a 12,5 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||||||||||||||||||
| CSD17575Q3T | 1.3500 | | 20 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD17575 | MOSFET (ossido di metallo) | CLIP 8-VSON (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | CanaleN | 30 V | 60A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 2,3 mOhm a 25 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 30 nC a 4,5 V | ±20 V | 4420 pF a 15 V | - | 2,8 W (Ta), 108 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
| CSD18537NQ5A | 0,9200 | | 21 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD18537 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 60 V | 50A (Tc) | 6 V, 10 V | 13 mOhm a 12 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | 18 nC a 10 V | ±20 V | 1480 pF a 30 V | - | 3,2 W (Ta), 75 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | UC1610J | 7.3500 | | 76 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TIL3009 | 0,3600 | | 2 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | 2.8100 | | 1 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD17570Q5 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSON-CLIP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | CanaleN | 30 V | 100A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 0,69 mOhm a 50 A, 10 V | 1,9 V a 250 µA | 121 nC a 4,5 V | ±20 V | 13600 pF a 15 V | - | 3,2 W(Ta) | ||||||||||||||||||||
 | ULN2803AN-P | - | | 1762 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | ULN2803 | scaricamento | Venditore non definito | REACH Inalterato | 2156-ULN2803AN-P-296 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD19503KCS | 1.7300 | | 1377 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | CSD19503 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 80 V | 100A (Ta) | 6 V, 10 V | 9,2 mOhm a 60 A, 10 V | 3,4 V a 250 µA | 36 nC a 10 V | ±20 V | 2730 pF a 40 V | - | 188 W(Tc) | ||||||||||||||||||||
 | UC3610DW | 7.3800 | | 1 | 0.00000000 | Strumenti texani | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | UC3610 | Schottky | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 1,3 V a 1 A | 100 µA a 40 V | 3A | Monofase | 50 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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