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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD18535KCS | 3.1400 | ![]() | 1074 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | CSD18535 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 60 V | 200A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 2 mOhm a 100 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 81 nC a 10 V | ±20 V | 6620 pF a 30 V | - | 300 W(Tc) | |||||||||||
![]() | ULN2803ADWR | - | ![]() | 5137 | 0.00000000 | Strumenti texani | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 18-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | ULN2803 | - | 18-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 50 V | 500mA | - | 8 PNP Darlington | 1,6 V a 500 µA, 350 mA | - | - | ||||||||||||||
![]() | TPIC5322LD | - | ![]() | 5810 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17577Q5AT | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD17577 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | CanaleN | 30 V | 60A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 4,2 mOhm a 18 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 35 nC a 10 V | ±20 V | 2310 pF a 15 V | - | 3 W (Ta), 53 W (Tc) | ||||||||||
![]() | TPIC1502DWR | 1.2400 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD16556Q5B | 2.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD16556 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 25 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,07 mOhm a 30 A, 10 V | 1,7 V a 250 µA | 47 nC a 4,5 V | ±20 V | 6180 pF a 15 V | - | 3,2 W (Ta), 191 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD16327Q3 | 1.1400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD16327 | MOSFET (ossido di metallo) | CLIP 8-VSON (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 25 V | 60A (Tc) | 3 V, 8 V | 4 mOhm a 24 A, 8 V | 1,4 V a 250 µA | 8,4 nC a 4,5 V | +10V, -8V | 1300 pF a 12,5 V | - | 3 W (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD17303Q5 | 1.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD17303 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSON-CLIP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 32A (Ta), 100A (Tc) | 3 V, 8 V | 2,4 mOhm a 25 A, 8 V | 1,6 V a 250 µA | 23 nC a 4,5 V | +10V, -8V | 3420 pF a 15 V | - | 3,2 W(Ta) | ||||||||||
![]() | CSD17576Q5BT | 1.5700 | ![]() | 477 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD17576Q5 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | CanaleN | 30 V | 100A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 2 mOhm a 25 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 32 nC a 4,5 V | ±20 V | 4430 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 125 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD18563Q5A | 1.4900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD18563 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 60 V | 100A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 6,8 mOhm a 18 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±20 V | 1500 pF a 30 V | - | 3,2 W (Ta), 116 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD23285F5 | 0,5300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Strumenti texani | FemtoFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | CSD23285 | MOSFET (ossido di metallo) | 3-PICOSTAR | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 12 V | 5,4A(Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 35 mOhm a 1 A, 4,5 V | 950 mV a 250 µA | 4,2 nC a 4,5 V | -6V | 628 pF a 6 V | - | 500mW (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD87502Q2T | 1.2100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-WDFN Tampone esposto | CSD87502 | MOSFET (ossido di metallo) | 2,3 W | 6-WSON (2x2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 5A | 32,4 mOhm a 4 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 6nC a 10V | 353 pF a 15 V | Porta a livello logico, azionamento a 5 V | ||||||||||||
![]() | CSD18503Q5AT | 1.7100 | ![]() | 733 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD18503 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | CanaleN | 40 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,3 mOhm a 22 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 16 nC a 4,5 V | ±20 V | 2640 pF a 20 V | - | 3,1 W (Ta), 120 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD16409Q3 | 0,9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD16409 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 25 V | 15A (Ta), 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8,2 mOhm a 17 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 5,6 nC a 4,5 V | +16V, -12V | 800 pF a 12,5 V | - | 2,6 W(Ta) | ||||||||||
![]() | CSD18503Q5A | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD18503 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSONP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 40 V | 19A (Ta), 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,3 mOhm a 22 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 32 nC a 10 V | ±20 V | 2640 pF a 20 V | - | 3,1 W (Ta), 120 W (Tc) | ||||||||||
![]() | SN75468N | 1.0100 | ![]() | 820 | 0.00000000 | Strumenti texani | Automobilistico, AEC-Q100 | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | 75468 | - | 16-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100 V | 500mA | - | 7 PNP Darlington | 1,6 V a 500 µA, 350 mA | - | - | ||||||||||||||
![]() | CSD22205L | 0,5400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-XFLGA | CSD22205 | MOSFET (ossido di metallo) | 4-PICOSTAR | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 8 V | 7,4A(Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 9,9 mOhm a 1 A, 4,5 V | 1,05 V a 250 µA | 8,5 nC a 4,5 V | -6V | 1390 pF a 4 V | - | 600mW(Ta) | ||||||||||
![]() | CSD18540Q5BT | 3.0600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | CSD18540 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-VSON-CLIP (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | CanaleN | 60 V | 100A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 2,2 mOhm a 28 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 53 nC a 10 V | ±20 V | 4230 pF a 30 V | - | 3,1 W (Ta), 195 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD18541F5T | 0,9500 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Strumenti texani | FemtoFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | CSD18541 | MOSFET (ossido di metallo) | 3-PICOSTAR | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | CanaleN | 60 V | 2,2A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 65 mOhm a 1 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 14 nC a 10 V | ±20 V | 777 pF a 30 V | - | 500mW (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD87351ZQ5D | 0,9692 | ![]() | 7926 | 0.00000000 | Strumenti texani | NexFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerLDFN | CSD87351 | MOSFET (ossido di metallo) | 12 W | 8-LSON (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canali N (doppio) asimmetrico | 30 V | 32A | - | 2,1 V a 250 µA | 7,7 nC a 4,5 V | 1255 pF a 15 V | Porta a livello logico | ||||||||||||
![]() | SN74S1052NS | 1.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | - | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 |

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