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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
CSD19502Q5B Texas Instruments CSD19502Q5B 2.6500
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ECAD 14 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD19502 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSON-CLIP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 80 V 100A (Ta) 6 V, 10 V 4,1 mOhm a 19 A, 10 V 3,3 V a 250 µA 62 nC a 10 V ±20 V 4870 pF a 40 V - 3,1 W (Ta), 195 W (Tc)
CSD13381F4T Texas Instruments CSD13381F4T 0,9300
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ECAD 6 0.00000000 Strumenti texani FemtoFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN CSD13381F4 MOSFET (ossido di metallo) 3-PICOSTAR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 250 CanaleN 12 V 2.1A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 180 mOhm a 500 mA, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 1,4 nC a 4,5 V 8 V 200 pF a 6 V - 500mW (Ta)
CSD19501KCS Texas Instruments CSD19501KCS 2.1100
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ECAD 6762 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 CSD19501 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 80 V 100A (Ta) 6 V, 10 V 6,6 mOhm a 60 A, 10 V 3,2 V a 250 µA 50 nC a 10 V ±20 V 3980 pF a 40 V - 217 W(Tc)
KEG-ULN2803AN Texas Instruments KEG-ULN2803AN 0,7000
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ECAD 1 0.00000000 Strumenti texani * Massa Attivo KEG-ULN2803 - Non applicabile 3 (168 ore) Venditore non definito EAR99 8542.33.0001 466
CSD19533KCS Texas Instruments CSD19533KCS 1.7500
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ECAD 2 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 CSD19533 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 100 V 100A (Ta) 6 V, 10 V 10,5 mOhm a 55 A, 10 V 3,4 V a 250 µA 35 nC a 10 V ±20 V 2670 pF a 50 V - 188 W(Tc)
CSD17308Q3 Texas Instruments CSD17308Q3 0,9500
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ECAD 24 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17308 MOSFET (ossido di metallo) CLIP 8-VSON (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 14A (Ta), 44A (Tc) 3 V, 8 V 10,3 mOhm a 10 A, 8 V 1,8 V a 250 µA 5,1 nC a 4,5 V +10V, -8V 700 pF a 15 V - 2,7 W(Ta)
CSD17578Q5A Texas Instruments CSD17578Q5A 0,7600
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ECAD 2 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17578 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 25A (Ta) 4,5 V, 10 V 6,9 mOhm a 10 A, 10 V 1,9 V a 250 µA 22,3 nC a 10 V ±20 V 1510 pF a 15 V - 3,1 W (Ta), 42 W (Tc)
CSD87502Q2 Texas Instruments CSD87502Q2 0,5900
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ECAD 76 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-WDFN Tampone esposto CSD87502 MOSFET (ossido di metallo) 2,3 W 6-WSON (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 30 V 5A 32,4 mOhm a 4 A, 10 V 2 V a 250 µA 6nC a 10V 353 pF a 15 V -
CSD16404Q5A Texas Instruments CSD16404Q5A 1.0900
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ECAD 4 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD16404 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 25 V 21A (Ta), 81A (Tc) 4,5 V, 10 V 5,1 mOhm a 20 A, 10 V 2,1 V a 250 µA 8,5 nC a 4,5 V +16V, -12V 1220 pF a 12,5 V - 3 W (Ta)
CSD17306Q5A Texas Instruments CSD17306Q5A 1.3700
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ECAD 4 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17306 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3 V, 8 V 3,7 mOhm a 22 A, 8 V 1,6 V a 250 µA 15,3 nC a 4,5 V +10V, -8V 2170 pF a 15 V - 3,2 W(Ta)
CSD17381F4T Texas Instruments CSD17381F4T 0,9800
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ECAD 88 0.00000000 Strumenti texani FemtoFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN CSD17381 MOSFET (ossido di metallo) 3-PICOSTAR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 250 CanaleN 30 V 3.1A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 109 mOhm a 500 mA, 8 V 1,1 V a 250 µA 1,35 nC a 4,5 V 12V 195 pF a 15 V - 500mW (Ta)
CSD17381F4 Texas Instruments CSD17381F4 0,4200
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ECAD 3 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN CSD17381 MOSFET (ossido di metallo) 3-PICOSTAR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 3.1A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 109 mOhm a 500 mA, 8 A 1,1 V a 250 µA 1,35 nC a 4,5 V 12V 195 pF a 15 V - 500mW (Ta)
CSD19533Q5A Texas Instruments CSD19533Q5A 1.5600
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ECAD 579 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD19533 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 100A (Ta) 6 V, 10 V 9,4 mOhm a 13 A, 10 V 3,4 V a 250 µA 35 nC a 10 V ±20 V 2670 pF a 50 V - 3,2 W (Ta), 96 W (Tc)
CSD75208W1015T Texas Instruments CSD75208W1015T 1.1300
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ECAD 7 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-UFBGA, DSBGA CSD75208 MOSFET (ossido di metallo) 750 mW 6 DSBGA (1x1,5) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 250 Sorgente comune a 2 canali P (doppia). 20 V 1,6 A 68 mOhm a 1 A, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 2,5 nC a 4,5 V 410 pF a 10 V Porta a livello logico
CSD15380F3T Texas Instruments CSD15380F3T 0,9400
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ECAD 9 0.00000000 Strumenti texani FemtoFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN CSD15380 MOSFET (ossido di metallo) 3-PICOSTAR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 250 CanaleN 20 V 500mA (Ta) 2,5 V, 8 V 1190 mOhm a 100 mA, 8 V 1,35 V a 2,5 µA 0,281 nC a 10 V 10 V 10,5 pF a 10 V - 500mW (Ta)
CSD16325Q5C Texas Instruments CSD16325Q5C -
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ECAD 5546 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD1632 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSON-CLIP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 3 V, 8 V 2 mOhm a 30 A, 8 V 1,4 V a 250 µA 25 nC a 4,5 V +10V, -8V 4000 pF a 12,5 V - 3,1 W (Ta)
CSD17575Q3 Texas Instruments CSD17575Q3 1.1200
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ECAD 77 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17575 MOSFET (ossido di metallo) CLIP 8-VSON (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 60A (Ta) 4,5 V, 10 V 2,3 mOhm a 25 A, 10 V 1,8 V a 250 µA 30 nC a 4,5 V ±20 V 4420 pF a 15 V - 2,8 W (Ta), 108 W (Tc)
CSD19531KCS Texas Instruments CSD19531KCS 2.2100
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ECAD 298 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 CSD19531 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 100 V 100A (Ta) 6 V, 10 V 7,7 mOhm a 60 A, 10 V 3,3 V a 250 µA 38 nC a 10 V ±20 V 3870 pF a 50 V - 214 W(Tc)
CSD18537NKCS Texas Instruments CSD18537NKCS 1.3500
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ECAD 3 0.00000000 Strumenti texani - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 CSD18537 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 50A (Tc) 6 V, 10 V 14 mOhm a 25 A, 10 V 3,5 V a 250 µA 18 nC a 10 V ±20 V 1480 pF a 30 V - 94 W (Tc)
CSD23203W Texas Instruments CSD23203W 0,5100
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ECAD 3 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-UFBGA, DSBGA CSD23203 MOSFET (ossido di metallo) 6 DSBGA (1x1,5) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 8 V 3A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 19,4 mOhm a 1,5 A, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 6,3 nC a 4,5 V -6V 914 pF a 4 V - 750 mW(Ta)
CSD19532KTT Texas Instruments CSD19532KTT 2.6600
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ECAD 3 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-4, D²Pak (3 conduttori + lingua), TO-263AA CSD19532 MOSFET (ossido di metallo) DDPAK/TO-263-3 scaricamento Conformità ROHS3 2 (1 anno) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 CanaleN 100 V 200A (Ta) 6 V, 10 V 5,6 mOhm a 90 A, 10 V 3,2 V a 250 µA 57 nC a 10 V ±20 V 5060 pF a 50 V - 250 W(Tc)
CSD17581Q3AT Texas Instruments CSD17581Q3AT 0,9700
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ECAD 2 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN CSD17581 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 250 CanaleN 30 V 60A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,8 mOhm a 16 A, 10 V 1,7 V a 250 µA 54 nC a 10 V ±20 V 3640 pF a 15 V - 2,8 W (Ta), 63 W (Tc)
ULN2803ADWR Texas Instruments ULN2803ADWR -
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ECAD 5137 0.00000000 Strumenti texani Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 18-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) ULN2803 - 18-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 2 (1 anno) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 50 V 500mA - 8 PNP Darlington 1,6 V a 500 µA, 350 mA - -
TPIC5322LD Texas Instruments TPIC5322LD -
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ECAD 5810 0.00000000 Strumenti texani * Massa Attivo - RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1
CSD17577Q5AT Texas Instruments CSD17577Q5AT 1.4100
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ECAD 2 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17577 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 250 CanaleN 30 V 60A (Ta) 4,5 V, 10 V 4,2 mOhm a 18 A, 10 V 1,8 V a 250 µA 35 nC a 10 V ±20 V 2310 pF a 15 V - 3 W (Ta), 53 W (Tc)
TPIC1502DWR Texas Instruments TPIC1502DWR 1.2400
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ECAD 38 0.00000000 Strumenti texani * Massa Attivo scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1
CSD16327Q3 Texas Instruments CSD16327Q3 1.1400
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ECAD 16 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD16327 MOSFET (ossido di metallo) CLIP 8-VSON (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 25 V 60A (Tc) 3 V, 8 V 4 mOhm a 24 A, 8 V 1,4 V a 250 µA 8,4 nC a 4,5 V +10 V, -8 V 1300 pF a 12,5 V - 3 W (Ta)
CSD17303Q5 Texas Instruments CSD17303Q5 1.7500
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ECAD 3 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17303 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSON-CLIP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3 V, 8 V 2,4 mOhm a 25 A, 8 V 1,6 V a 250 µA 23 nC a 4,5 V +10 V, -8 V 3420 pF a 15 V - 3,2 W(Ta)
CSD17576Q5BT Texas Instruments CSD17576Q5BT 1.5700
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ECAD 477 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD17576Q5 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 250 CanaleN 30 V 100A (Ta) 4,5 V, 10 V 2 mOhm a 25 A, 10 V 1,8 V a 250 µA 32 nC a 4,5 V ±20 V 4430 pF a 15 V - 3,1 W (Ta), 125 W (Tc)
CSD18563Q5A Texas Instruments CSD18563Q5A 1.4900
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ECAD 12 0.00000000 Strumenti texani NexFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN CSD18563 MOSFET (ossido di metallo) 8-VSONP (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 100A (Ta) 4,5 V, 10 V 6,8 mOhm a 18 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±20 V 1500 pF a 30 V - 3,2 W (Ta), 116 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock