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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)
CDLL5276B	3.7350	Richiesta di offerta	3384	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF	CDLL5276				DO-213AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		100 nA a 108 V												150 V	1500 Ohm
JANTX1N3821DUR-1/TR	45.2466	Richiesta di offerta	7459	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)				1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N3821DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA		100 µA a 1 V												3,3 V	10 Ohm
JANTX1N4112CUR-1/TR	21.9051	Richiesta di offerta	2817	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)				500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4112CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		50 nA a 13,7 V												18 V	100 ohm
1N3157-1	47.5650	Richiesta di offerta	5079	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N3157			500 mW	DO-7	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1														10 µA a 5,5 V												8,4 V	15 Ohm
SMBJ5944B/TR13	1.5600	Richiesta di offerta	1456	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5944			2 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000												1,2 V a 200 mA		1 µA a 47,1 V												62 V	100 ohm
JANTX1N3154-1/TR	-	Richiesta di offerta	2124	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/158	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N3154-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 2 A		10 µA a 5,5 V												8,8 V	15 Ohm
APT20GN60BDQ1G	3.2186	Richiesta di offerta	3270	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT20GN60	Standard		136 W	TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 20 A, 4,3 Ohm, 15 V															Sosta sul campo di trincea	600 V	40A	60A	1,9 V a 15 V, 20 A	230μJ (acceso), 580μJ (spento)	120 nC	9ns/140ns
CDLL747A	2.7450	Richiesta di offerta	4831	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF	CDLL747			500 mW	DO-213AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		3 µA a 1 V												3,6 V	24 Ohm
UZ860	22.4400	Richiesta di offerta	9786	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	-65°C ~ 175°C	Foro passante	A, assiale				3 W	A, assiale	-			REACH Inalterato	150-UZ860	EAR99	8541.10.0050	1
JANS1N4463CUS	283.8300	Richiesta di offerta	3376	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, A				1,5 W	D-5A	-			REACH Inalterato	150-JANS1N4463CUS	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		500 nA a 4,92 V												8,2 V	3 Ohm
JAN1N4133-1/TR	3.2585	Richiesta di offerta	7928	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale					DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N4133-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		10 nA a 66,2 V												87 V	1000 ohm
JANKCA1N5541D	-	Richiesta di offerta	3738	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-JANKCA1N5541D	EAR99	8541.10.0050	100												1,1 V a 200 mA		10 nA a 19,8 V												22 V	100 ohm
JANS1N4119UR-1/TR	45.8600	Richiesta di offerta	5439	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TA)	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)				500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS1N4119UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		10 nA a 21,3 V												28 V	200 ohm
CDLL5224C/TR	6.9150	Richiesta di offerta	7984	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA				10 mW	DO-213AA	-			REACH Inalterato	150-CDLL5224C/TR	EAR99	8541.10.0050	137												1,1 V a 200 mA		75 µA a 1 V												2,8 V	30 Ohm
1N7049-1/TR	7.3650	Richiesta di offerta	3217	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo					1N7049					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N7049-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4580AUR-1/TR	9.0600	Richiesta di offerta	8824	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/452	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)				500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N4580AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1														2 µA a 3 V												6,4 V	25 Ohm
1PMT4108/TR13	0,9000	Richiesta di offerta	8437	Tecnologia del microchip	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT4108			1 W	DO-216	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.000												1,1 V a 200 mA		50 nA a 10,65 V												14 V	200 ohm
1N5248BUR-1/TR	3.0200	Richiesta di offerta	4378	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA				500 mW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	658												1,1 V a 200 mA		100 nA a 14 V												18 V	21 Ohm
JANS1N6310C	280.2750	Richiesta di offerta	6148	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Vassoio	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N6310			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,4 V a 1 A		60 µA a 1 V												2,7 V	30 Ohm
JAN1N6333DUS	38.2200	Richiesta di offerta	8879	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B				500 mW	B, SQ-MELF	-			REACH Inalterato	150-JAN1N6333DUS	EAR99	8541.10.0050	1												1,4 V a 1 A		50 nA a 18 V												24 V	24 Ohm
JANTXV1N6335DUS/TR	68.7000	Richiesta di offerta	3225	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/533	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B				500 mW	B, SQ-MELF	-				150-JANTXV1N6335DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100												1,4 V a 1 A		50 nA a 23 V												30 V	32 Ohm
JANTXV1N5540BUR-1/TR	17.2900	Richiesta di offerta	6791	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)				500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N5540BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		10 nA a 18 V												20 V	100 ohm
1PMT4122C/TR13	1.2450	Richiesta di offerta	2716	Tecnologia del microchip	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT4122			1 W	DO-216	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.000												1,1 V a 200 mA		10 nA a 27,38 V												36 V	200 ohm
UPS6150/TR13	2.7000	Richiesta di offerta	4009	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-216AA	UPS6150		Schottky		Powermite	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	5.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)										150 V	750 mV a 6 A		100 µA a 150 V	-55°C ~ 150°C	6A	-
JAN1N4616-1	-	Richiesta di offerta	5131	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Interrotto alla SIC	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		2 µA a 1 V												2,2 V	1300 Ohm
APT1003RSFLLG	11.9700	Richiesta di offerta	8472	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo			Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT1003		MOSFET (ossido di metallo)		D3 [S]	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1000 V	4A(Tc)	3 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 1 mA	34 nC a 10 V	694 pF a 25 V	-
JANTXV1N6632DUS/TR	-	Richiesta di offerta	8352	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/356	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, E				5 W	E-MELF	scaricamento				150-JANTXV1N6632DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		300 µA a 1 V												3,3 V	3 Ohm
1PMT5938/TR7	2.2200	Richiesta di offerta	4674	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5938			3 W	DO-216AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000												1,2 V a 200 mA		1 µA a 27,4 V												36 V	38 Ohm
UES704R	59.5650	Richiesta di offerta	8796	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Montaggio a perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero			Standard		DO-203AA (DO-4)	-		Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)										200 V	1,25 V a 20 A	50 n		-	20A	-
1N5525D	4.5220	Richiesta di offerta	1570	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N5525D	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		1 µA a 5 V												6,2 V	30 Ohm