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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JANS1N7051UR-1/TR	163.0650	Richiesta di offerta	7215	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS1N7051UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1
JANTXV1N6633C	-	Richiesta di offerta	6170	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	E, assiale			5 W	E, assiale	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,5 V a 1 A		250 µA a 1 V									3,6 V	2,5 Ohm
2N3763	27.5443	Richiesta di offerta	1088	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C~200°C	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3763		500 mW	TO-39	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1										60 V	1,5 A			100 nA				PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	20 a 1,5 A, 5 V	-
JANTXV1N748C-1/TR	10.2410	Richiesta di offerta	5269	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N748C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		2 µA a 1 V									3,9 V	23 Ohm
UFT3150C	67.1100	Richiesta di offerta	5168	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Foro passante	TO-204AA, TO-3	UFT3150	Standard		TO-204AD (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		500 V	1,1 V a 15 A	50 n	15 µA a 500 V	-65°C ~ 175°C	30A	115 pF a 10 V, 1 MHz
JANTXV1N4990DUS	51.1200	Richiesta di offerta	6998	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			5 W	E-MELF	-			REACH Inalterato	150-JANTXV1N4990DUS	EAR99	8541.10.0050	1				1,5 V a 1 A		2 µA a 167 V									220 V	550 Ohm
1N6025UR/TR	3.7350	Richiesta di offerta	8001	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW	DO-213AA	-				150-1N6025UR/TR	EAR99	8541.10.0050	264				1,1 V a 200 mA											110 V
JANTXV1N6351US/TR	22.4550	Richiesta di offerta	3021	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/533	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	scaricamento				150-JANTXV1N6351US/TR	EAR99	8541.10.0050	100				1,4 V a 1 A		50 nA a 99 V									130 V	850 Ohm
JAN1N3339RB	-	Richiesta di offerta	3883	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/358	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero			50 W	DO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,5 V a 10 A		10 µA a 69,2 V									91 V	15 Ohm
CD5811	7.5450	Richiesta di offerta	5190	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-CD5811			1
JANTXV1N3910A	-	Richiesta di offerta	4681	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/308	Massa	Attivo			Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero		Standard		DO-5	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		100 V	1,4 V a 50 A	150 n		-65°C ~ 150°C	50A	-
2N5795A	71.0700	Richiesta di offerta	8390	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N5795		600 mW	TO-78-6	-			REACH Inalterato	150-2N5795A	EAR99	8541.21.0095	1										60 V	600mA			10μA (ICBO)				2 PNP (doppio)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
1PMT5948A/TR7	2.2200	Richiesta di offerta	3183	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5948		3 W	DO-216AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000				1,2 V a 200 mA		1 µA a 69,2 V									91 V	200 ohm
JAN1N5546D-1	13.8000	Richiesta di offerta	6039	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5546		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		10 nA a 29,7 V									33 V	100 ohm
JAN1N3827CUR-1/TR	31.6274	Richiesta di offerta	6690	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)			1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N3827CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1,2 V a 200 mA		3 µA a 2 V									5,6 V	5 Ohm
JANKCA1N4109C	-	Richiesta di offerta	4489	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Morire			500 mW	Morire	-			REACH Inalterato	150-JANKCA1N4109C	EAR99	8541.10.0050	100				1,1 V a 200 mA		50 nA a 11,4 V									15 V	100 ohm
2N5415UAC	63.3600	Richiesta di offerta	4897	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo			750 mW	UA	-			REACH Inalterato	150-2N5415UAC	EAR99	8541.21.0095	1										200 V	1A			1mA				PNP	2 V a 5 mA, 50 mA	30 a 50 mA, 10 V	-
JAN1N6341CUS	63.7050	Richiesta di offerta	6833	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	-			REACH Inalterato	150-JAN1N6341CUS	EAR99	8541.10.0050	1				1,4 V a 1 A		50 nA a 39 V									51 V	85 Ohm
CDLL5272/TR	3.3516	Richiesta di offerta	1551	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF			10 mW	DO-213AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL5272/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		100 nA a 84 V									110 V	750 Ohm
JANTX1N4107CUR-1	20.4900	Richiesta di offerta	3774	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N4107		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		50 nA a 9,9 V									13 V	200 ohm
JANTXV1N4106UR-1	12.4950	Richiesta di offerta	6392	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N4106		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		50 nA a 9,2 V									12 V	200 ohm
JANKCA1N751A	-	Richiesta di offerta	5078	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCA1N751A	EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		5 µA a 2 V									5,1 V	17 Ohm
1N4684UR-1	5.0850	Richiesta di offerta	6491	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N4684		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,5 V a 100 mA		7,5 µA a 1,5 V									3,3 V
CDLL4909A/TR	62.4150	Richiesta di offerta	7988	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW	DO-213AA	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL4909A/TR	EAR99	8541.10.0050	1						15 µA a 8 V									12,8 V	50 Ohm
JANTX1N4126-1/TR	5.7190	Richiesta di offerta	3291	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4126-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		10 nA a 38,8 V									51 V	300 ohm
CD5231B	1.4497	Richiesta di offerta	1309	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Morire			500 mW	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD5231B	EAR99	8541.10.0050	1				1,5 V a 200 mA		5 µA a 2 V									5,1 V	17 Ohm
CD3018B	3.6043	Richiesta di offerta	8528	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Morire			1 W	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD3018B	EAR99	8541.10.0050	1				1,2 V a 200 mA		5 µA a 6,2 V									8,2 V	4,5 Ohm
JANHCA1N5539D	-	Richiesta di offerta	2728	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-JANHCA1N5539D	EAR99	8541.10.0050	100				1,1 V a 200 mA		10 nA a 17,1 V									19 V	100 ohm
UM9415	-	Richiesta di offerta	7732	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 175°C		Assiale				Assiale	-			REACH Inalterato	150-UM9415TR	EAR99	8541.10.0060	1		10 W							4 pF a 0 V, 100 MHz			PIN: singolo	50 V				1 Ohm a 50 mA, 100 MHz
1N4759APE3/TR12	0,9450	Richiesta di offerta	5434	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4759		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	4.000				1,2 V a 200 mA		5 µA a 47,1 V									62 V	125 Ohm