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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
CDS5187	-	Richiesta di offerta	2184	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-CDS5187			50
1N6313US/TR	14.7900	Richiesta di offerta	3334	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	-					EAR99	8541.10.0050	100													1,4 V a 1 A		3 µA a 1 V						3,6 V	25 Ohm
688-18	280.3200	Richiesta di offerta	6046	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Montaggio su telaio	Modulo		Standard		-	scaricamento			REACH Inalterato	150-688-18	EAR99	8541.10.0070	1	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità											1800 V	30 V a 400 mA	500 n	2 µA a 18.000 V	-65°C ~ 150°C	350mA	-
1N5731C	3.2100	Richiesta di offerta	1497	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5731		500 mW	DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													900 mV a 10 mA		3 µA a 4 V						6,2 V	10 Ohm
JANTXV1N4480/TR	13.1250	Richiesta di offerta	7759	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AL, DO041, assiale			1,5 W	DO-41	-			REACH Inalterato	150-JANTXV1N4480/TR	EAR99	8541.10.0050	119													1,5 V a 1 A		50 nA a 34,4 V						43 V	40 Ohm
1N1189R	74.5200	Richiesta di offerta	9649	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero	1N1189	Standard, polarità inversa		DO-203AB (DO-5)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	1N1189RMS	EAR99	8541.10.0080	1	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)											500 V	1,19 V a 90 A		10 µA a 500 V	-65°C ~ 200°C	40A	-
JAN1N753CUR-1	11.3850	Richiesta di offerta	1170	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N753		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		5 µA a 3,5 V						6,2 V	7 Ohm
1N3038BUR-1/TR	15.4500	Richiesta di offerta	1111	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)			1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	100													1,2 V a 200 mA		10 µA a 42,6 V						56 V	110 Ohm
JANTX1N969CUR-1	16.6950	Richiesta di offerta	6003	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Massa	Attivo	±2%	-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N969		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		500 nA a 17 V						22 V	29 Ohm
698-4	-	Richiesta di offerta	1219	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Confezione da 4 piatti		Standard		GA	-			REACH Inalterato	150-698-4	EAR99	8541.10.0080	25													1,1 V a 2 A		5 µA a 400 V		2,25 A		Monofase	400 V
JANTX1N4480D	28.1550	Richiesta di offerta	2021	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4480		1,5 W	DO-41	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1 V a 200 mA		50 nA a 34,4 V						43 V	40 Ohm
CDLL985A	2.9400	Richiesta di offerta	5391	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF	CDLL985		500 mW	DO-213AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		500 nA a 76 V						100 V	500 ohm
JAN1N3047CUR-1/TR	-	Richiesta di offerta	1457	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)			1,25 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-				150-JAN1N3047CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1													1,2 V a 200 mA		500 nA a 98,8 V						130 V	700 Ohm
JANTXV1N6620US	19.0950	Richiesta di offerta	2326	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/585	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SQ-MELF, A	1N6620	Standard		D-5A	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)											220 V	1,4 V a 1,2 A	30 ns	500 nA a 220 V	-65°C ~ 150°C	1,2A	-
JANTXV1N977B-1	4.1400	Richiesta di offerta	9484	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N977		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		500 nA a 36 V						47 V	105 Ohm
JANS1N4495DUS/TR	452.1600	Richiesta di offerta	2947	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/406	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, A			1,5 W	D-5A	-				150-JANS1N4495DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	50													1,5 V a 1 A		250 nA a 144 V						180 V	1300 Ohm
JANTX1N5811US/TR	8.8200	Richiesta di offerta	8211	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/477	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SQ-MELF, B		Standard		B, SQ-MELF	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N5811US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)											150 V	875 mV a 4 A	30 ns	5 µA a 150 V	-65°C ~ 175°C	3A	60 pF a 10 V, 1 MHz
CDLL6344	14.6400	Richiesta di offerta	9802	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF	CDLL6344		500 mW	DO-213AB	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		50 nA a 52 V						68 V	155 Ohm
JANS1N4129-1	33.7800	Richiesta di offerta	2203	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		10 nA a 47,1 V						62 V	500 ohm
JAN1N4111CUR-1	14.5650	Richiesta di offerta	1510	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N4111			DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		50 nA a 13 V						17 V	100 ohm
KVX3901A-23-0	5.6000	Richiesta di offerta	140	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KVX3901			SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1																		32 pF a 3 V, 1 MHz	Separare	27 V			-	500 a 4 V, 50 MHz
1PMT5930/TR7	2.2200	Richiesta di offerta	9071	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5930		3 W	DO-216AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000													1,2 V a 200 mA		1 µA a 12,2 V						16 V	10 Ohm
JAN1N2824RB	-	Richiesta di offerta	1973	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-204 d.C	1N2824		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,5 V a 2 A		10 µA a 25,1 V						33 V	3,2 Ohm
JAN1N986DUR-1/TR	12.7680	Richiesta di offerta	1988	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N986DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		500 nA a 84 V						110 V	750 Ohm
TN2425N8-G	1.7000	Richiesta di offerta	192	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	TN2425	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	250 V	480mA(Tj)	3 V, 10 V	3,5 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 1 mA	±20 V	200 pF a 25 V	-	1,6 W (TC)
JANTXV1N4623D-1/TR	18.6300	Richiesta di offerta	6829	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-JANTXV1N4623D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	100													1,1 V a 200 mA		2 µA a 2 V						4,3 V	1600 Ohm
CDLL3021B/TR	14.4571	Richiesta di offerta	2386	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF			1 W	DO-213AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL3021B/TR	EAR99	8541.10.0050	1													1,2 V a 200 mA		1 µA a 8,4 V						11 V	8 Ohm
JANTXV1N5534B-1	9.1200	Richiesta di offerta	7613	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5534		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1													1,1 V a 200 mA		10 nA a 12,6 V						14 V	100 ohm
JAN1N6874UTK2AS/TR	364.6950	Richiesta di offerta	8734	Tecnologia del microchip	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-			REACH Inalterato	150-JAN1N6874UTK2AS/TR			100
1N5354B/TR8	2.6850	Richiesta di offerta	3501	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5354		5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.000													1,2 V a 1 A		500 nA a 12,2 V						17 V	2,5 Ohm