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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max)	Corrente del regolatore (massima)	Tensione - Limitazione (max)
JAN1N4986	12.5550	Richiesta di offerta	3504	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	E, assiale	1N4986		5 W		scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		2 µA a 114 V										150 V	330 Ohm
MV2N4859	57.2964	Richiesta di offerta	3496	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/385	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)		Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	MV2N4859		360 mW	TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1			CanaleN	30 V					18 pF a 10 V											30 V	175 mA a 15 V	10 V a 500 pA				25 Ohm
JANS1N4465DUS/TR	297.3750	Richiesta di offerta	1297	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/406	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SQ-MELF, A			1,5 W	D-5A	-				150-JANS1N4465DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	50												1,5 V a 1 A		300 nA a 8 V										10 V	5 Ohm
1N3024B-1	-	Richiesta di offerta	5042	Tecnologia del microchip	-	Massa	Interrotto alla SIC	±5%	-55°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N3024		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA		10 µA a 11,4 V										15 V	14 Ohm
JAN1N966B-1	1.9950	Richiesta di offerta	8821	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N966		500 mW	DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		5 µA a 12,2 V										16 V	17 Ohm
2N3447	68.7450	Richiesta di offerta	3420	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)		Foro passante	TO-204AA, TO-3			115 W	TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N3447	EAR99	8541.29.0095	1																		60 V	7A				-				PNP	1,5 V a 500 µA, 500 µA	-	-
JANS1N4990D	519.7200	Richiesta di offerta	7442	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	E, assiale			5 W	E, assiale	-			REACH Inalterato	150-JANS1N4990D	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		2 µA a 167 V										220 V	550 Ohm
JANTXV1N6329CUS	57.1050	Richiesta di offerta	2563	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	-			REACH Inalterato	150-JANTXV1N6329CUS	EAR99	8541.10.0050	1												1,4 V a 1 A		50 nA a 12 V										16 V	12 Ohm
1N4624-1	2.6400	Richiesta di offerta	1030	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N4624		500 mW	DO-7	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		5 µA a 3 V										4,7 V	1550 Ohm
JANTXV1N4959DUS/TR	33.1950	Richiesta di offerta	8325	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/356	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			5 W	E-MELF	-				150-JANTXV1N4959DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100												1,5 V a 1 A		10 µA a 8,4 V										11 V	2,5 Ohm
JANTX1N5305UR-1/TR	36.1950	Richiesta di offerta	8520	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/463	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)	1N5305		500 mW	DO-213AB (MELF, LL41)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N5305UR-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1																															100 V	2,2 mA	1,85 V
S37160	61.1550	Richiesta di offerta	6798	Tecnologia del microchip	S37	Massa	Attivo				Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero	S37160	Standard		DO-203AB (DO-5)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)									1600 V	1,15 V a 200 A		25 µA a 1600 V	-65°C ~ 200°C	85A	-
JAN1N2973B	-	Richiesta di offerta	5130	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/124	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio a perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 2 A		25 µA a 6,9 V										9,1 V	2 Ohm
UFS505JE3/TR13	1.8750	Richiesta di offerta	4683	Tecnologia del microchip	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo						UFS505				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000
1PMT4109/TR13	0,9600	Richiesta di offerta	7854	Tecnologia del microchip	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C		Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT4109		1 W	DO-216	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.000												1,1 V a 200 mA		50 nA a 11,4 V										15 V	100 ohm
1N645UR-1	-	Richiesta di offerta	5098	Tecnologia del microchip	-	Massa	Interrotto alla SIC				Montaggio superficiale	DO-213AA		Standard		DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)									225 V	1 V a 400 mA		50 nA a 225 V	-65°C ~ 175°C	400mA	-
1N2067	158.8200	Richiesta di offerta	6479	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Montaggio a perno	DO-205AB, DO-9, Prigioniero		Standard		DO-205AB (DO-9)	scaricamento			REACH Inalterato	150-1N2067	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)									900 V	1,3 V a 300 A		75 µA a 900 V	-65°C ~ 190°C	275A	-
JANTX1N5529C-1	19.6050	Richiesta di offerta	5271	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5529		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		100 nA a 8,2 V										9,1 V	45 Ohm
S2125	33.4500	Richiesta di offerta	8554	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-S2125			1
1N5268A/TR	2.6866	Richiesta di offerta	8865	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N5268A/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 200 mA		100 nA a 59 V										82 V	330 Ohm
JAN1N4125UR-1/TR	7.8736	Richiesta di offerta	8753	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)				DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N4125UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		10 nA a 35,8 V										47 V	250 Ohm
CDS3031B-1	-	Richiesta di offerta	8569	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-CDS3031B-1	EAR99	8541.10.0050	50
APTM20AM05FG	279.2300	Richiesta di offerta	6828	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	SP6	APTM20	MOSFET (ossido di metallo)	1136 W	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)			200 V	317A	5 mOhm a 158,5 A, 10 V	5 V a 10 mA	448nC a 10 V	27400 pF a 25 V	-
JANTX1N4489	14.4400	Richiesta di offerta	637	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4489		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		250 nA a 80 V										100 V	250 Ohm
UFS530J/TR13	3.7650	Richiesta di offerta	7115	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	DO-214AB, SMC	UFS530	Standard		DO-214AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)									300 V	1,2 V a 5 A	50 n	10 µA a 300 V	-55°C ~ 175°C	5A	-
JANTXV1N3034BUR-1	18.0150	Richiesta di offerta	2921	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Massa	Attivo	±5%	-55°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)	1N3034		1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA		10 µA a 29,7 V										39 V	60 Ohm
JANTX1N5540C-1	19.5300	Richiesta di offerta	9360	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5540		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		10 nA a 18 V										20 V	100 ohm
1N4740CPE3/TR8	1.1550	Richiesta di offerta	6730	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4740		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.500												1,2 V a 200 mA		10 µA a 7,6 V										10 V	7 Ohm
SMBJ5363B/TR13	1.6800	Richiesta di offerta	6241	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C		Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5363		5 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000												1,2 V a 1 A		500 nA a 21,6 V										30 V	8 Ohm
JANKCA1N5290	-	Richiesta di offerta	5196	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/463	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale			500 mW	DO-7	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCA1N5290	EAR99	8541.10.0070	1																															100 V	517μA	1,05 V