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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Condizione di prova | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max) | Corrente del regolatore (massima) | Tensione - Limitazione (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S4320TS | 112.3200 | ![]() | 1719 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | Montaggio a perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | Standard | DO-205AA (DO-8) | - | REACH Inalterato | 150-S4320TS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 200 A | 50 µA a 200 V | -65°C ~ 200°C | 150A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N750C-1/TR | 10.2410 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/127 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N750C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 19 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N5546CUR-1 | 28.9200 | ![]() | 6084 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/437 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 1N5546 | 500 mW | DO-213AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 29,7 V | 33 V | 100 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5531B-1/TR | 8.2327 | ![]() | 9628 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/437 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N5531B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 50 nA a 9,9 V | 11 V | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5346BE3/TR13 | 0,8250 | ![]() | 1245 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5346 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 7,5 µA a 6,6 V | 9,1 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4618D-1 | 155.7300 | ![]() | 5611 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA a 1 V | 2,7 V | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4742/TR | 3.2319 | ![]() | 7771 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF | DO-213AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CDLL4742/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4776/TR | 36.6600 | ![]() | 9332 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 0°C ~ 75°C | Montaggio superficiale | DO-213AA | 500 mW | DO-213AA | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CDLL4776/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA a 6 V | 8,5 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2991 | 27.6600 | ![]() | 8395 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 5 W | TO-5AA | - | REACH Inalterato | 150-2N2991 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1A | - | NPN | 3 V a 50 µA, 200 µA | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5293-1/TR | 100.0200 | ![]() | 1151 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5293-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 748μA | 1,15 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC2X50SDA120J | 61.5400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MSC2X50 | SiC (carburo di silicio) Schottky | SOT-227 (ISOTOP®) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 150-MSC2X50SDA120J | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 2 Indipendente | 1200 V | 50 A (CC) | 1,8 V a 50 A | 0 ns | 200 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5297/TR | 22.3500 | ![]() | 5397 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL52 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CDLL5297/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 1,1mA | 1,35 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5221B | 2.2743 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | Morire | 500 mW | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5221B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 2,4 V | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANHCA1N4099D | - | ![]() | 5066 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | Morire | 500 mW | Morire | - | REACH Inalterato | 150-JANHCA1N4099D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V a 200 mA | 10 µA a 5,17 V | 6,8 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6015UR-1/TR | 3.7400 | ![]() | 3627 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AA | 500 mW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V a 200 mA | 43 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N5542C-1 | 18.8100 | ![]() | 7458 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/437 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5542 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 21,6 V | 24 V | 100 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT75GN120LG | 16.3600 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-264-3, TO-264AA | APT75GN120 | Standard | 833 W | TO-264 [L] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V, 75 A, 1 Ohm, 15 V | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 200A | 225A | 2,1 V a 15 V, 75 A | 8620μJ (acceso), 11400μJ (spento) | 425 nC | 60ns/620ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CD758 | 1.6950 | ![]() | 5845 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | Morire | 500 mW | Morire | - | REACH Inalterato | 150-CD758 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 1 µA a 8 V | 10 V | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MNSKC2N2222A | 8.6051 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | - | REACH Inalterato | 150-MNSKC2N2222A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N962D-1/TR | 6.3308 | ![]() | 7039 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/117 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±1% | -55°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N962D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 9,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N7371 | - | ![]() | 4507 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/623 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 100 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 12A | 1mA | PNP-Darlington | 3 V a 120 mA, 12 A | 1000 a 6 A, 3 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N3035C-1 | 25.5600 | ![]() | 9006 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/115 | Massa | Attivo | ±2% | -55°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N3035 | 1 W | DO-41 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 32,7 V | 43 V | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751UR-1/TR | 3.6200 | ![]() | 7878 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1 W | DO-213AB (MELF, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 272 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 22,8 V | 30 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSM390JE3/TR13 | 1.0200 | ![]() | 1435 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | HSM390 | Schottky | DO-214AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 810 mV a 3 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 175°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5934A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 6643 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5934 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 18,2 V | 24 V | 19 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5944/TR13 | 2.2200 | ![]() | 4423 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5944 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 47,1 V | 62 V | 100 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N7043CAT1 | 174.0450 | ![]() | 3317 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/730 | Massa | Attivo | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 1N7043 | Schottky | TO-254 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,3 V a 35 A | 500 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 35A | 600pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4963US/TR | 86.8802 | ![]() | 9334 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N4963US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL3027A | 15.3000 | ![]() | 2669 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±10% | -55°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF | CDLL3027 | 1 W | DO-213AB | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 15,2 V | 20 V | 22 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 60HFU-400 | 116.5650 | ![]() | 2574 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | Montaggio a perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-203AB (DO-5) | - | REACH Inalterato | 150-60HFU-400 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | -65°C ~ 175°C | - | - |

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