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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
GMP4201-GM1	3.5700	Richiesta di offerta	282	Tecnologia del microchip	GIGAMITE®	Borsa	Attivo		-55°C ~ 125°C		0805 (metrico 2012)	GMP4201			0805	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1								0,18 pF a 10 V, 1 MHz			PIN: singolo	75 V				1,2 Ohm a 100 mA, 100 MHz
SMBG5349CE3/TR13	1.4400	Richiesta di offerta	4758	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5349		5 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000			1,2 V a 1 A		2 µA a 8,6 V									12 V	2,5 Ohm
JANHCA1N4621	12.1695	Richiesta di offerta	6236	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale			500 mW	DO-7 (DO-204AA)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANHCA1N4621	EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		7,5 µA a 2 V									3,6 V	1700 Ohm
JAN1N6636DUS	-	Richiesta di offerta	7048	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, E			5 W	D-5B	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,5 V a 1 A		20 µA a 1 V									4,7 V	2 Ohm
1N5945P/TR12	1.8600	Richiesta di offerta	2830	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5945		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	4.000			1,2 V a 200 mA		1 µA a 51,2 V									68 V	120 Ohm
JANTX1N978D-1	10.8900	Richiesta di offerta	5634	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Massa	Attivo	±1%	-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N978		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		500 nA a 39 V									51 V	125 Ohm
CDLL5530D	6.0914	Richiesta di offerta	2809	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL5530D	EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		50 nA a 9,1 V									10 V	60 Ohm
SMBJ5926B/TR13	1.5600	Richiesta di offerta	4322	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5926		2 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000			1,2 V a 200 mA		1 µA a 8,4 V									11 V	5,5 Ohm
UZ5126	32.2650	Richiesta di offerta	8861	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	B, assiale			5 W	B, assiale	-			REACH Inalterato	150-UZ5126	EAR99	8541.10.0050	1					5 µA a 198 V									260 V	750 Ohm
1N1127RA	38.3850	Richiesta di offerta	1392	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Montaggio a perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero		Standard, polarità inversa		DO-4 (DO-203AA)	scaricamento			REACH Inalterato	150-1N1127RA	EAR99	8541.10.0080	1	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)	500 V	1,2 V a 30 A		10 µA a 500 V	-65°C ~ 200°C	12A	-
1N5275B-1	3.3000	Richiesta di offerta	9088	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-1N5275B-1	EAR99	8541.10.0050	1			1,5 V a 200 mA		100 nA a 106 V									140 V	1300 Ohm
1N6873UTK2AS	259.3500	Richiesta di offerta	1555	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-1N6873UTK2AS			1
SG2821J-883B	-	Richiesta di offerta	1561	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo		-55°C ~ 125°C (TA)	Foro passante	18 CDIP (0,300", 7,62 mm)	SG2821		-	18-CERDIP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-SG2821J-883B	EAR99	8541.29.0095	21									95 V	500mA			-				8 PNP Darlington	1,6 V a 500 µA, 350 mA	1000 a 350 mA, 2 V	-
JANTXV1N3821DUR-1	62.0400	Richiesta di offerta	7279	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)	1N3821		1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,2 V a 200 mA		75 µA a 1 V									3,3 V	10 Ohm
JANTXV1N5194	-	Richiesta di offerta	2918	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/118	Massa	Attivo			Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale		Standard		DO-35 (DO-204AH)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità	70 V	1 V a 100 mA		1 µA a 80 V	-65°C ~ 175°C	-	-
1N6677/TR	4.5000	Richiesta di offerta	1771	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale		Schottky		DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N6677/TR	EAR99	8541.10.0070	1	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità	40 V	500 mV a 200 mA		5 µA a 40 V	-65°C ~ 125°C	200mA	50 pF a 0 V, 1 MHz
JANTX1N6344C	29.2350	Richiesta di offerta	2447	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-JANTX1N6344C	EAR99	8541.10.0050	1			1,4 V a 1 A		50 nA a 52 V									68 V	155 Ohm
JAN1N4967C	14.9250	Richiesta di offerta	1467	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	E, assiale	1N4967		5 W	E, assiale	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,5 V a 1 A		2 µA a 18,2 V									24 V	5 Ohm
JAN1N6336C	39.6300	Richiesta di offerta	1612	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-JAN1N6336C	EAR99	8541.10.0050	1			1,4 V a 1 A		50 nA a 25 V									33 V	40 Ohm
JANTXV1N964DUR-1/TR	21.6258	Richiesta di offerta	2117	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N964DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		500 nA a 9,9 V									13 V	13 Ohm
SMBG5378A/TR13	2.2200	Richiesta di offerta	6342	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5378		5 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000			1,2 V a 1 A		500 nA a 72 V									100 V	90 Ohm
JANKCA1N4624C	-	Richiesta di offerta	6311	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Morire			500 mW	Morire	-			REACH Inalterato	150-JANKCA1N4624C	EAR99	8541.10.0050	100			1,1 V a 200 mA		10 µA a 3 V									4,7 V	1550 Ohm
1PMT5931BE3/TR7	0,7500	Richiesta di offerta	2085	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5931		3 W	DO-216AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000			1,2 V a 200 mA		1 µA a 13,7 V									18 V	12 Ohm
JANTXV1N4133-1	9.0450	Richiesta di offerta	2785	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4133		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		10 nA a 66,2 V									87 V	1000 ohm
JANTX1N6766	-	Richiesta di offerta	1784	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)		Standard		TO-254	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	400 V	1,55 V a 12 A	60 ns	10 µA a 320 V	-	12A	300 pF a 5 V, 1 MHz
JANTX1N6326US/TR	15.1088	Richiesta di offerta	3761	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N6326US/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1,4 V a 1 A		1 µA a 9 V									12 V	7 Ohm
1N5523C/TR	11.5500	Richiesta di offerta	9196	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-1N5523C/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1,1 V a 200 mA		2 µA a 2,5 V									5,1 V	26 Ohm
JANTXV1N3039DUR-1	56.9100	Richiesta di offerta	8061	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Massa	Attivo	±1%	-55°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)	1N3039		1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,2 V a 200 mA		10 µA a 47,1 V									62 V	125 Ohm
2C3810-MSCL	22.3650	Richiesta di offerta	7070	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-2C3810-MSCL			1
JANTX1N6320D	39.7950	Richiesta di offerta	2533	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N6320		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,4 V a 1 A		2 µA a 4 V									6,8 V	3 Ohm