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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
MSC035SMA070S Microchip Technology MSC035SMA070S 15.9800
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ECAD 3045 0.00000000 Tecnologia del microchip - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA MSC035 SiCFET (carburo di silicio) D3PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 60 CanaleN 700 V 65A (Tc) 20 V 44 mOhm a 30 A, 20 V 2,7 V a 1 mA 99 nC a 20 V +23 V, -10 V 2010 pF a 700 V - 206 W(Tc)
1N4534UR/TR Microchip Technology 1N4534UR/TR 3.5600
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ECAD 1376 0.00000000 Tecnologia del microchip - Nastro e bobina (TR) Attivo - 278
JANTXV1N750C-1/TR Microchip Technology JANTXV1N750C-1/TR 10.2410
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ECAD 5342 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/127 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 500 mW DO-35 (DO-204AH) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-JANTXV1N750C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,1 V a 200 mA 5 µA a 1,5 V 4,7 V 19 Ohm
JAN1N6345DUS/TR Microchip Technology JAN1N6345DUS/TR 49.8300
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ECAD 4722 0.00000000 Tecnologia del microchip MIL-PRF-19500/533 Nastro e bobina (TR) Attivo ±1% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SQ-MELF, B 500 mW B, SQ-MELF - 150-JAN1N6345DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1,4 V a 1 A 50 nA a 56 V 75 V 180 ohm
S42140 Microchip Technology S42140 102.2400
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ECAD 9693 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Attivo Montaggio a perno DO-205AA, DO-8, Prigioniero Standard DO-205AA (DO-8) - REACH Inalterato 150-S42140 EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1400 V 1,2 V a 200 A 50 µA a 1400 V -65°C ~ 200°C 125A -
JANS1N7050-1 Microchip Technology JANS1N7050-1 153.1200
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ECAD 7401 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Attivo - RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1
JAN1N4370CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N4370CUR-1/TR 16.5984
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ECAD 9107 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/127 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale DO-213AA (vetro) DO-213AA - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-JAN1N4370CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,1 V a 200 mA 100 µA a 1 V 2,4 V 30 Ohm
JAN1N6318 Microchip Technology JAN1N6318 9.5100
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ECAD 6341 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/533 Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N6318 500 mW DO-35 (DO-204AH) scaricamento RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,4 V a 1 A 5 µA a 2,5 V 5,6 V 8 Ohm
JAN1N3034DUR-1/TR Microchip Technology JAN1N3034DUR-1/TR 36.2558
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ECAD 5873 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/115 Nastro e bobina (TR) Attivo ±1% -55°C ~ 175°C Montaggio superficiale DO-213AB, MELF (vetro) 1 W DO-213AB (MELF, LL41) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-JAN1N3034DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 10 µA a 29,7 V 39 V 60 Ohm
JANS1N6635C Microchip Technology JANS1N6635C -
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ECAD 3589 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/356 Massa Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante E, assiale 5 W E, assiale - RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 25 µA a 1 V 4,3 V 2 Ohm
MSC2X50SDA120J Microchip Technology MSC2X50SDA120J 61.5400
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ECAD 20 0.00000000 Tecnologia del microchip - Tubo Attivo Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC MSC2X50 SiC (carburo di silicio) Schottky SOT-227 (ISOTOP®) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 150-MSC2X50SDA120J EAR99 8541.10.0080 10 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 2 Indipendente 1200 V 50 A (CC) 1,8 V a 50 A 0 ns 200 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
JAN1N4994US Microchip Technology JAN1N4994USA -
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ECAD 2060 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/356 Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SQ-MELF, E 5 W D-5B - RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 2 µA a 251 V 330 V 1175 Ohm
SMBJ5346BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5346BE3/TR13 0,8250
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ECAD 1245 0.00000000 Tecnologia del microchip - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ5346 5 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 7,5 µA a 6,6 V 9,1 V 2 Ohm
1N968B Microchip Technology 1N968B 2.0700
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ECAD 8660 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AA, DO-7, assiale 1N968 500 mW DO-7 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 1N968BMS EAR99 8541.10.0050 1 1,1 V a 200 mA 5 µA a 15,2 V 20 V 25 Ohm
1N6336US Microchip Technology 1N6336US 14.7750
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ECAD 3745 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SQ-MELF, B 500 mW B, SQ-MELF - REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,4 V a 1 A 50 nA a 25 V 33 V 40 Ohm
1N5616US Microchip Technology 1N5616US 7.0500
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ECAD 7024 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Attivo Montaggio superficiale SQ-MELF, A 1N5616 Standard D-5A scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 1,3 V a 3 A 2 µs 500 nA a 400 V -65°C ~ 200°C 1A -
S4320TS Microchip Technology S4320TS 112.3200
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ECAD 1719 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Attivo Montaggio a perno DO-205AA, DO-8, Prigioniero Standard DO-205AA (DO-8) - REACH Inalterato 150-S4320TS EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,1 V a 200 A 50 µA a 200 V -65°C ~ 200°C 150A -
JANTXV1N5531B-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5531B-1/TR 8.2327
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ECAD 9628 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/437 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 500 mW DO-35 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-JANTXV1N5531B-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,1 V a 200 mA 50 nA a 9,9 V 11 V 80 Ohm
1N4913A/TR Microchip Technology 1N4913A/TR 53.3550
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ECAD 2583 0.00000000 Tecnologia del microchip - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C~100°C Foro passante DO-204AA, DO-7, assiale 400 mW DO-7 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-1N4913A/TR EAR99 8541.10.0050 1 12,8 V 25 Ohm
JANS1N4107C-1 Microchip Technology JANS1N4107C-1 67.5450
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ECAD 9659 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/435 Massa Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 500 mW DO-35 (DO-204AH) - RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,1 V a 200 mA 50 nA a 9,9 V 13 V 200 ohm
JANTXV1N4969CUS Microchip Technology JANTXV1N4969CUS 40.8900
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ECAD 9107 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/356 Massa Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SQ-MELF, B 5 W E-MELF - REACH Inalterato 150-JANTXV1N4969CUS EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 2 µA a 22,8 V 30 V 8 Ohm
JANTXV1N4582AUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4582AUR-1/TR 14.3551
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ECAD 4316 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/452 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale DO-213AA (vetro) 500 mW DO-213AA - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-JANTXV1N4582AUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA a 3 V 6,4 V 25 Ohm
1N4462 Microchip Technology 1N4462 8.8651
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ECAD 7022 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4462 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 1 µA a 4,5 V 7,5 V 2,5 Ohm
1PMT5928B/TR7 Microchip Technology 1PMT5928B/TR7 2.2200
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ECAD 9658 0.00000000 Tecnologia del microchip - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5928 3 W DO-216AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 9,9 V 13 V 7 Ohm
CDLL5992/TR Microchip Technology CDLL5992/TR 2.2078
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ECAD 4925 0.00000000 Tecnologia del microchip - Nastro e bobina (TR) Attivo - -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AA 500 mW DO-213AA - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-CDLL5992/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,1 V a 200 mA 4,7 V
CD6324 Microchip Technology CD6324 2.1014
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ECAD 8166 0.00000000 Tecnologia del microchip - Nastro e bobina (TR) Attivo - - Montaggio superficiale Morire Morire - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-CD6324 EAR99 8541.10.0050 1
APTM20HM08FG Microchip Technology APTM20HM08FG 347.3625
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ECAD 6058 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP6 APTM20 MOSFET (ossido di metallo) 781W SP6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 4 canali N (mezzo ponte) 200 V 208A 10 mOhm a 104 A, 10 V 5 V a 5 mA 280 nC a 10 V 14400 pF a 25 V -
JANTX1N6636CUS Microchip Technology JANTX1N6636CUS -
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ECAD 2769 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/356 Massa Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SQ-MELF, E 5 W D-5B - RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 20 µA a 1 V 4,7 V 2 Ohm
APTGF50H60T3G Microchip Technology APTGF50H60T3G -
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ECAD 5377 0.00000000 Tecnologia del microchip - Massa Obsoleto - Montaggio su telaio SP3 250 W Standard SP3 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Invertitore a ponte intero TNP 600 V 65A 2,45 V a 15 V, 50 A 250 µA 2,2 nF a 25 V
JANTX1N3022DUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N3022DUR-1/TR 41.5359
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ECAD 4768 0.00000000 Tecnologia del microchip Militare, MIL-PRF-19500/115 Nastro e bobina (TR) Attivo ±1% -55°C ~ 175°C Montaggio superficiale DO-213AB, MELF (vetro) 1 W DO-213AB (MELF, LL41) - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 150-JANTX1N3022DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 10 µA a 9,1 V 12 V 9 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock