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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JANTXV1N4485CUS	45.1350	Richiesta di offerta	2115	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, A			1,5 W		D-5A	-			REACH Inalterato	150-JANTXV1N4485CUS	EAR99	8541.10.0050	1															1,5 V a 1 A	250 nA a 54,4 V												68 V	100 ohm
1N4055R	158.8200	Richiesta di offerta	6349	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Montaggio a perno	DO-205AB, DO-9, Prigioniero		Standard, polarità inversa			DO-205AB (DO-9)	scaricamento			REACH Inalterato	150-1N4055R	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												900 V	1,3 V a 300 A	75 µA a 900 V	-65°C ~ 190°C	275A	-
JANTXV1N4992D	63,9000	Richiesta di offerta	6923	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	E, assiale			5 W		E, assiale	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,5 V a 1 A	2 µA a 206 V												270 V	800 Ohm
JANTX1N4129-1	-	Richiesta di offerta	3234	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Interrotto alla SIC	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW		DO-35	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,1 V a 200 mA	10 nA a 47,1 V												62 V	500 ohm
1N827UR-1/TR	10.4850	Richiesta di offerta	7593	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW		DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N827UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1																2 µA a 3 V												6,2 V	15 Ohm
CDLL758	2.8650	Richiesta di offerta	7763	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF	CDLL758		500 mW		DO-213AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,1 V a 200 mA	1 µA a 8 V												10 V	17 Ohm
APT22F80B	9.6400	Richiesta di offerta	162	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT22F80	MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN	800 V	23A (Tc)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 1 mA	150 nC a 10 V	±30 V	4595 pF a 25 V	-	625 W(Tc)
1N4735AG/TR	3.3383	Richiesta di offerta	2634	Tecnologia del microchip	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N4735AG/TR	EAR99	8541.10.0050	1
2N5663	23.8800	Richiesta di offerta	7573	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N5663	EAR99	8541.29.0095	1																					300 V	2A				200nA						NPN	800 mV a 400 mA, 2 A	25 a 500 mA, 5 V	-
APT20M38BVRG	13.3000	Richiesta di offerta	2588	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT20M38	MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN	200 V	67A(Tc)	10 V	38 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V	±30 V	6120 pF a 25 V	-	370 W(Tc)
JAN1N756D-1	6.4950	Richiesta di offerta	2222	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N756		500 mW		DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,1 V a 200 mA	1 µA a 6 V												8,2 V	8 Ohm
JAN1N981BUR-1	4.4400	Richiesta di offerta	1740	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N981		500 mW		DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,1 V a 200 mA	500 nA a 52 V												68 V	230 Ohm
JANS1N4993US	115.5000	Richiesta di offerta	2994	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	E, assiale	1N4993		5 W		E, assiale	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,5 V a 1 A	2 µA a 228 V												300 V	950 Ohm
JANS1N6489CUS	-	Richiesta di offerta	1148	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, A			1,5 W		A, SQ-MELF	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,5 V a 1 A	4 µA a 1 V												4,7 V	8 Ohm
JAN1N7054-1	7.6500	Richiesta di offerta	7439	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					1N7054					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
1N4117UR-1	3.9750	Richiesta di offerta	5804	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA	1N4117		500 mW		DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,1 V a 200 mA	10 nA a 19 V												25 V	150 ohm
APT50GF120JRD	48.8200	Richiesta di offerta	4610	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT50		460 W	Standard	SOT-227 (ISOTOP®)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-APT50GF120JRD	EAR99	8541.29.0095	1	Separare																			-	1200 V	75A	3,4 V a 15 V, 50 A			750 µA	NO			3,45 nF a 25 V
1N6006UR/TR	3.7350	Richiesta di offerta	8265	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW		DO-213AA	-				150-1N6006UR/TR	EAR99	8541.10.0050	264															1,1 V a 200 mA													18 V
UZ8760	22.4400	Richiesta di offerta	7359	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	A, assiale			1 W		A, assiale	-			REACH Inalterato	150-UZ8760	EAR99	8541.10.0050	1																500 nA a 45,6 V												60 V	125 Ohm
1N824AE3	3.9150	Richiesta di offerta	3523	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW		DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-1N824AE3	EAR99	8541.10.0050	1																2 µA a 3 V												6,2 V	15 Ohm
1N5365CE3/TR8	3.3900	Richiesta di offerta	2623	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5365		5 W		T-18	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.000															1,2 V a 1 A	500 nA a 25,9 V												36 V	11 Ohm
1PMT5929CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	4836	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5929		3 W		DO-216AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.000															1,2 V a 200 mA	1 µA a 11,4 V												15 V	8 Ohm
JANTXV1N969C-1/TR	8.0332	Richiesta di offerta	3968	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW		DO-35 (DO-204AH)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N969C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1															1,1 V a 200 mA	500 nA a 17 V												22 V	29 Ohm
GC4713-30	-	Richiesta di offerta	3045	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo		-55°C ~ 150°C		Stallone					-	-			REACH Inalterato	150-GC4713-30	EAR99	8541.10.0060	1													5 W						0,5 pF a 6 V, 1 MHz					PIN: singolo	45 V						1 Ohm a 10 mA, 100 MHz
1N4626D	6.5700	Richiesta di offerta	8852	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale			500 mW		DO-7	-			REACH Inalterato	150-1N4626D	EAR99	8541.10.0050	1															1,1 V a 200 mA	10 µA a 4 V												5,6 V	1400 Ohm
2N910	30.5700	Richiesta di offerta	1472	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-2N910			1
JANTX1N3003RB	-	Richiesta di offerta	5686	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/124	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio a perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero			10 W		DO-213AA (DO-4)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1															1,5 V a 2 A	10 µA a 62,2 V												82 V	25 Ohm
2N5874	41.7354	Richiesta di offerta	4707	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N5874					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
CDLL5540D/TR	16.3950	Richiesta di offerta	1809	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW		DO-213AA	-			REACH Inalterato	150-CDLL5540D/TR	EAR99	8541.10.0050	100															1,1 V a 200 mA	10 nA a 18 V												20 V	100 ohm
2N2657	14.9100	Richiesta di offerta	5217	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			7 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N2657	EAR99	8541.29.0095	1																					60 V	5A				-						NPN	500 mV a 100 µA, 1 mA	-	-