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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max)	Corrente del regolatore (massima)	Tensione - Limitazione (max)
JAN1N3039D-1/TR	19.3515	Richiesta di offerta	9143	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-55°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1 W	DO-41	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N3039D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA	10 µA a 47,1 V												62 V	125 Ohm
CDLL5538B/TR	5.9052	Richiesta di offerta	8084	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF				500 mW	DO-213AB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL5538B/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA	10 nA a 16,2 V												18 V	100 ohm
1N5354BE3/TR12	2.6850	Richiesta di offerta	2465	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C		Foro passante	T-18, assiale	1N5354			5 W	T-18	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000												1,2 V a 1 A	500 nA a 12,2 V												17 V	2,5 Ohm
JANTX1N3029BUR-1/TR	13.0739	Richiesta di offerta	1803	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)				1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N3029BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA	10 µA a 18,2 V												24 V	25 Ohm
1N4993USA	16.3350	Richiesta di offerta	2097	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SQ-MELF, E				5 W	D-5B	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A	2 µA a 228 V												300 V	950 Ohm
JAN1N4990US	13.2600	Richiesta di offerta	2488	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	SQ-MELF, E	1N4990			5 W	D-5B	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A	2 µA a 167 V												220 V	550 Ohm
JAN1N5287UR-1	36.4350	Richiesta di offerta	8768	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/463	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)	1N5287			500 mW	DO-213AB (MELF, LL41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1																											100 V	363 µA	1 V
1N6842U3	181.8750	Richiesta di offerta	8749	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			Schottky		U3	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)										60 V	900 mV a 15 A	50 µA a 60 V	-65°C ~ 150°C	10A	400 pF a 5 V, 1 MHz
JANTX1N4102CUR-1/TR	14.8694	Richiesta di offerta	8490	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)				500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4102CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA	500 nA a 6,7 V												8,7 V	200 ohm
CD4687	2.3408	Richiesta di offerta	3889	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	Morire				500 mW	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD4687	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 200 mA	4 µA a 2 V												4,3 V
JANTX1N3023CUR-1/TR	33.2500	Richiesta di offerta	5021	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)				1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N3023CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA	10 µA a 9,9 V												13 V	10 Ohm
APT54GA60BD30	7.7000	Richiesta di offerta	5341	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	APT54GA60	Standard		416 W	TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 32 A, 4,7 Ohm, 15 V														P.T	600 V	96A	161A	2,5 V a 15 V, 32 A	534μJ (acceso), 466μJ (spento)	28 nC	17ns/112ns
APT5010JVFR	41.0500	Richiesta di offerta	1	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo				Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT5010		MOSFET (ossido di metallo)		ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	44A(Tc)	100 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 2,5 mA	470 nC a 10 V	8900 pF a 25 V	-
CDLL6634	14.7300	Richiesta di offerta	1737	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-CDLL6634	EAR99	8541.10.0050	1
CDLL4746D/TR	9.3600	Richiesta di offerta	6970	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)				1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-			REACH Inalterato	150-CDLL4746D/TR	EAR99	8541.10.0050	102												1,2 V a 200 mA	100 nA a 13,7 V												18 V	20 Ohm
CD748A	1.5029	Richiesta di offerta	5788	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	Morire				500 mW	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD748A	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 200 mA	5 µA a 1 V												3,9 V	23 Ohm
1N4739CP/TR12	2.2800	Richiesta di offerta	2085	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4739			1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	4.000												1,2 V a 200 mA	10 µA a 7 V												9,1 V	5 Ohm
CDLL4732/TR	2.3408	Richiesta di offerta	8324	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF					DO-213AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL4732/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA	10 µA a 1 V												4,7 V	8 Ohm
JAN1N5518C-1	14.1300	Richiesta di offerta	8903	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5518			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA	5 µA a 1 V												3,3 V	26 Ohm
APT50GN120B2G	11.1700	Richiesta di offerta	1	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	Variante TO-247-3	APT50GN120	Standard		543 W		scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			800 V, 50 A, 2,2 Ohm, 15 V														TNP, Fermata ai campi di trincea	1200 V	134A	150A	2,1 V a 15 V, 50 A	4495μJ (spento)	315 nC	28ns/320ns
MV2N4857UB/TR	80.6379	Richiesta di offerta	9707	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo											-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-MV2N4857UB/TR			1
JANTXV1N5534D-1/TR	26.0414	Richiesta di offerta	5055	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N5534D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA	10 nA a 12,6 V												14 V	100 ohm
JANTXV1N4626C-1/TR	21.5194	Richiesta di offerta	3048	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N4626C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA	5 µA a 4 V												5,6 V	1400 Ohm
CD4568A	12.1050	Richiesta di offerta	9358	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C~100°C		Montaggio superficiale	Morire					Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD4568A	EAR99	8541.10.0050	1													2 µA a 3 V												6,4 V	200 ohm
1N4902A	102.2250	Richiesta di offerta	2562	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-55°C~100°C		Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N4902			400 mW	DO-7	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																									12,8 V	200 ohm
JANTX1N4973	7.9000	Richiesta di offerta	822	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	E, assiale	1N4973			5 W	-	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A	2 µA a 32,7 V												43 V	20 Ohm
JAN1N3310B	-	Richiesta di offerta	9928	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/358	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero				50 W	DO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 10 A	10 µA a 8,4 V												11 V	0,8Ohm
JANS1N4617-1/TR	55.5200	Richiesta di offerta	3529	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS1N4617-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA	1 µA a 1 V												2,4 V	1,4 Ohm
JANTXV1N967D-1/TR	10.0149	Richiesta di offerta	6512	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N967D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA	500 nA a 14 V												18 V	21 Ohm
1N5271	3.0750	Richiesta di offerta	9901	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-1N5271	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 200 mA	100 nA a 72 V												100 V	500 ohm