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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Condizione del rapporto di capacità | D@Vr, F | Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max) | Corrente del regolatore (massima) | Tensione - Limitazione (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4465 | 7.1600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4465 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 300 nA a 8 V | 10 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N5529BUR-1/TR | 12.9542 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/437 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 500 mW | DO-213AA | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5529BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 8,2 V | 9,1 V | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5532B | 1.8150 | ![]() | 5702 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5532 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 2 µA a 2,5 V | 5,1 V | 26 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N3810U | 262.3106 | ![]() | 5377 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/336 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-SMD, senza piombo | 2N3810 | 350 mW | U | - | REACH Inalterato | 150-JANSP2N3810U | 1 | 60 V | 50mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (doppio) | 250 mV a 100 µA, 1 mA | 150 a 1 mA, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5283UR-1 | 21.8250 | ![]() | 6787 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5283 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 242μA | 1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N3051B-1/TR | - | ![]() | 9619 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N3051B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3028B-1/TR | 10.6799 | ![]() | 2747 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/115 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N3028B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 16,7 V | 22 V | 23 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N5544C-1 | 11.0400 | ![]() | 1167 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/437 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5544 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 25,2 V | 28 V | 100 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX2N4857UB | 68.7743 | ![]() | 6544 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | 2N4857 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N6320D | 46.9200 | ![]() | 3735 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/533 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | B, assiale | 1N6320 | 500 mW | B, assiale | scaricamento | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V a 1 A | 2 µA a 4 V | 6,8 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6547 | 13.4400 | ![]() | 3034 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | 1N6547 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4583A-1 | 12.7950 | ![]() | 5855 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/452 | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4583 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA a 3 V | 6,4 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4762UR-1 | 3.4650 | ![]() | 5897 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1 W | DO-213AB (MELF, LL41) | - | REACH Inalterato | 150-1N4762UR-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 62,2 V | 82 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KVX1501-23-0 | 6.7200 | ![]() | 146 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KVX1501 | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 10,6 pF a 10 V, 1 MHz | Separare | 12 V | - | 50 a 2 V, 10 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6678T1 | - | ![]() | 3884 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | TO-254 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 15A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4132C-1 | 23.1600 | ![]() | 3607 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4132 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 62,4 V | 82 V | 800 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5524BUR-1 | 6.4800 | ![]() | 5378 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AA | 500 mW | DO-213AA | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 2 µA a 3,5 V | 5,6 V | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N756DUR-1 | 23.9550 | ![]() | 8797 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/127 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 1N756 | 500 mW | DO-213AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 1 µA a 6 V | 8,2 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6893UTK1 | 259.3500 | ![]() | 6596 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | - | REACH Inalterato | 150-1N6893UTK1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1203AR | 34.7100 | ![]() | 9608 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | Montaggio a perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | 1N1203 | Standard, polarità inversa | DO-4 (DO-203AA) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 300 V | 1,2 V a 30 A | 10 µA a 300 V | -65°C ~ 200°C | 12A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5010JLLU3 | 29.8300 | ![]() | 2287 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | POWERMOS7® | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT5010 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-227 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 41A(Tc) | 10 V | 100 mOhm a 23 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 96 nC a 10 V | ±30 V | 4360 pF a 25 V | - | 378 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5263/TR | 2.7664 | ![]() | 2374 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF | 10 mW | DO-213AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CDLL5263/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 43 V | 56 V | 150 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4729AE3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 3245 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4729 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,6 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4123-1/TR | 4.8412 | ![]() | 3433 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N4123-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 29,7 V | 39 V | 200 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N5541CUR-1 | 37.7850 | ![]() | 3577 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/437 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 1N5541 | 500 mW | DO-213AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 19,8 V | 22 V | 100 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4993CUS | 86.5500 | ![]() | 5746 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/356 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 5 W | D-5B | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 228 V | 300 V | 950 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N6391 | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/553 | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | 1N6391 | Schottky | DO-203AA (DO-4) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 680 mV a 50 A | 1,5 mA a 45 V | -55°C ~ 175°C | 22,5 A | 2000 pF a 5 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6313US | 14.6400 | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SQ-MELF, B | 500 mW | B, SQ-MELF | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V a 1 A | 3 µA a 1 V | 3,6 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3312RB | - | ![]() | 1958 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/358 | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio a perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 50 W | DO-5 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 10 A | 10 µA a 9,9 V | 13 V | 1,1Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3029BUR-1/TR | 16.1196 | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/115 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1 W | DO-213AB (MELF, LL41) | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N3029BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 18,2 V | 24 V | 25 Ohm |

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