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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
JANTXV1N3028B-1/TR	10.6799	Richiesta di offerta	2747	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1 W	DO-41	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N3028B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1																			1,2 V a 200 mA	10 µA a 16,7 V										22 V	23 Ohm
JAN1N5544C-1	11.0400	Richiesta di offerta	1167	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5544			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 200 mA	10 nA a 25,2 V										28 V	100 ohm
MX2N4857UB	68.7743	Richiesta di offerta	6544	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo						2N4857					-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
1N6547	13.4400	Richiesta di offerta	3034	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo						1N6547					-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1
JANTXV1N4583A-1	12.7950	Richiesta di offerta	5855	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/452	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4583			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																				2 µA a 3 V										6,4 V	25 Ohm
1N4762UR-1	3.4650	Richiesta di offerta	5897	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±10%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)				1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-			REACH Inalterato	150-1N4762UR-1	EAR99	8541.10.0050	1																			1,2 V a 200 mA	5 µA a 62,2 V										82 V	200 ohm
KVX1501-23-0	6.7200	Richiesta di offerta	146	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KVX1501				SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1																							10,6 pF a 10 V, 1 MHz				Separare	12 V								-	50 a 2 V, 10 MHz
JANTXV2N6678T1	-	Richiesta di offerta	3884	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)					TO-254	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																								400 V	15A				-			NPN	-	-	-
JANTXV1N4132C-1	23.1600	Richiesta di offerta	3607	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4132			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 200 mA	10 nA a 62,4 V										82 V	800 Ohm
1N5524BUR-1	6.4800	Richiesta di offerta	5378	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA				500 mW	DO-213AA	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 200 mA	2 µA a 3,5 V										5,6 V	30 Ohm
JANTXV1N756DUR-1	23.9550	Richiesta di offerta	8797	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Massa	Attivo	±1%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N756			500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 200 mA	1 µA a 6 V										8,2 V	8 Ohm
1N6893UTK1	259.3500	Richiesta di offerta	6596	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-1N6893UTK1			1
1N1203AR	34.7100	Richiesta di offerta	9608	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Montaggio a perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero	1N1203		Standard, polarità inversa		DO-4 (DO-203AA)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																	300 V	1,2 V a 30 A	10 µA a 300 V	-65°C ~ 200°C	12A	-
APT5010JLLU3	29.8300	Richiesta di offerta	2287	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT5010		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-227	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					500 V	41A(Tc)	10 V	100 mOhm a 23 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	96 nC a 10 V	±30 V	4360 pF a 25 V	-	378 W(Tc)
CDLL5263/TR	2.7664	Richiesta di offerta	2374	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF				10 mW	DO-213AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL5263/TR	EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 200 mA	100 nA a 43 V										56 V	150 ohm
SMBJ4729AE3/TR13	0,4350	Richiesta di offerta	3245	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ4729			2 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																			1,2 V a 200 mA	100 µA a 1 V										3,6 V	10 Ohm
JANTX1N4123-1/TR	4.8412	Richiesta di offerta	3433	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4123-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 200 mA	10 nA a 29,7 V										39 V	200 ohm
JANTX1N5541CUR-1	37.7850	Richiesta di offerta	3577	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N5541			500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 200 mA	10 nA a 19,8 V										22 V	100 ohm
JANTXV1N4993CUS	86.5500	Richiesta di offerta	5746	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, E				5 W	D-5B	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,5 V a 1 A	2 µA a 228 V										300 V	950 Ohm
JAN1N6391	-	Richiesta di offerta	6790	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/553	Massa	Attivo				Telaio, montaggio con perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero	1N6391		Schottky		DO-203AA (DO-4)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																	45 V	680 mV a 50 A	1,5 mA a 45 V	-55°C ~ 175°C	22,5 A	2000 pF a 5 V, 1 MHz
1N6313US	14.6400	Richiesta di offerta	7006	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B				500 mW	B, SQ-MELF	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,4 V a 1 A	3 µA a 1 V										3,6 V	25 Ohm
JAN1N3312RB	-	Richiesta di offerta	1958	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/358	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero				50 W	DO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,5 V a 10 A	10 µA a 9,9 V										13 V	1,1Ohm
JANTXV1N3029BUR-1/TR	16.1196	Richiesta di offerta	1078	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-55°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)				1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N3029BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1																			1,2 V a 200 mA	10 µA a 18,2 V										24 V	25 Ohm
1214GN-400LV	-	Richiesta di offerta	6732	Tecnologia del microchip	LV	Massa	Attivo		150 V		Montaggio superficiale	55-KR		1,2GHz~1,4GHz	HEMT		55-KR	scaricamento			REACH Inalterato	150-1214GN-400LV	EAR99	8541.29.0095	1			-	200 mA	400W	16,8dB											-									50 V
APTM120UM70DAG	414.1700	Richiesta di offerta	7791	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM120		MOSFET (ossido di metallo)		SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					1200 V	171A(Tc)	10 V	80 mOhm a 85,5 A, 10 V	5 V a 30 mA	1650 nC a 10 V	±30 V	43500 pF a 25 V	-	5000 W(Tc)
JANTXV1N979B-1	3.4350	Richiesta di offerta	1321	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N979			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,1 V a 200 mA	500 nA a 43 V										56 V	150 ohm
JANTXV1N6940UTK3/TR	563.4900	Richiesta di offerta	9209	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	ThinKey™3			Schottky		ThinKey™3	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N6940UTK3/TR	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																	15 V	500 mV a 150 A	5 mA a 15 V	-65°C ~ 150°C	150A
CD5377B	5.0274	Richiesta di offerta	7123	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	Morire				5 W	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD5377B	EAR99	8541.10.0050	1																			1,5 V a 1 A	500 nA a 69,2 V										91 V	75 Ohm
JANTXV1N6633US	-	Richiesta di offerta	2207	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	E, assiale	1N6633			5 W	E, assiale	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																			1,5 V a 1 A	250 µA a 1 V										3,6 V	2,5 Ohm
CD645B	2.3408	Richiesta di offerta	9182	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	Morire	CD645		Standard		Morire	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD645B	EAR99	8541.10.0070	1	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																	270 V		50 µA a 225 V	-65°C ~ 175°C	400mA	-