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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza - RDS(On)	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
1N5342C/TR8	-	Richiesta di offerta	2547	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5342			5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.000												1,2 V a 1 A		10 µA a 4,9 V										6,8 V	1 Ohm
JANTXV1N750DUR-1/TR	21.3864	Richiesta di offerta	9689	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)				500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N750DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		5 µA a 1,5 V										4,7 V	19 Ohm
UFS160G/TR13	0,8250	Richiesta di offerta	9389	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI			Standard, polarità inversa		SMBG (DO-215AA)	-			REACH Inalterato	150-UFS160G/TR13TR	EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)									600 V	1,2 V a 1 A	60 ns	20 µA a 600 V	-55°C ~ 175°C	1A	-
CDS4150-1	-	Richiesta di offerta	2259	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-CDS4150-1			50
JANTX1N6322C	44.4750	Richiesta di offerta	5074	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-JANTX1N6322C	EAR99	8541.10.0050	1												1,4 V a 1 A		1 µA a 6 V										8,2 V	5 Ohm
S307060F	49.0050	Richiesta di offerta	2165	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-S307060F			1
HSM550G/TR13	1.9350	Richiesta di offerta	8846	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	DO-215AB, Ala di gabbiano SMC	HSM550		Schottky		DO-215AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)									50 V	650 mV a 5 A		250 µA a 50 V	-55°C ~ 175°C	5A	-
CDLL5221C/TR	6.9150	Richiesta di offerta	9071	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA				10 mW	DO-213AA	-			REACH Inalterato	150-CDLL5221C/TR	EAR99	8541.10.0050	137												1,1 V a 200 mA		100 µA a 1 V										2,4 V	30 Ohm
JANTX1N5554US	10.5600	Richiesta di offerta	9375	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			Standard		B, SQ-MELF	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)										1,3 V a 9 A	2 µs		-65°C ~ 175°C	3A	-
SMBJ4757A/TR13	0,8850	Richiesta di offerta	8030	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ4757			2 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000												1,2 V a 200 mA		5 µA a 38,8 V										51 V	95 Ohm
VRF152G	174.5800	Richiesta di offerta	5	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		130 V			SOT-262A1	VRF152	175 MHz	MOSFET			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-VRF152G	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			50μA	500 mA	300W	16dB			-								50 V
JANS1N6355C	-	Richiesta di offerta	4272	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	B, assiale				500 mW	B, assiale	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,4 V a 1 A		50 nA a 152 V										200 V	1800 Ohm
GC15009-450A/TR	-	Richiesta di offerta	3986	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	2-SMD, senza piombo	GC15009				-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-GC15009-450A/TR	EAR99	8541.10.0040	1																	0,9 pF a 20 V, 1 MHz		Separare	22 V							13	C0/C20	800 a 4 V, 50 MHz
CDLL4701C/TR	6.7950	Richiesta di offerta	5209	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA				500 mW	DO-213AA	-			REACH Inalterato	150-CDLL4701C/TR	EAR99	8541.10.0050	139												1,1 V a 200 mA		50 nA a 10,6 V										14 V
CDLL4752A/TR	3.1255	Richiesta di offerta	8604	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF					DO-213AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL4752A/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA		100 nA a 25,1 V										33 V	45 Ohm
JANHCA1N4126C	-	Richiesta di offerta	6097	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Morire				500 mW	Morire	-			REACH Inalterato	150-JANHCA1N4126C	EAR99	8541.10.0050	100												1,1 V a 200 mA		10 nA a 38,76 V										51 V	300 ohm
1N4466	7.3800	Richiesta di offerta	3736	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AL, DO041, assiale	1N4466			1,5 W	DO-41	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	1N4466MS	EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		300 nA a 8,8 V										11 V	6 Ohm
JANTX1N758D-1/TR	6.8362	Richiesta di offerta	4604	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N758D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		1 µA a 8 V										10 V	7 Ohm
JANTX1N983B-1/TR	2.5669	Richiesta di offerta	4076	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N983			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N983B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		500 nA a 62 V										82 V	330 Ohm
JANSR2N3501UB/TR	94.4906	Richiesta di offerta	1933	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo											-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSR2N3501UB/TR			1
1N5257/TR	2.2950	Richiesta di offerta	8479	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-1N5257/TR	EAR99	8541.10.0050	410												1,5 V a 200 mA		100 nA a 24 V										33 V	58 Ohm
UT4005	9.2550	Richiesta di offerta	6125	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Foro passante	Assiale			Standard		B	-			REACH Inalterato	150-UT4005	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)									50 V	1 V a 3 A		5 µA a 50 V	-195°C ~ 175°C	4A	-
MQ2N4858	54.6231	Richiesta di offerta	6574	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				360 mW	TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-MQ2N4858			1			CanaleN					40 V	18 pF a 10 V												40 V	8 mA a 15 V	800 mV e 500 pA			60 Ohm
1PMT5926BE3/TR7	0,7350	Richiesta di offerta	3036	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5926			3 W	DO-216AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000												1,2 V a 200 mA		1 µA a 8,4 V										11 V	5,5 Ohm
JANHCA1N754A	7.3283	Richiesta di offerta	1787	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANHCA1N754A	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		2 µA a 4 V										6,8 V	5 Ohm
JANTXV1N6768	-	Richiesta di offerta	4842	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Foro passante	TO-257-3			Standard		TO-257	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)									50 V	1,06 V a 8 A	35 ns	10 µA a 40 V	-	8A	150 pF a 5 V, 1 MHz
JAN1N984CUR-1/TR	10.2410	Richiesta di offerta	2916	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%		-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)				500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N984CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		500 nA a 69 V										91 V	400 ohm
JANTXV1N4993US	67.6050	Richiesta di offerta	7079	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C	Foro passante	E, assiale	1N4993			5 W	E, assiale	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		2 µA a 228 V										300 V	950 Ohm
JAN1N4551RB	-	Richiesta di offerta	8659	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/358	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero				50 W	DO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 10 A		100 µA a 1 V										4,7 V	0,12Ohm
1N5928CP/TR12	2.2800	Richiesta di offerta	7628	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5928			1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	4.000												1,2 V a 200 mA		1 µA a 9,9 V										13 V	7 Ohm