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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Resistenza @ Se, F | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6875UTK2AS | 259.3500 | ![]() | 3728 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | - | REACH Inalterato | 150-1N6875UTK2AS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3828CUR-1 | 49.6200 | ![]() | 3457 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/115 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N3828 | 1 W | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 3 V | 6,2 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5997C | 4.1550 | ![]() | 5999 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5997 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA a 6 V | 7,5 V | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5221BUR-1/TR | 3.5200 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AA | 500 mW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 281 | 1,1 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 2,4 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT3140D | 63.7050 | ![]() | 5427 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | Standard | TO-204AA (TO-3) | - | REACH Inalterato | 150-UFT3140D | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 400 V | 30A | 1,1 V a 15 A | 50 n | 15 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5364/TR12 | 2.6250 | ![]() | 1947 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5364 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 23,8 V | 33 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| JAN1N4496US | 14.3550 | ![]() | 4343 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4496 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 250 nA a 160 V | 200 V | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDS3021B-1 | - | ![]() | 6689 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | - | REACH Inalterato | 150-CDS3021B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3331RB | - | ![]() | 5311 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/358 | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio a perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 50 W | DO-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N3331RB | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 10 A | 10 µA a 38,8 V | 50 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N969CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 3977 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/117 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 1N969 | 500 mW | DO-213AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA a 17 V | 22 V | 29 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N5524DUR-1 | 47.2200 | ![]() | 2139 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/437 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 1N5524 | 500 mW | DO-213AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 2 µA a 3,5 V | 5,6 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4111UR-1 | 11.2500 | ![]() | 5112 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 1N4111 | 500 mW | DO-213AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 50 nA a 13 V | 17 V | 100 ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT4133CE3/TR13 | 0,4950 | ![]() | 1636 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | POWERMITE® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT4133 | 1 W | DO-216 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 66,12 V | 87 V | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N6987 | 158.6608 | ![]() | 9708 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/558 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | 14 DIP (0,300", 7,62 mm) | 2N6987 | 1,5 W | TO-116 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 4 PNP (quadruplo) | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 a 150 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N751A-1/TR | 6.4372 | ![]() | 9477 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/127 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N751A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 2 V | 5,1 V | 14 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N5521DUR-1/TR | 41.1768 | ![]() | 8859 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/437 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA (vetro) | 500 mW | DO-213AA | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5521DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 3 µA a 1,5 V | 4,3 V | 18 Ohm | |||||||||||||||||||||||
| APT30DQ60KG | 0,8900 | ![]() | 1924 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | APT30DQ60 | Standard | TO-220 [K] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 2,4 V a 30 A | 30 ns | 25 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 30A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | APT40DQ60BCTG | 3.4100 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | APT40 | Standard | TO-247 [B] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 600 V | 40A | 2,4 V a 40 A | 25 ns | 25 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5876 | 41.7354 | ![]() | 7243 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | 2N5876 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT4100/TR13 | 1.1250 | ![]() | 7945 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | POWERMITE® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT4100 | 1 W | DO-216 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V a 200 mA | 10 µA a 5,7 V | 7,5 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3584 | 240.2418 | ![]() | 1147 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/384 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-213AA, TO-66-2 | 2,5 W | TO-66 (TO-213AA) | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 5 mA | 5mA | NPN | 750 mV a 125 mA, 1 A | 25 a 1 A, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||
| JAN1N3023C-1 | 17.3250 | ![]() | 1706 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/115 | Massa | Attivo | ±2% | -55°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N3023 | 1 W | DO-41 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 9,9 V | 13 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | CD4691 | 2.3408 | ![]() | 5146 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | Morire | 500 mW | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD4691 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 10 µA a 5 V | 6,2 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5930AE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 4928 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5930 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 12,2 V | 16 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5248D | 8.4150 | ![]() | 1281 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | DO-213AA | 10 mW | DO-213AA | - | REACH Inalterato | 150-CDLL5248D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 14 V | 18 V | 21 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4133D-1 | 101.3100 | ![]() | 9024 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 66,2 V | 87 V | 1000 ohm | |||||||||||||||||||||||||
| 2N912 | 30.5700 | ![]() | 5710 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo | 800 mW | TO-18 (TO-206AA) | - | REACH Inalterato | 150-2N912 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | - | NPN | 1 V a 5 mA, 50 mA | - | 40 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4107 | 1.3699 | ![]() | 3760 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | Morire | 500 mW | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD4107 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 50 nA a 9,87 V | 13 V | 200 ohm | |||||||||||||||||||||||
| MPL4702-406 | 14.1000 | ![]() | 4065 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C | 0402 (1005 metri) | MPL4702 | 0402 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | 10 W | 3 pF a 10 V, 1 MHz | PIN: singolo | 50 V | 2 Ohm a 10 mA, 1 GHz | |||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4489US/TR | 11.1720 | ![]() | 3996 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1,5 W | D-5A | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N4489US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 250 nA a 80 V | 100 V | 300 ohm |

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