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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)
JANTXV1N4148UBCDP	33.6490	Richiesta di offerta	9409	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/116	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo		Standard		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANTXV1N4148UBCDP	EAR99	8541.10.0070	1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità								75 V	1,2 V a 100 mA	5 nn	500 nA a 75 V	-65°C ~ 175°C	200mA	4pF a 0 V, 1 MHz
JANS1N6663US/TR	-	Richiesta di offerta	1394	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/587	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SQ-MELF, A		Standard		A, SQ-MELF	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS1N6663US/TR	EAR99	8541.10.0070	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)								600 V	1 V a 400 mA			-65°C ~ 175°C	500mA	-
JANTX1N6340DUS/TR	58.0500	Richiesta di offerta	5269	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/533	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	-				150-JANTX1N6340DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100											1,4 V a 1 A		50 nA a 36 V				47 V	75 Ohm
1N5372/TR12	2.6250	Richiesta di offerta	4294	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5372		5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000											1,2 V a 1 A		500 nA a 44,6 V				62 V	42 Ohm
JANTXV1N4106C-1	23.1600	Richiesta di offerta	6156	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4106		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		50 nA a 9,2 V				12 V	200 ohm
APTM120H140FT1G	73.6800	Richiesta di offerta	8821	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM120	MOSFET (ossido di metallo)	208 W	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)		1200 V (1,2 kV)	8A	1,68 Ohm a 7 A, 10 V	5 V a 1 mA	145 nC a 10 V	3812pF a 25V	-
JAN1N4626C-1	9.5850	Richiesta di offerta	2365	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4626		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		5 µA a 4 V				5,6 V	1400 Ohm
JANS1N6330US	136.0950	Richiesta di offerta	4921	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,4 V a 1 A		50 nA a 14 V				18 V	14 Ohm
JAN1N3033D-1	21.6750	Richiesta di offerta	6426	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Massa	Attivo	±1%	-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N3033		1 W	DO-41	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,2 V a 200 mA		10 µA a 27,4 V				36 V	50 Ohm
1N5990C	4.1550	Richiesta di offerta	5118	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5990		500 mW	DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		10 µA a 1 V				3,9 V	90 Ohm
1N5522BUR-1	7.8600	Richiesta di offerta	4175	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA	1N5522		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		2 µA a 2 V				4,7 V	22 Ohm
1N5936B	6.4050	Richiesta di offerta	7683	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AL, DO041, assiale	1N5936		1,25 W	DO-41	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	1N5936BMS	EAR99	8541.10.0050	1											1,2 V a 200 mA		1 µA a 22,8 V				30 V	28 Ohm
JANTX1N3046B-1	-	Richiesta di offerta	1915	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo									-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
JAN1N4962	5.6850	Richiesta di offerta	5049	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	E, assiale	1N4962		5 W		scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,5 V a 1 A		5 µA a 11,4 V				15 V	3,5 Ohm
JANS1N4128D-1	101.3100	Richiesta di offerta	6528	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		10 nA a 45,6 V				60 V	400 ohm
1N984B	2.0700	Richiesta di offerta	3330	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N984		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		5 µA a 69,2 V				91 V	400 ohm
1N4113UR	3.7950	Richiesta di offerta	6884	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N4113		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		50 nA a 14,44 V				19 V	150 ohm
SMBJ5944BE3/TR13	0,8850	Richiesta di offerta	7958	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5944		2 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000											1,2 V a 200 mA		1 µA a 47,1 V				62 V	100 ohm
1N4750CE3/TR13	1.1700	Richiesta di offerta	8142	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4750		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000											1,2 V a 200 mA		5 µA a 20,6 V				27 V	35 Ohm
SMBJ5947BE3/TR13	0,8850	Richiesta di offerta	2228	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5947		2 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000											1,2 V a 200 mA		1 µA a 62,2 V				82 V	160 Ohm
1N5989C	4.1550	Richiesta di offerta	6864	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5989		500 mW	DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		15 µA a 1 V				3,6 V	90 Ohm
1N5275	3.1950	Richiesta di offerta	6717	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-1N5275	EAR99	8541.10.0050	1											1,5 V a 200 mA		100 nA a 101 V				140 V	1300 Ohm
2N5487-1	17.5500	Richiesta di offerta	9035	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-2N5487-1			1
JANTX1N3312RB	-	Richiesta di offerta	7776	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/358	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero			50 W	DO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,5 V a 10 A		10 µA a 9,9 V				13 V	1,1Ohm
1N5931APE3/TR8	0,9150	Richiesta di offerta	9716	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5931		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.500											1,2 V a 200 mA		1 µA a 13,7 V				18 V	12 Ohm
1N6657R	256.5300	Richiesta di offerta	6808	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/616	Massa	Attivo			Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)	1N6657	Standard		TO-254	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)								100 V	1,2 V a 20 A	35 ns	10 µA a 100 V	-55°C ~ 175°C	15A	150 pF a 10 V, 1 MHz
UPS1100/TR7	0,6300	Richiesta di offerta	4963	Tecnologia del microchip	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					UPS1100				-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000
1N5929AP/TR8	1.8600	Richiesta di offerta	1218	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5929		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.500											1,2 V a 200 mA		1 µA a 11,4 V				15 V	9 Ohm
BZV55C3V3/TR	3.1200	Richiesta di offerta	7094	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6,06%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA				DO-213AA	-			REACH Inalterato	150-BZV55C3V3/TR	EAR99	8541.10.0050	304											1,1 V a 200 mA		5 µA a 1 V				3,3 V	95 Ohm
JAN1N4371D-1	9.3450	Richiesta di offerta	1662	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4371			DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1											1,1 V a 200 mA		60 µA a 1 V				2,7 V	30 Ohm