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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Corrente: max	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max)	Corrente del regolatore (massima)	Tensione - Limitazione (max)
S4290	102.2400	Richiesta di offerta	8970	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-S4290			1
JANTX1N5527B-1	7.7400	Richiesta di offerta	4095	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5527		500 mW		DO-204AH (vetro DO-35)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	500 nA a 6,8 V												7,5 V	35 Ohm
CDS3029B-1	-	Richiesta di offerta	7911	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-CDS3029B-1	EAR99	8541.10.0050	50
MG1006-83B	-	Richiesta di offerta	8016	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo		-			-	MG1006				-	-			REACH Inalterato	150-MG1006-83B	EAR99	8541.10.0060	1			700mA	100 mW						-					PIN: singolo	10 V						-
JANS1N7048-1	153.1200	Richiesta di offerta	5378	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo											-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
1N485	4.2150	Richiesta di offerta	8197	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N485	Standard			DO-7	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità			180 V	1 V a 100 mA	25 nA a 180 V	-65°C ~ 175°C	100mA	-
CDLL4769/TR	165.9150	Richiesta di offerta	1724	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	0°C ~ 75°C		Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW		DO-213AA	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL4769/TR	EAR99	8541.10.0050	1							10 µA a 6 V												9,1 V	350 Ohm
1N3049B-1	8.1900	Richiesta di offerta	6043	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-55°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AL, DO041, assiale	1N3049		1 W		DO-41	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,2 V a 200 mA	2 µA a 121,6 V												160 V	1100 Ohm
JANTXV1N4476US	17.6250	Richiesta di offerta	8109	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	SQ-MELF, A	1N4476		1,5 W		D-5A	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1 V a 200 mA	50 nA a 24 V												30 V	20 Ohm
CDS5524BUR-1	-	Richiesta di offerta	7827	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo											-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDS5524BUR-1	EAR99	8541.10.0050	1
CDLL5989	2.2950	Richiesta di offerta	2575	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo						CDLL5989					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
GC4432-M1	-	Richiesta di offerta	9893	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C			1208 (3020 metri)					M1	-			REACH Inalterato	150-GC4432-M1TR	EAR99	8541.10.0070	1			50 mA							0,5 pF a 50 V, 1 MHz					PIN: singolo	300 V						1 Ohm a 100 mA, 100 MHz
1N5245D-1	9.7800	Richiesta di offerta	2873	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW		DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-1N5245D-1	EAR99	8541.10.0050	1						1,5 V a 200 mA	100 nA a 11 V												15 V	16 Ohm
1N6025D	6.9600	Richiesta di offerta	5175	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N6025		500 mW		DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	100 nA a 84 V												110 V	650 Ohm
JANTX1N980BUR-1	6.0900	Richiesta di offerta	4147	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Massa	Attivo	±5%	-55°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N980		500 mW		DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	500 nA a 47 V												62 V	185 Ohm
JAN1N748D-1	6.4950	Richiesta di offerta	4049	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N748		500 mW		DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	2 µA a 1 V												3,9 V	23 Ohm
1N4100D-1	6.1500	Richiesta di offerta	9316	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW		DO-35 (DO-204AH)	scaricamento			REACH Inalterato	150-1N4100D-1	EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	1 µA a 5,7 V												7,5 V	200 ohm
JANS2N2222AUBC/TR	185.6106	Richiesta di offerta	8852	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)		Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			500 mW		3-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS2N2222AUBC/TR	EAR99	8541.21.0095	1												50 V	800 mA				50nA						NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
1N5946BUR-1	4.5300	Richiesta di offerta	6125	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF	1N5946		1,25 W		DO-213AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,2 V a 200 mA	1 µA a 56 V												75 V	140 Ohm
CDLL4580/TR	6.5250	Richiesta di offerta	3042	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	0°C ~ 75°C		Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW		DO-213AA	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL4580/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA a 3 V													25 Ohm
JANTX1N4961DUS/TR	32.4000	Richiesta di offerta	2148	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/356	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			5 W		E-MELF	-				150-JANTX1N4961DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100						1,5 V a 1 A	10 µA a 9,9 V												13 V	3 Ohm
1N6010B	2.0700	Richiesta di offerta	8235	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N6010		500 mW		DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1N6010BMS	EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	100 nA a 21 V												27 V	70 Ohm
JANTXV1N4996US	-	Richiesta di offerta	4919	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	E, assiale	1N4996		5 W		E, assiale	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,5 V a 1 A	2 µA a 297 V												390 V	1800 Ohm
1N5305UR-1/TR	22.0050	Richiesta di offerta	2363	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)	1N5305		500 mW		DO-213AB (MELF, LL41)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N5305UR-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1																											100 V	2,2 mA	1,85 V
JANTX1N4982	9.7500	Richiesta di offerta	9033	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/356	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	E, assiale	1N4982		5 W			scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,5 V a 1 A	2 µA a 76 V												100 V	110 Ohm
APT40GP60J	30.0700	Richiesta di offerta	8433	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo				Montaggio su telaio	ISOTOP	APT40GP60		284 W	Standard	ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare										P.T	600 V	86A	2,7 V a 15 V, 40 A			250 µA	NO			4,61 nF a 25 V
2N6560	148.1850	Richiesta di offerta	2009	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-		Foro passante	TO-204AA, TO-3			125 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N6560	EAR99	8541.29.0095	1												450 V	10A				-						NPN	-	-	-
UZ5750	32.2650	Richiesta di offerta	1948	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	B, assiale			5 W		B, assiale	-			REACH Inalterato	150-UZ5750	EAR99	8541.10.0050	1							5 µA a 38 V												50 V	25 Ohm
JAN1N6342CUS/TR	63.8550	Richiesta di offerta	3464	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/533	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW		B, SQ-MELF	-				150-JAN1N6342CUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100						1,4 V a 1 A	50 nA a 43 V												56 V	100 ohm
1N4371	4.3950	Richiesta di offerta	5121	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4371		500 mW		DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	75 µA a 1 V												2,7 V	30 Ohm