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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)
JANTXV1N4972US/TR	16.1250	Richiesta di offerta	5624	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/356	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			5 W	E-MELF	-				150-JANTXV1N4972US/TR	EAR99	8541.10.0050	100																	1,5 V a 1 A		2 µA a 29,7 V				39 V	14 Ohm
JANS1N6317DUS	532.6350	Richiesta di offerta	5797	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Vassoio	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B	1N6317		500 mW	B, SQ-MELF	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1,4 V a 1 A		5 µA a 2 V				5,1 V	14 Ohm
1N1367	44.3850	Richiesta di offerta	8806	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±10%	-	Montaggio a perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero	1N136		10 W	DO-203AA (DO-4)	-			REACH Inalterato	150-1N1367	EAR99	8541.10.0050	1																							47 V	7 Ohm
APTC60AM18SCG	331.0700	Richiesta di offerta	2675	Tecnologia del microchip	CoolMOS™	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTC60	MOSFET (ossido di metallo)	833 W	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)			600 V	143A		18 mOhm a 71,5 A, 10 V	3,9 V a 4 mA	1036nC a 10 V		28000 pF a 25 V	-
1PMT5925C/TR13	2.7600	Richiesta di offerta	5569	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5925		3 W	DO-216AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.000																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 8 V				10 V	4,5 Ohm
MSC015SMA070B	35.7600	Richiesta di offerta	1898	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	MSC015	SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	691-MSC015SMA070B	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN	700 V	131A(Tc)	20 V	19 mOhm a 40 A, 20 V	2,4 V a 1 mA	215 nC a 20 V	+25 V, -10 V	4500 pF a 700 V	-	400 W(Tc)
JANTX1N5536DUR-1	47.2200	Richiesta di offerta	1524	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N5536		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		10 nA a 14,4 V				16 V	100 ohm
CDLL5272A/TR	3.3516	Richiesta di offerta	9561	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF			10 mW	DO-213AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL5272A/TR	EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		100 nA a 84 V				110 V	750 Ohm
1N5271BUR-1/TR	3.7400	Richiesta di offerta	7269	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	264																	1,1 V a 200 mA		100 nA a 76 V				100 V	500 ohm
CDLL751A/TR	2.7930	Richiesta di offerta	7752	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF			500 mW	DO-213AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL751A/TR	EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		5 µA a 2 V				5,1 V	17 Ohm
JAN1N4483D	25.4550	Richiesta di offerta	7415	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4483		1,5 W	DO-41	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1 V a 200 mA		250 nA a 44,8 V				56 V	70 Ohm
SMAJ4758AE3/TR13	0,6450	Richiesta di offerta	5696	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	SMAJ4758		2 W	DO-214AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	7.500																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 42,6 V				56 V	110 Ohm
1N5359C/TR8	3.3900	Richiesta di offerta	9069	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5359		5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.000																	1,2 V a 1 A		500 nA a 17,3 V				24 V	3,5 Ohm
1N5933CP/TR12	2.2800	Richiesta di offerta	5842	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5933		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		1 µA a 16,7 V				22 V	17,5 Ohm
MSCMC120AM03CT6LIAG	-	Richiesta di offerta	6087	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCMC120	Carburo di silicio (SiC)	2778W(Tc)	SP6C LI	scaricamento			REACH Inalterato	150-MSCMC120AM03CT6LIAG	EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (fase)			1200 V (1,2 kV)	631A(Tc)		3,4 mOhm a 500 A, 20 V	4 V a 150 mA	1610nC a 20 V		27900pF a 1000V	-
JANS1N5621	59.9100	Richiesta di offerta	7687	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/429	Massa	Attivo			Foro passante	A, assiale		Standard		A, assiale	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													800 V		1,6 V a 3 A	300 n		-65°C ~ 200°C	1A	-
JANTXV1N971C-1	8.9100	Richiesta di offerta	3593	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N971		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		500 nA a 21 V				27 V	41 Ohm
JAN1N5518B-1/TR	5.0407	Richiesta di offerta	2147	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N5518B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		5 µA a 1 V				3,3 V	26 Ohm
JANS1N4623UR-1	69.6150	Richiesta di offerta	7501	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TA)	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		4 µA a 2 V				4,3 V	1600 Ohm
JANTX1N4148UBCCC	30.6432	Richiesta di offerta	8968	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/116	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	1N4148	Standard		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANTX1N4148UBCCC	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	75 V	1A	800 mV a 100 mA	5 ns	25 nA a 20 V	-65°C ~ 200°C
1N2439	102.2400	Richiesta di offerta	1880	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Montaggio a perno	DO-205AA, DO-8, Prigioniero		Standard		DO-205AA (DO-8)	scaricamento			REACH Inalterato	150-1N2439	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													200 V		1,1 V a 200 A		50 µA a 200 V	-65°C ~ 200°C	150A	-
JANTXV1N7055-1	11.2350	Richiesta di offerta	7753	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo									-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
JAN1N2814B	-	Richiesta di offerta	6761	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/114	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-204 d.C	1N2814		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1,5 V a 2 A		10 µA a 12,2 V				16 V	1,6 Ohm
JANKCA1N4627D	-	Richiesta di offerta	3919	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Morire			500 mW	Morire	-			REACH Inalterato	150-JANKCA1N4627D	EAR99	8541.10.0050	100																	1,1 V a 200 mA		10 µA a 5 V				6,2 V	1200 Ohm
JAN1N4578AUR-1/TR	20.5950	Richiesta di offerta	7685	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/452	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N4578AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1																			2 µA a 3 V				6,4 V	50 Ohm
JAN1N5541B-1	5.5200	Richiesta di offerta	2343	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5541		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		10 nA a 19,8 V				22 V	100 ohm
JAN1N3825C-1	17.3250	Richiesta di offerta	4899	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N3825		1 W	DO-41	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 1 V				4,7 V	8 Ohm
UPS140/TR13	0,6150	Richiesta di offerta	5747	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-216AA	UPS140	Schottky		Powermite	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	12.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													40 V		450 mV a 1 A		400 µA a 40 V	-55°C ~ 125°C	1A	-
1N2832A	94.8900	Richiesta di offerta	4811	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	TO-204 d.C	1N2832		50 W	TO-204AD (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																	1,5 V a 10 A		10 µA a 42,6 V				56 V	6 Ohm
CDLL5236B/TR	2.7132	Richiesta di offerta	7791	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF			10 mW	DO-213AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL5236B/TR	EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		3 µA a 6 V				7,5 V	6 Ohm